刘红飞
,
程晓农
,
徐桂芳
,
张志萍
,
付廷波
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2007.01.002
以α-Al2O3为靶材,采用射频磁控溅射法制备了非晶Al2O3薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电镜、划痕仪、表面粗糙轮廓仪和阻抗仪研究了不同溅射功率和不同溅射气压对薄膜制备的影响,探索了不同溅射功率下制备的Al2O3薄膜的介电常数和介电损耗与频率的关系.试验结果表明,制备的非晶Al2O3薄膜表面平滑致密;随着工作气压的增加,薄膜沉积速率增加;随着溅射功率的增加,Al2O3薄膜的沉积速率和介电常数逐渐增加、介电损耗逐渐减小;随着频率的增加,Al2O3薄膜的介电常数逐渐减小,高频阶段趋于稳定.
关键词:
Al2O3薄膜
,
RF磁控溅射
,
沉积速率
,
介电损耗
,
介电常数
付廷波
,
程晓农
,
严学华
,
刘红飞
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2007.08.008
利用射频磁控溅射法在单晶硅片和石英基片上沉积了非晶态ZrW2O8薄膜,对不同温度下热处理的薄膜进行了XRD分析;用扫描电镜观察了薄膜的表面形貌,用阻抗分析仪和分光光度计分别研究了薄膜的介电性能和透光性能.结果表明:非晶态薄膜在740℃热处理3 min可以制得具有较好负热膨胀特性的ZrW2O8薄膜,其热膨胀系数为-2.54×10-5 /℃;介电常数和介电损耗均随着频率的增加而减小;在可见光范围内薄膜的透光率达75%.
关键词:
磁控溅射
,
ZrW2O8薄膜
,
热膨胀系数
,
介电性能
,
透光率
刘红飞
,
程晓农
,
张志萍
,
付廷波
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.01.015
用交替射频磁控溅射法在石英基片上沉积并退火制备了ZrW2O8薄膜,测量了薄膜与基片之间的结合力和薄膜厚度,研究了薄膜的负热膨胀特性.结果表明:用磁控溅射方法制备的薄膜为非晶态,表面平滑、呈颗粒状,在1200℃热处理3 min后得到立方相ZrW2O8薄膜,结晶薄膜的颗粒长大,薄膜与基片之间有良好的结合力.立方相ZrW2O8薄膜在15-200℃热膨胀系数为-24.81×10-6K-1,200-700℃热膨胀系数为-4.78×10-6K-1,平均热膨胀系数为-10.08×10-6K-1.
关键词:
无机非金属材料
,
钨酸锆
,
薄膜
,
磁控溅射
,
负热膨胀
