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多层膜晶界和膜界间竞比变形及其对硬度测量的影响

刘明霞 , 马飞 , 黄友兰 , 黄平 , 余花娃 , 张建民 , 徐可为

金属学报

使用磁控溅射法制备了不同调制波长的Ni/Al多层膜,利用X射线衍射(XRD)和高分辨显微技术(HRTEM)对薄膜进行了微结构表征,采用连续刚度法(CSM)研究了不同压入深度下多层膜的硬度。结果表明,随调制波长减小,薄膜呈纳米晶结构特征且存在超硬效应。调制波长L大于30 nm时,纳米压入硬度随压入深度的增加而升高;L小于30 nm时最大压入深度的硬度测量值反而最小。同时发现压入深度较小时硬度相对大小对调制波长不敏感。结合微结构表征,从晶界和膜界的竞比变形角度进行了分析讨论。

关键词: 多层膜 , hardness , loading depth , modulated period , grain boundary

多层膜晶界和膜界间竞比变形及其对硬度测量的影响

刘明霞 , 马飞 , 黄友兰 , 黄平 , 余花娃 , 张建民 , 徐可为

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.06.010

使用磁控溅射法制备了不同调制波长的Ni/Al多层膜,利用X射线衍射(XRD)和高分辨电子显微术(HRTEM)对薄膜进行了微结构表征,采用连续刚度法(CSM)研究了不同压入深度下多层膜的硬度.结果表明,随调制波长减小,薄膜呈纳米晶结构特征且存在超硬效应.调制波长L大于30nm时,纳米压入硬度随压入深度的增加而升高;L小于30nm时,最大压入深度的硬度测量值反而最小.同时发现压入深度较小时硬度相对大小对调制波长不敏感.结合微结构表征,从晶界和膜界的竞比变形角度进行了分析讨论.

关键词: 多层膜 , 硬度 , 压入深度 , 调制波长 , 晶界

表面活性剂辅助合成纳米氧化锌的研究进展

余花娃 , 樊慧庆 , 王晶 , 王欣 , 成鹏飞 , 严祥安

材料导报

纳米ZnO以其独特的光学、电学、力学和磁学等方面的性能受到关注和重视.表面活性剂可以有效控制所合成ZnO纳米材料的形貌、结构和性能,因而广泛应用于制备ZnO纳米材料.介绍了表面活性剂的特性和分类,重点介绍了近年来不同表面活性剂辅助合成纳米ZnO的研究进展,展示了表面活性剂在纳米ZnO制备中的应用前景.

关键词: 纳米氧化锌 , 表面活性剂 , 合成

巨介电常数陶瓷CaCu3 Ti4 O12的研究进展?

宋江 , 成鹏飞 , 王秋萍 , 余花娃 , 李盛涛 , 李建英

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.19.013

CaCu3 Ti4 O12(CCTO)陶瓷具有高介电常数和高热稳定性,这使得 CCTO 可能在高密度信息储存、高介电电容器、大规模集成电路等领域获得广泛使用。系统地介绍了 CCTO 高介电常数起源的内禀机制和外禀机制,详细归纳了元素掺杂对CCTO介电特性的影响,阐述了巨介电常数与本征点缺陷的内在关联,肯定了晶粒电导赝极化理论,指出了CCTO巨介电常数陶瓷研究的重点在于:基于外禀机制的 IBLC模型,通过晶胞掺杂或晶界掺杂改变晶粒或者晶界的电导,进而调控CCTO的介电损耗,使 CCTO 保持较高介电常数的前提下,在很宽的频率范围内使介电损耗正切值降低到0.1以下。

关键词: CaCu3 Ti4 O12 , 巨介电常数 , 介电损耗

ZnO的点缺陷结构与P型化转变的研究进展

成鹏飞 , 张英堂 , 余花娃

材料导报

ZnO是一种典型的直带隙宽禁带半导体材料,是下一代光电材料的代表.但由于P型化转变困难,使ZnO在光电领域的应用受到了极大限制.系统分析了ZnO的本征点缺陷结构和P型化转变方面的理论和实验研究成果,认为ZnO的n型电导应起源于本征点缺陷Zn或Vo.通过V族元素实现P型化转变的关键在于其稳定性,因此通过亚稳的点缺陷之间的相互作用实现相对较稳定的p-ZnO是V族元素掺杂实现P型化转变的研究方向.考虑到I族元素在ZnO中的固溶度较高且受主能级较浅,通过I族元素的掺杂实现高电导p-ZnO也是实现P型化转变的思路;但是Ⅰ族元素的掺杂会引起严重的自补偿,因此实现I族元素在ZnO晶格中的定位是Ⅰ族元素掺杂实现P型化转变的研究方向.

关键词: ZnO薄膜 , p型化 , 点缺陷

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