王圣来
,
李丽霞
,
胡小波
,
高樟寿
,
付有君
,
孙洵
,
李义平
,
曾红
功能材料
用X射线衍射和Raman光谱技术研究了KDP晶体165℃退火前后微观结构的变化.实验发现退火24h可以减小晶体生长过程中带来的晶格的畸变,提高了晶体的完整性,缩小晶体中键长和键角的变化范围,使晶体内应力得以部分释放.对于快速生长的晶体,退火的效果更加显著.
关键词:
热退火
,
KDP晶体
,
双晶X射线衍射
,
Raman光谱
王圣来
,
高樟寿
,
孔勇发
,
张存洲
,
付有君
,
孙洵
,
李义平
,
曾红
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.02.006
激光显微拉曼光谱对KDP晶体包裹体研究发现,相邻锥扇界附近的球形溶液包裹体串只有水溶液,而柱面扩展包藏和含高密度散射颗粒的KDP晶体都存在CO2和H2S等杂质分子.我们推断,柱、锥面包裹体成分的不同与晶体不同面的生长特征有关,CO2等杂质气体分子的存在是柱面包裹体和散射颗粒形成的原因之一.
关键词:
散射颗粒
,
拉曼光谱
,
包裹体
,
KDP晶体
王圣来
,
付有君
,
高樟寿
,
刘嘉民
,
李义平
,
曾红
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.017
电解质溶液的电导随浓度而变化,测量溶液电导即可推出溶液的浓度.为避免传统电桥法对测量溶液的影响,根据电磁感应的原理,设计制作了变压器型电导仪.受电磁屏蔽及电磁感应线性范围的限制,该电导仪只能在一定的测量范围使用.该电导仪在测量导电性良好的溶液时能获得较高的精度.适当调节电导仪的参数如线圈匝数、输入信号、信号频率和输出电阻等也可改变测量范围,提高相对测试精度.用该电导仪测量了KDP溶液的电导随浓度变化的关系,相对精度达0.6%以上.
关键词:
传感器
,
电导
,
溶液
,
KDP晶体
,
浓度
,
晶体生长
王圣来
,
付有君
,
孙洵
,
李义平
,
曾红
,
高樟寿
无机材料学报
用变压器型电导仪实现了ＫＤＰ晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制，测量精度±０．０３ｇ ＫＤＰ／１００ｇ Ｈ２Ｏ（±０．１０％相对过饱和度），控制精度与测量精度相当．过饱和度实时控制系统提供了一种方法，可以研究在不同工艺条件生长ＫＤＰ晶体时，过饱和度与晶体生长和性能的关系．用分析纯原料生长ＫＤＰ晶体，发现随着过饱和度的增大，晶体的生长速度加快，晶体的均匀性降低．过饱和度实时控制系统可以使ＫＤＰ晶体在相对恒定的过饱和度下生长，提高了晶体生长的均匀性，抑制了生长层和散射颗粒的产生，有利于提高晶体的光学透过率和光伤阈值．
关键词:
过饱和度
,
KDP crystal
,
automatic control
,
growth
王圣来
,
付有君
,
孙洵
,
李义平
,
曾红
,
高樟寿
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.01.006
用变压器型电导仪实现了KDP晶体生长过程中溶液的浓度和过饱和度的实时测量与控制，测量精度0.03g KDP/100g H2O(0.10%相对过饱和度)，控制精度与测量精度相当. 过饱和度实时控制系统提供了一种方法，可以研究在不同工艺条件生长KDP晶体时，过饱和度与晶体生长和性能的关系. 用分析纯原料生长KDP晶体，发现随着过饱和度的增大，晶体的生长速度加快，晶体的均匀性降低. 过饱和度实时控制系统可以使KDP晶体在相对恒定的过饱和度下生长，提高了晶体生长的均匀性，抑制了生长层和散射颗粒的产生，有利于提高晶体的光学透过率和光伤阈值.
关键词:
过饱和度
,
晶体质量
,
实时控制
,
电导
