何建廷
,
庄惠照
,
薛成山
,
田德恒
,
吴玉新
,
刘亦安
,
胡丽君
,
薛守斌
功能材料
用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)在2θ=34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽为0.75°;傅里叶红外吸收(FTIR)在414.92cm-1附近出现了对应Zn-O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于370和460nm处的室温光致发光峰;扫描电子显微镜(SEM)和选区电子衍射(SAED)显示了薄膜的表面形貌以及晶格结构.利用PLD法制备了具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构ZnO薄膜.
关键词:
PLD
,
ZnO
,
薄膜
,
六方纤锌矿结构
庄惠照
,
何建廷
,
薛成山
,
张晓凯
,
田德恒
,
胡丽君
,
薛守斌
稀有金属材料与工程
在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜.通过对薄膜进行的X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)、光致发光谱(PL)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)的测量,研究了衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的结晶质量、发光性质以及微观结构的影响.发现在600℃的衬底温度下可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜.随着晶粒直径的减小,出现量子限制效应,在红外吸收和光致发光中的峰位均产生了蓝移.
关键词:
PLD
,
ZnO
,
薄膜
,
六方纤锌矿结构
庄惠照
,
高海永
,
薛成山
,
王书运
,
何建廷
,
董志华
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.01.031
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3 薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构.
关键词:
GaN纳米管
,
ZnO/Ga2O3薄膜
,
射频磁控溅射
,
氮化
何建廷
,
宿元斌
,
杨淑连
,
卢恒炜
功能材料
用脉冲激光沉积法(PLD)先在600℃的Si(111)衬底上沉积ZnO薄膜,然后用磁控溅射法再沉积GaN薄膜.直接沉积得到的GaN薄膜是非晶结构,将样品在氨气氛固中在850、900、950℃下退火15min得到结晶的GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)、光致发光谱(PL)和扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO缓冲层对GaN薄膜的结晶和形貌的影响.
关键词:
ZnO缓冲层
,
GaN薄膜
,
退火
,
结晶
