何健英
,
高克玮
,
乔利杰
,
褚武扬
金属学报
TiNi形状记忆合金在充氢时形成的氢致马氏体和氢化物可使合金的K IC明显下降, 相对损失高达96%, 但其氢致马氏体对K IC相对损失的贡献仅约1.8%,而且不随氢浓度而改变. 因此氢致K IC下降几乎全部归因于氢化物.氢化物引起的相对损失和氢化物的含量(质量分数, %)有关, 当充氢电流i>15 mA/cm 2时, 在氢化物处能产生微裂纹, 但微裂纹不会使断裂韧性进一步下降.
关键词:
TiNi
,
hydrogen
,
hydride
,
null
沈连成
,
何健英
,
宿彦京
,
褚武扬
,
乔利杰
金属学报
对Ni2MnGa铁磁形状记忆合金的缺口试样, 通过在微分干涉相衬显微镜下原位拉伸, 研究了裂纹形核、扩展和马氏体相变以及塑性变形的关系. 结果表明, 拉伸时首先形成马氏体, 当裂尖应力集中足够大时就会在裂尖产生局部塑性区, 微裂纹易于沿马氏体界面形核, 但也可在塑性区中形核. 随载荷升高, 微裂纹沿马氏体不连续形核, 通过韧带剪切连接, 从而导致裂纹扩展阻力也随裂纹扩展而增大.
关键词:
Ni2MnGa
,
Ni2MnGa
,
in situ tension
,
martensite
何健英
,
高克玮
,
乔利杰
,
褚武扬
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.03.013
TiNi形状记忆合金在充氢时形成的氢致马氏体和氢化物可使合金的KIC明显下降,相对损失高达96%,但其氢致马氏体对KIC相对损失的贡献仅约1.8%,而且不随氢浓度而改变.因此氢致KIC下降几乎全部归因于氢化物.氢化物引起的相对损失△KTiNiH IC/KIC和氢化物的含量(质量分数,%)WTiNiH有关,即△KTiNiH IC/KIC(%)=93(1-eWTiNiH/9.5).当充氢电流i≥15 mA/cm2时,在氢化物处能产生微裂纹,但微裂纹不会使断裂韧性进一步下降.
关键词:
TiNi
,
氢
,
氢化物
,
氢致马氏体
,
断裂韧性
何健英
,
高克玮
,
宿彦京
,
乔利杰
,
褚武扬
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2004.04.002
用单边缺口拉伸试样研究了TiNi形状记忆合金在恒载荷下动态充氢时的滞后断裂过程,以及原子氢、氢致马氏体和氢化物在氢致滞后断裂中所起的作用结果表明,TiNi合金能发生氢致滞后断裂,归一化门槛应力强度因子随总氢浓度对数的增加而线性下降,即KIH/KIC=2.01-0.25lnCT.在恒载荷动态充氢时氢化物含量不断升高,材料的断裂韧性不断下降,这是氢致滞后断裂的主要原因;而原子氢和氢致马氏体在氢致滞后断裂中所起的作用则极小.
关键词:
TiNi
,
氢致滞后断裂
,
原子氢
,
氢化物
,
氢致马氏体
钮萼
,
何健英
,
乔利杰
,
褚武扬
,
于敦波
,
李扩社
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.04.006
对(Tb,Dy)Fe2超磁致伸缩合金,用微分相衬显微镜原位研究了应力和磁场引起的畴变、卸载压痕裂纹在湿空气中的滞后扩展以及在湿空气中恒磁场引起的滞后畴变及滞后开裂.结果表明,当磁场大于门槛值Hth后就能使压痕裂纹发生瞬时扩展;在湿空气中,残余应力能使(Tb,Dy)Fe2发生滞后扩展,当裂纹止裂后,恒磁场(H＜Hth)能使磁畴发生滞后变化,并能使压痕裂纹进一步发生滞后扩展.
关键词:
(Tb,Dy)Fe2
,
畴变
,
恒磁场
,
滞后开裂
沈连成
,
何健英
,
宿彦京
,
褚武扬
,
乔利杰
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.08.006
对Ni2MnGa铁磁形状记忆合金的缺口试样,通过在微分干涉相衬显微镜下原位拉伸,研究了裂纹形核、扩展和马氏体相变以及塑性变形的关系.结果表明,拉伸时首先形成马氏体,当裂尖应力集中足够大时就会在裂尖产生局部塑性区,微裂纹易于沿马氏体界面形核,但也可在塑性区中形核.随载荷升高,微裂纹沿马氏体不连续形核,通过韧带剪切连接,从而导致裂纹扩展阻力也随裂纹扩展而增大.
关键词:
Ni2MnGa
,
原位拉伸
,
马氏体
,
裂纹形核
周庆军
,
何健英
,
郝小鹏
,
乔利杰
,
李金许
,
褚武扬
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.01.016
采用Vickers压痕法研究了非晶态Ni-P镀层在压痕作用下的塑性变形及氢对镀层塑性变形的影响.结果表明,在压痕作用下压痕周围和底部出现环形剪切带,压痕塑性区尺寸与压痕载荷的平方根成正比,氢可以促进局部塑性变形、降低镀层的屈服强度.
关键词:
Ni-P镀层
,
氢
,
压痕
,
塑性变形
