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ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究

方泽波 , 朋兴平 , 谭永胜 , 何志巍 , 王印月

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.014

用RF磁控反应共溅射法在Si(111)衬底上制备出了铽 (Tb) 掺杂的ZnO透明导电薄膜.研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响.结果表明,在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向,电阻率降低到9.34×10-4 Ω·cm,且可见光段(400～800 nm)平均透过率大于80%的ZnO∶Tb新型透明导电材料.

关键词: ZnO , RF溅射 , 透明导电薄膜

高压静电场诱导下介孔 WO 3粉体的制备及表征

关玉园 , 何志巍

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.01.023

利用溶胶-凝胶与分子模板法相结合，在高压静电场诱导分子模板作用下，成功制备了孔洞分布均匀的介孔 WO 3粉体。利用粉末 X 射线衍射仪、N2吸附-脱附比表面及孔径分析仪、傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)等测试手段，通过对样品的晶态结构、孔洞结构参数、透射光谱特性及化学键态结构的对比，详细研究了外加电场的作用时间对分子模板及 WO 3粉体材料微观结构的影响。实验结果表明，在2 kV/cm 的电场强度下处理2 h 所制得的粉体 WO 3有更发达的比表面积和气体通道。

关键词: 电场诱导 , 溶胶-凝胶法 , WO3粉体 , 介孔

低介电常数硅基薄膜后处理的研究进展

何志巍

绝缘材料 doi:10.3969/j.issn.1009-9239.2010.03.010

综述了近年来国际上低介电常数纳米多孔SiOx薄膜材料的发展状况,重点论述了其后处理原理及工艺、材料结构特点及存在的缺陷,分类指出了后处理方法对材料改性的影响及存在的问题,同时提出了未来的研究方向和发展前景.

关键词: 低介电常数 , 纳米多孔材料 , 硅基氧化物 , 溶胶-凝胶

H＋离子浓度对WO3粉体化学键及晶体微观结构的影响

何志巍 , 李春燕 , 张建军 , 王学进 , 祁铮

功能材料

分别在不同H＋离子浓度的酸性环境下,采用溶胶-凝胶法制备纳米多孔WO3粉体。利用粉末X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、傅立叶变换红外光谱仪（FT-IR）等分析手段对不同条件下制备的粉末样品晶体结构、微观形貌、透射光谱特性及化学健态结构进行对比研究。结果表明,在其它制备条件相同的情况下,强酸环境可以有效增加溶胶-凝胶的反应速度,而且有利于形成WO3材料的非晶化,可得到呈现交联网状的纳米级多孔结构。

关键词: 纳米WO3 , 酸碱度 , 微结构

分子模板法制备纳米多孔SiO2薄膜

何志巍 , 甄聪棉 , 缑洁 , 兰伟 , 郭得峰 , 王印月

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.003

报道了用分子模板法制备纳米有序多孔SiO2薄膜.用扫描电子显微镜(SEM)观察改性前后薄膜的表面形貌,发现改性后薄膜孔洞大小均匀,排列有序,孔径在200 nm左右.付立叶红外变换光谱(FTIR)研究表明,改性后薄膜内存在大量的-CH3键,增强了薄膜的憎水性,可以有效抑制孔洞塌缩.用椭圆偏振光测试仪测量并计算了薄膜的介电常数和膜厚,并且研究了热处理温度对二者的影响,发现当热处理温度为350 ℃时薄膜厚度约为400 nm,此时介电常数有最低值1.66.

关键词: SiO2 , 低介电常数 , 分子模板

气敏材料纳米多孔WO3制备关键技术研究

何志巍 , 李春燕 , 张建军 , 王学进 , 周梅 , 祁铮

材料导报

归纳和总结了制备应用于气敏传感器的纳米多孔WO3薄膜的关键技术,论述了降低材料工作温度和提高灵敏度的多种途径,分析了其各自的利弊,重点介绍了溶胶-凝胶法制备的原理和方法,总结了其应用于制备传感器材料时所面临的问题,并展望了该方向的研究前景.

关键词: 纳米WO3 , 温度 , 灵敏度

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