吕反修
,
高旭辉
,
郭会斌
,
陈广超
,
李成明
,
唐伟忠
,
佟玉梅
,
余怀之
,
程宏范
,
杨海
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.023
本文采用真空电子束蒸镀技术在多谱段ZnS衬底上沉积了适合金刚石膜沉积的致密陶瓷过渡层,并利用微波等离子体CVD金刚石膜低温沉积技术进行了金刚石膜沉积研究.发现在陶瓷过渡层上的金刚石形核极其困难,其原因可能是陶瓷涂层在沉积过程中龟裂导致ZnS蒸汽扩散逸出干扰金刚石形核所致.本文采用诱导形核技术在过渡层/ZnS试样表面观察到极高密度(1010/cm2)的金刚石形核,并对金刚石/过渡层/ZnS试样的红外透过特性进行了评价.
关键词:
硫化锌
,
金刚石膜涂层
,
陶瓷过渡层
,
诱导形核
,
微波等离子体CVD
付利刚
,
苏小平
,
余怀之
,
霍承松
,
宋睿丰
,
石红春
,
鲁泥藕
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.011
对化学气相沉积(CVD)ZnS经热等静压(HIP)处理前后在光学透过率等方面的改变进行了比较分析. 针对温度、原生样品厚度等因素对样品性能的影响做了详细阐述. 实验表明, 热等静压对原生CVDZnS光学性能有促进作用, 随处理温度的升高, 透过率在1010～1050℃之间出现峰值; 原生样品厚度的影响不容忽视, 导热均匀的薄样品晶粒均匀且尺寸较大, 光学及力学性能要好于厚样品.
关键词:
化学气相沉积ZnS(CVD)
,
热等静压(HIP)
,
透过率
高旭辉
,
吕反修
,
魏俊俊
,
李成明
,
陈广超
,
余怀之
功能材料
采用微波等离子体化学气相沉积法,在预镀陶瓷过渡层的硫化锌衬底上沉积金刚石膜2在以前的实验中,我们发现在陶瓷过渡层上沉积金刚石膜极其困难,但采用金刚石诱导形核方法后,我们已经在过渡层/硫化锌试样表面获得了很小面积(约1mm宽的环状区域)的金刚石形核.本文对前期的诱导形核工作进行了一定改进,目前已经使形核生长范围大大增加,沉积面积超过原来10倍.此外,本文对金刚石/过渡层/硫化锌试样的红外透过特性以及金刚石膜质量等进行了评价.
关键词:
硫化锌(ZnS)
,
金刚石膜
,
陶瓷过渡层
,
诱导形核
,
微波等离子体CVD
鲁泥藕
,
余怀之
,
霍承松
,
汪飞琴
,
石红春
功能材料
比较了四种适用于作CO2激光器窗口的材料,Ge、KCl、GaAs和ZnSe,指出ZnSe是大功率激光器最理想的窗口材料,并列举了3种ZnSe的制备原理及方法,阐述了CVD方法制备多晶ZnSe的过程.
关键词:
窗口材料
,
透过率
,
ZnSe
,
化学气相沉积
宋睿丰
,
余怀之
,
霍承松
无机材料学报
采用红外、紫外光谱仪对热等静压（HIP）处理前后CVDZnS的光学透过率进行了测量,采用分析电子显微镜、金相显微镜和X射线衍射对原生CVDZnS和经热等静压（HIP）处理的CVDZnS的显微组织和晶体结构进行了分析.根据热等静压（HIP）处理前后CVDZnS光学透过率和材料内部显微结构的不同分析了热等静压过程造成CVDZnS光学性能提高的原因.研究表明:热等静压过程使得CVDZnS的晶粒尺寸有了很大提高,并且消除了原生CVDZnS在生长过程中形成的晶体缺陷,从而减小了原生CVDZnS中由于晶格缺陷和晶粒边界造成的散射损失,使得CVDZnS的光学透过率,尤其是在可见光及近红外波段,有了较大的提高.
关键词:
CVDZnS
,
heat isostatic process（HIP）
,
transmittance
,
X-ray diffraction
宋睿丰
,
余怀之
,
霍承松
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.039
采用红外、紫外光谱仪对热等静压(HIP)处理前后CVDZnS的光学透过率进行了测量,采用分析电子显微镜、金相显微镜和X射线衍射对原生CVDZnS和经热等静压(HIP)处理的CVDZnS的显微组织和晶体结构进行了分析.根据热等静压(HIP)处理前后CVDZnS光学透过率和材料内部显微结构的不同分析了热等静压过程造成CVDZnS光学性能提高的原因.研究表明:热等静压过程使得CVDZnS的晶粒尺寸有了很大提高,并且消除了原生CVDZnS在生长过程中形成的晶体缺陷,从而减小了原生CVDZnS中由于晶格缺陷和晶粒边界造成的散射损失,使得CVDZnS的光学透过率,尤其是在可见光及近红外波段,有了较大的提高.
关键词:
CVDZnS
,
热等静压
,
光学透过率
,
X射线衍射
