任红
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娄大伟
,
曹雪玲
,
曲晓姝
,
芦菲
,
马秀娟
人工晶体学报
在水热条件下,硝酸锌和硝酸镉分别与1,2,4-三氮唑(trz)及二元脂肪酸(已二酸:H2adi;丁二酸:H2suc)反应,得到两个新型配位聚合物[Zn7 (adi)4 (trz)4(OH)2(H2O)2]n(1),{[Cd3(suc)(trz)2(H2O)8](NO)2}n(2).配位聚合物1中,二维层状结构由新型结构基元[Zn7(trzz)4]10+与己二酸根(adi)连接形成,再由己二酸根连接二维层形成三维网络结构.配位聚合物2为二维层状结构,每层内结构基元[Cd2(trz)2]2+通过镉离子的连接形成一维链[Cd3(trz)2]n4n+,丁二酸根在垂直方向上连接一维链,层层之间以错开方式沿b轴排列.
关键词:
配位聚合物
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1,2,4-三氮唑
,
二元脂肪酸
,
结构基元
张玉
,
雷天宇
,
任红
,
孙远洋
,
蔡苇
,
符春林
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.05.016
铁酸铋是目前发现的唯一的室温单相多铁性的材料，其禁带宽度较小，剩余极化强度较大，居里温度较高，在光电器件、自旋电子器件、铁电随机存储器、磁电存储单元等领域有着广阔的应用前景。但铁酸铋薄膜存在漏电流较大、磁电耦合性较弱等问题，制约了在实际中的应用。离子掺杂具有操作方便、易于实现薄膜的微结构及性能调控等优点，因而受到广泛关注。综述了国内外近年来关于铁酸铋薄膜电性能掺杂改性的相关工作，阐述了不同种类的掺杂，包括A位(三价镧系元素与二价碱金属元素)、B位(过渡金属元素等)以及AB位共掺杂，同时根据掺杂对铁酸铋薄膜的漏电流、铁电性以及介电性能的影响，对A位掺杂和B位掺杂中的元素进行了分类，系统总结了各类元素掺杂改性的效果及其机理。最后，提出了铁酸铋薄膜亟待解决的问题。
关键词:
铁酸铋
,
薄膜
,
漏电流
,
铁电性
,
掺杂改良
雷天宇
,
孙远洋
,
任红
,
张玉
,
蔡苇
,
符春林
表面技术
铁酸铋是唯一一种在室温下存在的单相多铁材料，因其具有较高的铁电居里温度、较大的剩余极化强度、较小的禁带宽度和多铁特性，受到国内外的广泛关注。溶胶-凝胶法是制备铁酸铋薄膜的一种常见方法。综述了近年来溶胶-凝胶法制备铁酸铋薄膜的研究进展，详细阐述了制备工艺参数(前驱液、退火温度、退火气氛、底电极)与掺杂对铁酸铋薄膜电性能的影响；分析了不同制备工艺导致薄膜电性能出现差异的原因；归纳、总结出了目前溶胶-凝胶法制备铁酸铋薄膜的较佳工艺条件；最后，指出了亟待解决的问题。
关键词:
铁酸铋
,
薄膜
,
溶胶-凝胶法
,
电学性能
