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混合磨料对LED用蓝宝石衬底CMP质量的影响

于江勇 , 刘玉岭 , 牛新环 , 李英的 , 夏显召

功能材料

分析了混合磨料在蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)过程中的作用机理,并对比了SiO2水溶胶磨料和SiO2与Al2O3混合磨料对蓝宝石衬底去除速率的影响.研究表明,在主磨料SiO2水溶胶中加入浓度为20mL/L同粒径纳米级的Al2O3可以使CMP过程中的化学作用与机械作用达到相互平衡,使抛光去除速率得到明显提高.在距抛光终点5~10min通过调整工艺参数与抛光液配比,使表面粗糙度由2.32nm降至0.236nm.

关键词: 蓝宝石衬底 , 化学机械抛光 , 混合磨料 , 去除速率

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