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铜膜高去除速率CMP碱性抛光液的研究及其性能测定

李炎 , 孙鸣 , 李洪波 , 刘玉岭 , 王傲尘 , 何彦刚 , 闫辰奇 , 张金

表面技术

目的:探索适合于TSV技术的最佳CMP工艺。方法在碱性条件下,利用碱性FA/O型鳌合剂极强的鳌合能力,对铜膜进行化学机械抛光,通过调节抛光工艺参数及抛光液配比,获得超高的抛光速率和较低的表面粗糙度。结果在压力27.56 kPa,流量175 mL/min,上下盘转速105/105 r/min,pH=11.0,温度40℃,氧化剂、磨料、螯合剂体积分数分别为1%,50%,10%的条件下,经过CMP平坦化,铜膜的去除速率达2067.245 nm/min,且表面粗糙度得到明显改善。结论该工艺能获得高抛光速率。

关键词: 碱性研磨液 , 铜CMP , TSV技术 , FA/O型螯合剂 , 表面粗糙度

改性壳聚糖及其膜材料的制备与表征

李思诺 , 周宏勇 , 何彦刚 , 刘兵 , 刘建伟 , 王家喜

高分子材料科学与工程

以壳聚糖(CS)、亚磷酸和多聚甲醛为原料,制备N-亚甲基磷酸化壳聚糖(NPCS).利用红外光谱和核磁共振波谱表征其结构.CS和NPCS膜对Ca2+的络合性能表明,磷酸化改性的NPCS膜对Ca2+的络合能力大大提高,钙离子的行为与pH有关,络合量随pH值增加而增加,在pH为10时的络合过程符合一级动力学.X射线衍射分析表明磷酸化壳聚糖的结晶度下降,膦改性壳聚糖与Ca2+络合后结晶度提高.原子力显微镜和扫描电镜分析表明,NPCS膜表面较粗糙,有一些圆柱状突起,经钙化后NPCS膜的表面趋于平滑细腻,出现一定螺旋结构的树枝状网络突起,深度为275 nm,螺旋条纹间距约为200~400nm,这种螺旋状的枝权网络突起纵横交错在一起形成更厚更致密的覆盖层,使NPCS膜的表面平坦化.

关键词: 壳聚糖 , N-亚甲基磷酸化壳聚糖 , 络合 , X射线衍射 , 原子力显微镜

等离子体引发聚合2-甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵的研究

何彦刚 , 黎钢 , 杨超 , 杨芳 , 禹雪晴 , 白雪

高分子材料科学与工程

研究了等离子体引发聚合2-甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵(DMC).测定了不同放电时间与放电功率时反应室温度的变化方程,发现反应室温度变化是影响聚合产物P(DMC)性质的主要因素之一.反应室温度低于130 ℃,P(DMC)为线性,最高特性黏数为420.2 cm3/g;反应室温度为130 ℃~200 ℃,P(DMC)为交联性吸水树脂,吸水率为15 g/g.优化了线性产物的反应条件:放电时间60 s,放电功率60 W,此时反应室温度为80 ℃.并经计算验证了等离子体引发聚合DMC理论可行.

关键词: 等离子体引发聚合 , 反应室温度变化 , 2-甲基丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵 , 放电时间 , 放电功率

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