闫会芳
,
赵庆勋
,
付跃举
,
刘卓佳
,
张婷
,
郭建新
,
任国强
,
刘保亭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.015
应用磁控溅射法制备Ni-Al和Pt薄膜,溶胶-凝胶法制备P(VDF-TrFE)铁电共聚物薄膜,在SiO2/Si(001)衬底上首次构架了Pt/P( VDF-TrFE )/Ni-Al异质结电容器.X射线衍射(XRD)结果表明:Ni-Al薄膜为非晶结构,P(VDF-TrFE)薄膜具有较好的结晶质量.研究发现,在20 Hz测试频率下,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器具有饱和的电滞回线,在90 V驱动电压下,剩余极化强度与矫顽场分别为7.6 μC/cm2和45.7 V.在外加电压为40 V时,薄膜的漏电流密度约为5.37×10-6A/cm2.漏电机制研究表明,Pt/P( VDF-TrFE )/Ni-Al电容器满足欧姆导电机制.铁电电容器经过109极化反转后没有发现明显的疲劳现象.
关键词:
P(VDF-TrFE)
,
铁电薄膜
,
非晶Ni-Al
,
溶胶-凝胶
任国强
,
邢金柱
,
李晓红
,
郭建新
,
代秀红
,
杨保柱
,
赵庆勋
功能材料
应用射频磁控溅射法在（001）Si衬底上制备了Cu（120nm）/Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）/Si异质结,借助原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）和四探针测试仪（FPP）等方法研究了Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/Ta/Ti-Al/Si异质结即使经受850℃高温退火后,样品的XRD图中也没有出现杂峰,表明样品各层之间没有发生明显的化学反应。相对于800℃退火的样品,850℃退火样品的表面均方根粗糙度急剧增大,同时方块电阻也增加了一个数量级,表明Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）集成薄膜在850℃时,阻挡性能完全失效。由于Ta和Cu之间存在良好粘附性以及Ti-Al强的化学稳定性,Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）集成薄膜在800℃以下具有良好的阻挡性能。
关键词:
Cu互连
,
阻挡层
,
Ta/Ti-Al
,
射频磁控溅射
任国强
,
唐章宏
,
郭红霞
,
汤云晖
,
王群
功能材料
纯铁粉在氨和氢的气氛中进行固气反应合成Fe3N和Fe4N粉状化合物.研究了氨气和氢气比例、温度以及时间对固气反应产物的影响,进而分别获得纯相粉状Fe3N和Fe4N化合物.利用矢量网络分析仪测试了Fe3N和Fe4N的磁导率和介电常数,并与市售铁氧体进行了比较.发现在1MHz～1GHz频段内,Fe3N和Fe4N的磁导率低于铁氧体,介电常数均高于铁氧体,且Fe4N的电磁性能优于Fe3N.
关键词:
Fe3N
,
Fe4N
,
工艺参数
,
磁导率
,
介电常数
