何作鹏
,
季振国
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.02.003
以醋酸镍为原料,用溶胶-凝胶法在石英衬底上制备了氧化镍薄膜,并利用X射线衍射、紫外-可见吸收谱对样品进行了表征.结果表明,当热处理温度低于800℃时,随着温度升高,石英衬底上生长的氧化镍薄膜的晶粒逐渐长大,其(200)面对应的衍射峰的强度增加,取向度提高.当热处理温度超过800℃后,晶粒尺寸不但不再增加,反而略有下降,同时,取向度也略有下降.因此就晶粒大小及取向度而言,最佳热处理温度为800℃,此时薄膜的晶粒尺寸最大,(200)取向度最高.紫外-可见吸收谱分析表明,氧化镍薄膜的禁带宽度也随着处理温度的变化而变化,其变化趋势与晶粒尺寸的变化正好相反,即禁带宽度在热处理温度为800℃时有极小值.纳米尺寸粒子中存在的量子约束效应可以说明这一变化趋势.
关键词:
氧化镍
,
薄膜
,
溶胶-凝胶
,
X射线衍射
,
紫外-可见吸收
季振国
,
赵丽娜
,
何作鹏
,
陈琛
,
周强
无机材料学报
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜. 主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响. 结果表明, 当In/Sn比较小
时, 薄膜为金红石结构的二氧化锡, 导电类型为n型; 当In/Sn比在0.06～0.25范围内且热处理温度T≥600℃时, 薄膜仍为金红石结构, 但导电类型转为p型的; 当In/Sn比超过0.3时,
薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成, 由于氧空位的存在, 薄膜又转变为n型. 因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜, In/Sn比不宜过低, 也不能过高. 热处理温度对薄膜的导电类
型也有影响, 对于In/Sn=0.2的薄膜, 温度低于550℃时薄膜为n型导电, 但当热处理温度高于550℃时, 由于In3+取代Sn4+, 因此薄膜为p型导电. 当热处理温度高于700℃
时, 薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3, 与此同时, 透射率在可见光范围内仍高达80%以上.
关键词:
铟锡氧化物
,
transparent conducting
,
spray pyrolysis
,
p-type doping
季振国
,
赵丽娜
,
何作鹏
,
陈琛
,
周强
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.01.035
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜.主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响.结果表明,当In/Sn比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In/Sn比在0.06～0.25范围内且热处理温度T≥600℃时,薄膜仍为金红石结构,但导电类型转为p型的;当In/Sn比超过0.3时,薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成,由于氧空位的存在,薄膜又转变为n型.因此要获得p型导电的铟锡氧化物薄膜,In/Sn比不宜过低,也不能过高.热处理温度对薄膜的导电类型也有影响,对于In/Sn=0.2的薄膜,温度低于550℃时薄膜为n型导电,但当热处理温度高于550℃时,由于In3+取代Sn4+,因此薄膜为p型导电.当热处理温度高于700℃时,薄膜中空穴浓度达到饱和数值为4×1018cm-3,与此同时,透射率在可见光范围内仍高达80%以上.
关键词:
铟锡氧化物
,
透明导电薄膜
,
p型导电
,
喷雾热解
