胡翔
,
余增强
,
宁振华
,
尹澜
,
徐晓林
,
郭建栋
,
王福仁
,
尹道乐
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.071
近来,关于无序涡旋物质凝聚体的著名的涡旋玻璃理论受到了来自某些新实验的严重质疑.我们重新审查了高温超导体的临界标度,发现超导混合态的直流伏安特性具有扩展幂律的一般形式.由该扩展幂律型非线性方程模拟的等温线和Strachan等人得到的实验数据[Phys. Rev. Lett. 87(2001), 067007]符合得很好.文中还讨论了长期以来围绕纵向电阻率和霍尔电阻率的临界指数的某些争议.
关键词:
扩展幂律
,
涡旋玻璃
,
电阻转变
,
Hall电阻率
吴克
,
余增强
,
张解东
,
王守证
,
聂瑞娟
,
王福仁
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.03.003
制备高质量的MgB2薄膜是实现MgB2超导电子器件应用的前提和基础.我们用电子束蒸发B膜和Mg/B多层膜为前驱然后后退火的方法,分别在高温区(～900℃)和中温区(～750℃)成功获得了MgB2超导薄膜.改变退火的Ar气压条件,采用B膜前驱退火的样品Tc可达到38K以上,转变宽度0.3K.Mg/B多层膜的结果尽管Tc稍低(Tc～35K),但薄膜表面更加均匀,且避免了高温下Mg蒸汽污染的问题.对于两种前驱退火中观察到的完全不同的退火气压影响,我们认为是与其各自的超导成相过程相联系的,在此基础上我们对退火气压效应给出了自己的分析和解释,为今后进一步细致研究退火过程中的薄膜生长机制提供了参考.
关键词:
MgB2薄膜
,
电子束蒸发
,
外退火
,
超导成相
余增强
,
马小柏
,
聂瑞娟
,
姚丹
,
王福仁
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.095
文章介绍了我们利用脉冲激光沉积(PLD)方法原位生长MgB2超导薄膜的工作.实验采用两步法的方案:高真空条件下在Al2O3(001)衬底上沉积Mg-B混合物加覆盖Mg层的双层结构,然后将该前驱体在630℃左右的Ar气氛中原位退火,成功制备出了有较好重复性的MgB2超导薄膜,其最高的起始转变温度为36.5K,转变宽度在1K左右.我们认为该方法为进一步研究基于MgB2的多层结构器件提供了一种可行的发展思路.
关键词:
MgB2薄膜
,
脉冲激光沉积
,
原位生长
