秦正平
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俞坚
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任树洋
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蔡传兵
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曹世勋
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任忠鸣
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张金仓
低温物理学报
通过磁场诱导技术,我们制备出具有织构化取向的MgB2超导体.样品X衍射图显示晶格参数发生变化,随着诱导磁场的增加晶格参数a逐渐递减;当诱导磁场达到10T将会导致晶格变形,影响晶粒尺度大小;分别对诱导磁场为2T、4T、6T、10T样品进行磁测量,可发现临界电流得到明显提高,并且不可逆场也有所提高,样品表现出磁各向异性.
关键词:
晶体生长
,
MgB2
,
磁各向异性
任树洋
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任忠鸣
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任维丽
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张金仓
,
池长昀
材料导报
临界电流是超导体载流能力大小的重要表征,论述了制备工艺、元素掺杂和物理场对MgB2超导体临界电流密度的影响.使用非晶态高纯硼粉制备致密的MgB2试样有利于样品临界电流密度的提高,添加SiC或者Ti也能起到提高临界电流密度的作用,质子照射使MgB2试样在高磁场条件下的临界电流密度增加,强磁场下烧结则有利于提高MgB2样品临界的传输电流密度.
关键词:
MgB2
,
制备工艺
,
元素掺杂
,
强磁场
任树洋
,
任忠鸣
,
任维丽
功能材料
先利用电阻加热真空蒸发法制备(101)和(002)优先取向的金属Zn薄膜,而后氧化处理制备ZnO薄膜.并对制备的ZnO薄膜进行了XRD,SEM,紫外-可见光吸收谱和光致发光(PL)分析.XRD结果显示制备的ZnO薄膜中有未完全氧化的金属Zn.吸收谱结果发现未完全氧化的ZnO薄膜具有强烈的紫外吸收.PL谱结果显示该法制备的ZnO薄膜具有很高的PL强度,而且(101)前驱金属膜制备的ZnO比(002)前驱金属膜制备的试样具有更高的PL强度.未完全氧化的Zn所形成的缺陷是PL强度较高的原因,SEM结果显示的ZnO薄膜表面粗糙度较大引起强烈的紫外吸收也是激发光强度高的原因之一.
关键词:
ZnO薄膜
,
光致发光性能
,
氧化
