王艳丽
,
于春晓
,
邹景霞
,
李群艳
,
韦奇
材料导报
综述了提高微孔二氧化硅膜疏水性的方法以及微孔二氧化硅膜材料在氢气分离方面的应用.孔表面羟基是导致微孔二氧化硅膜亲水的主要原因,因此在溶胶-凝胶反应阶段用疏水基团来修饰溶胶,可以在最终材料的孔表面引入疏水基团,降低羟基浓度,从而提高其疏水性.修饰后的二氧化硅膜孔结构没有显著的变化,可以应用于氢气分离等领域.
关键词:
微孔SiO2膜
,
疏水性
,
氢气分离
王艳丽
,
韦奇
,
于春晓
,
李群艳
,
聂祚仁
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00949
在溶胶-凝胶反应过程中, 用乙烯基三乙氧基硅烷(TEVS)代替部分正硅酸乙酯(TEOS), 通过两者共水解缩合反应制备乙烯基修饰的SiO2膜, 并通过BET、TG、NMR、以及接触角测量仪对所制备的材料进行表征. 结果表明: 修饰后的二氧化硅膜仍保持微孔结构, 且孔径集中分布在0.5～0.7nm之间. 由于部分亲水表面羟基被疏水乙烯基团所代替, 乙烯基修饰的SiO2膜疏水性能得到明显提高, 并且随着TEVS加入量的增加, 疏水性能逐渐增强.
关键词:
二氧化硅膜
,
ethylene
,
pore structure
,
hydrophobic property
,
sol-gel process
王艳丽
,
韦奇
,
于春晓
,
李群艳
,
聂祚仁
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324x.2007.05.034
在溶胶-凝胶反应过程中,用乙烯基三乙氧基硅烷(TEVS)代替部分正硅酸乙酯(TEOS),通过两者共水解缩合反应制备乙烯基修饰的SiO2膜,并通过BET、TG、NMR、以及接触角测量仪对所制备的材料进行表征.结果表明:修饰后的二氧化硅膜仍保持微孔结构,且孔径集中分布在0.5～0.7 nm之间.由于部分亲水表面羟基被疏水乙烯基团所代替,乙烯基修饰的SiO2膜疏水性能得到明显提高,并且随着TEVS加入量的增加,疏水性能逐渐增强.
关键词:
二氧化硅膜
,
乙烯基
,
孔结构
,
疏水性能
,
溶胶-凝胶法
