李彬
,
罗兵辉
,
何克坚
,
范文丽
中国有色金属学报(英文版)
doi:10.1016/S1003-6326(16)64382-0
通过内耗、高角环形暗场像扫描透射电子显微镜(HADDF-STEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术手段，研究两种不同Mg含量的冷变形Al?Mg?Si/SiCp复合材料的再结晶形核过程。实验结果表明，固溶态冷变形 Al?Mg?Si/SiCp复合材料中溶质原子与位错相联，形成溶质原子气团。在再结晶过程中，Mg 含量较高的复合材料中与位错相联的溶质原子气团的数量更多，对复合材料再结晶形核过程有更大的阻碍作用，因而Al?Mg?Si/3SiCp/2Mg复合材料的再结晶内耗峰峰温高于Al?Mg?Si/3SiCp复合材料的再结晶内耗峰峰温。
关键词:
铝基复合材料
,
再结晶
,
内耗
,
位错
,
显微组织
,
透射电镜
李祎
,
张祥凯
,
何克坚
,
杨续跃
中国有色金属学报
对高层错能的纯Cu和低层错能的Cu-30％Zn(质量分数)合金进行室温多向压缩变形及退火实验,并利用OM、SEM/EBSD、TEM技术及电子万能试验机对其在变形和退火过程中的晶粒细化情况和不同累积变形量(∑ε)后的拉伸力学性能进行观察和分析.结果表明:在多向压缩过程中,随着层错能的降低,铜合金的晶粒细化机制由传统的连续动态再结晶(cDRX)细化机制转变成孪晶分割晶粒细化机制.在变形过程中,两者的真应力-累积应变(σ-∑ε)曲线呈现稳态流变特征;当Σε＞2.4后,层错能较低的Cu-30％Zn合金仍存在缓慢的加工硬化,而纯Cu仅在Σε＜2.4阶段存在加工硬化.随着∑ε的增大,层错能较低的Cu-30％Zn合金晶粒细化比纯Cu的更加明显:当Σε=2.4时,Cu-30％Zn合金内部基本为细小的晶粒,这是由其内部的孪晶交叉、分割晶粒而形成;而纯Cu仅在局部出现细晶.随着∑ε的增大,Cu-30％Zn合金内部的畸变程度以及变形后的强度也远大于纯Cu的.经Σε=2.4多向压缩变形后,在退火过程中,层错能较低的Cu-30％Zn合金再结晶晶粒明显比纯Cu细小,这是由于其内部层错密度较大,再结晶形核点较多所致.
关键词:
铜合金
,
层错能
,
晶粒细化
,
孪晶
,
再结晶
