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快速退火工艺条件下温度对Bi4Ti3O12铁电薄膜微观结构与性能的影响

王华 , 任鸣放

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2006.01.024

采用快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对薄膜微观结构、铁电特性及介电性能的影响.研究表明:退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响显著,对晶粒尺寸和表面形貌的影响较小,但退火温度超过800℃后会出现焦绿石等杂相;低于750℃时,薄膜的剩余极化随退火温度升高而增大,高于750℃时却有所减小,但矫顽电场随退火温度升高而逐渐降低;退火温度对薄膜的漏电流密度有一定的影响,薄膜的漏电流密度在200kV/cm极化电场作用下低于3×10-9A/cm2,750℃时的剩余极化和矫顽电场分别为11μC/cm2和77kV/cm,具有较好的铁电和介电性能.

关键词: Bi4Ti3O12 , 铁电薄膜 , 快速退火工艺

基于磁控溅射技术的ZAO透明导电薄膜及靶材的研究

肖华 , 王华 , 任鸣放

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.02.012

阐述用磁控溅射技术制备综合性能优良的ZAO透明导电薄膜及其靶材的发展现状和趋势.介绍了透明导电薄膜的基本性能及其存在的问题,进而重点阐述了ZAO薄膜的组织结构、导电机制和透光特性.由于其优良的光电特性(用掺杂Al2O3质量分数达3 %的溅射靶材可制备电阻率达4.7×10-4 Ω·cm、透射率超过90 %的ZAO薄膜)而具有广泛的应用前景.并针对靶材的制备和利用磁控溅射技术制备ZAO透明导电薄膜过程中存在的问题及发展方向进行了分析讨论.

关键词: 磁控溅射 , ZAO透明导电薄膜 , 溅射靶材 , 光电特性

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