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化学抛光和退火对钛酸锶基片表面改性研究

陈光珠 , 杭寅 , 汪隽 , 何晓明 , 张连翰 , 李志鸿 , 华如江 , 何明珠

人工晶体学报

本文运用原子力显微镜检测传统机械抛光和化学机械抛光以及退火前后的钛酸锶(STO)衬底表面,研究了化学机械抛光和退火对钛酸锶(STO)基片表面形貌的影响,结果表明化学抛光可以使表面粗糙度达到0.214 nm,明显优于机械抛光.对比测量退火前后钛酸锶(STO)基片的双晶摇摆曲线,表明退火可以明显改善晶体质量,有利于实现超光滑STO基片的加工.

关键词: 钛酸锶 , 超光滑表面 , 化学机械抛光 , 退火

水平刻槽管壁面液体升膜非线性特性研究

于海燕 , 梅宁 , 刘学波 , 何明珠 , 司洪宇

工程热物理学报

水平刻槽管壁面升膜流动是一种低雷诺数流,低雷诺数流动的特点是惯性力与粘性力相比可以忽略不计,因此在求解Navier-Stokes方程时,常忽略对流项进行计算.本文通过采用一种级数解法,对含有对流项的Navier-Stokes方程进行逐级求解,分析不同雷诺数下含对流项的Navier-Stokes方程对速度解的影响.

关键词: 水平刻槽管 , 低雷诺数 , 对流项 , 级数解

Sm:GdVO4晶体的生长及光谱性能研究

何晓明 , 张连翰 , 陈光珠 , 何明珠 , 杭寅

人工晶体学报

应用中频感应提拉法生长出掺杂浓度为2%原子分数的Sm:GdVO4晶体,研究了室温下c轴方向sm:GdVO4晶体的吸收和荧光光谱.通过J-O理论计算出强度参数(Ωt),同时计算了对应于4G5/2能级的自发跃迁几率、荧光分支比和辐射寿命.通过荧光光谱计算了对应于566、604和646nm三个发射峰对应的发射截面,结果表明,Sm:GdVO4在604 nm的发射截面最大,是掺Sm:YAP在607 nm处发射截面的4.4倍.

关键词: Sm:GdVO4晶体 , 光谱性能 , J-O理论

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