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Ce掺杂ZnO 压敏薄膜的微观结构与电学性能研究?

何恺 , 吴文浩 , 陈步华 , 吴婕婷 , 徐传孟 , 徐东

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.18.014

通过溶胶-凝胶法制备了一种稀土 Ce 掺杂的ZnO-Bi2 O3压敏薄膜,对薄膜进行了XRD、AFM、介电与压敏性能的表征.结果表明,Ce 掺杂不会影响ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的晶体结构,但是会减小 ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的晶粒尺寸.Ce 掺杂会降低 ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的漏电流,减小材料的介电损耗,提升ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的非线性性能.当 Ce 掺杂量达到0.3%(摩尔分数)时,ZnO-Bi2 O3压敏薄膜的压敏电压达到了175 V/mm,漏电流降低至502μA.

关键词: ZnO , 稀土 , 显微组织 , 压敏电阻 , 电学性能

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