周岩
,
介万奇
,
何亦辉
,
蔺云
,
郭欣
,
刘惠敏
,
王涛
,
徐亚东
,
查钢强
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.07.028
通过红外透过成像研究了 Cd/Zn 气氛退火过程中 Cd0．9 Zn0．1 Te∶In 晶体内 Te 夹杂的密度及尺寸分布的演变.结果发现,Cd/Zn 气氛退火前,晶体中的 Te 夹杂密度分布比较均匀；退火后,晶体高温端近表面区域的 Te 夹杂密度较退火前提高了1个数量级,而晶体内部的 Te 夹杂密度则较退火前降低了1个数量级,且其密度沿温度梯度方向逐渐增加.退火前,晶体表面和内部的 Te 夹杂的直径主要分布在1~25μm；退火后,在晶体表面,直径＜45μm 的 Te 夹杂密度显著增大；而在晶体内部,直径＜5μm 和＞25μm的 Te 夹杂密度显著增大.导致这些现象的原因是退火过程中,Te 夹杂沿着温度梯度方向不断向晶体表面迁移,在迁移过程中尺寸相近的 Te 夹杂通过合并长大,尺寸相差较大的 Te 夹杂则以 Ostwald 熟化方式长大,并使小尺寸的 Te 夹杂更小.但由于熟化不充分,在 Ostwald 熟化长大过程中留下了很多尺寸＜5μm 的 Te 夹杂颗粒.
关键词:
CdZnTe
,
Cd/Zn 合金
,
退火
,
Te 夹杂
,
迁移机制
刘惠敏
,
王涛
,
何亦辉
,
周岩
,
张昊
,
徐亚东
,
查钢强
,
介万奇
人工晶体学报
基于缺陷化学理论,考虑到富Te的CdTe晶体中可能存在的点缺陷,建立了在Te气氛下退火时,热力学平衡态晶体中的点缺陷模型,其中包括Cd间隙(Cdi)、Cd空位(VCd)、Te间隙(Tei)和Te反位(TeCd).利用质量作用定律和伪化学平衡方程计算了富Te情况下本征CdTe晶体中的点缺陷浓度和费米能级.计算结果系统的揭示了点缺陷浓度、费米能级、Te压以及退火温度之间的关系,发现只有TeCd浓度足够大时才能对费米能级产生钉扎作用.
关键词:
缺陷化学
,
CdTe
,
点缺陷
,
费米能级
高俊宁
,
袁妍妍
,
何亦辉
,
于晖
,
仝俊利
,
王涛
,
介万奇
功能材料
采用场发射扫描电镜和X射线衍射技术研究了生长结束后的降温过程对以近空间升华法生长的CdZnTe薄膜形貌与结构的影响。分析了快速（炉冷，673K以上-8K／rain）和慢速（-2K／min）两种降温速率下获得的CdZnTe薄膜的结构与形貌，并考察了降温中是否阻断生长源向薄膜的传质的影响。结果表明，所得到的薄膜均为闪锌矿结构，降温时薄膜的持续生长将抑制晶粒在平面内铺展而使其棱角钝化的趋势，以较慢的速率降温和降温时阻断传质均有利于提高薄膜的致密度，降低粗糙度及薄膜的织构强度。
关键词:
Ⅱ—Ⅵ族半导体
,
CdZnTe薄膜
,
近空间升华
徐亚东
,
介万奇
,
王涛
,
俞鹏飞
,
杜园园
,
何亦辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00359
采用红外透过显微镜(IRTM)观察了不同条件下生长的CdZnTe晶体中微米级富Te颗粒. 结合实际生长条件分析了不同富Te颗粒的产生以及形态演化. 通过低温光致发光(PL)谱研究了CdZnTe晶体中杂质、缺陷的状态, 以及晶体的结晶质量, 并测试了相应晶体的电阻率. 归纳出不同富Te颗粒的产生与对应晶体10K温度下PL谱中特征发光峰之间的关系. 研究表明:富Te条件下生长的晶体存在圆形、六边形以及三角形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)峰强度占主导;按化学计量比生长的晶体存在十字交叉的富Te颗粒,PL谱中DAP峰强度占主导;Cd过量生长的晶体存在星形富Te颗粒, PL谱中(D0,X)半峰宽较宽.
关键词:
CdZnTe晶体
,
infrared transmission microscopy
,
Te-rich particles
,
PL spectra
徐亚东
,
何亦辉
,
王涛
,
查钢强
,
傅莉
,
介万奇
功能材料
采用未经准直能童为5.48MeV的241 Am α粒子,研究了温度在230-300K范围内,不同电场作用下CdZnTe晶体的脉冲响应信号,分析了载流子传输特性随温度变化的规律.对比了室温(298K)以及280K下探测器对241 Am@59.5keVγ射线的响应光谱.同时分析了1500V/cm电场作用下探测器漏电流随温.度的变化规律.研究表明,对于性能优异的CdZnTe晶体,载流子迁移率寿命积随温度变化较小.而对于存在de-trapping(去俘获)缺陷的CdZnTe样品,光生载流子在晶体中的传输会显著减缓,且随温度的降低,其对脉冲波形的影响加剧.而温度降低可以减少提高探测器的能量分辫率.
关键词:
CdZnTe
,
α粒子
,
脉冲响应光谱
,
载流子传输
,
漏电流
徐亚东
,
介万奇
,
王涛
,
俞鹏飞
,
杜园园
,
何亦辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00359
采用红外透过显微镜(IRTM)观察了不同条件下生长的CdZnTe晶体中微米级富Te颗粒.结合实际生长条件分析了不同富Te颗粒的产生以及形态演化.通过低温光致发光(PL)谱研究了CdZnTe晶体中杂质、缺陷的状态,以及晶体的结晶质量,并测试了相应晶体的电阻率.归纳出不同富Te颗粒的产生与对应晶体10 K温度下PL谱中特征发光峰之间的关系.研究表明:富Te条件下生长的晶体存在圆形、六边形以及三角形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)峰强度占主导;按化学计量比生长的晶体存在十字交叉的富Te颗粒,PL谱中DAP峰强度占主导;Cd过量生长的晶体存在星形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)半峰宽较宽.
关键词:
CdZnTe晶体
,
红外透过显微成像
,
富Te颗粒
,
PL谱
