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水介质中高浓度电解质离子对纳米氧化锆悬浮稳定性的影响

霍伟荣 , 刘家臣 , 王丽娟 , 于天来

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2004.04.005

研究了高浓度电解质离子对纳米ZrO2悬浮液稳定性的影响.对悬浮液及清液进行Zeta电位和吸光度测定,通过TEM分析,结果表明:加入大量的电解质后,纳米ZrO2的表面双电层受到压缩,ζ-电位几乎为零,只调pH值不能使纳米ZrO2悬浮起来;组成简单、分子量小的分散剂受电解质离子的影响,容易从颗粒表面脱落下来,起不到空间位阻的作用;结构复杂、分子量大的分散剂在高浓度的电解质溶液中起到很好的空间位阻作用.

关键词: 氧化锆 , 电解质离子 , 分散剂 , 吸附

影响凝胶注模成型SiAlON-SiC复相材料坯体性能的因素

卜景龙 , 李福燊 , 孙加林 , 巩甘雷 , 于天来 , 陈峰

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2004.02.008

选用Al粉、Si粉、SiO2等活性原料与较大颗粒的SiC,采用凝胶注模成型工艺制备了SiAlON-SiC复相耐火材料的坯体,并研究了有机单体、分散剂和引发剂的加入量以及催化剂、胶凝温度等因素对坯体性能的影响.最终,在有机单体AM加入量为1.8%(质量分数,下同),交联剂MBAM加入量为0.6‰,引发剂过硫酸铵溶液的最佳加入量为0.9%(体积分数),胶凝温度在60℃左右,不加催化剂的条件下,制备出了抗折强度达到32 MPa,密度为2.5 g·cm-3的均匀致密的SiAlON-SiC复相材料坯体.

关键词: SiAlON , SiC , 凝胶注模成型 , SiAlON-SiC复合材料 , 坯体

凝胶注模成型制备SiAlON-SiC材料料浆的流变特性

卜景龙 , 李福燊 , 孙加林 , 巩甘雷 , 于天来 , 陈峰

耐火材料 doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2004.01.010

以Al粉、Si粉、SiO2微粉和粗细两种粒度的SiC为原料,利用凝胶注模成型技术制备了SiA1ON与SiC的质量比为1:3的SiAlON-SiC材料,研究了其料浆的pH值、固相体积分数以及分散剂加入量、环境温度等因素对料浆流变特性的影响.结果表明:当原料料浆的球磨时间在80 min左右,pH值为8.5,固相体积分数为54%,分散剂加入量为0.6%(质量分数)时,该料浆的流变特性最佳.

关键词: SiAlON-SiC复合材料 , 凝胶注模成型 , 流变特性 , pH值 , 料浆

Al2O3/Y-TZP复相陶瓷的力学性能及耐磨性

李金有 , 汪玉松 , 于天来 , 杨正方

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2006.02.017

通过常压烧结制备了Al2O3/Y-TZP复相陶瓷,研究了Al2O3含量对材料力学性能及耐磨性的影响.体积分数为35%Al2O3的Al2O3/Y-TZP复相陶瓷具有相对高的韧性(12.5 MPa·m1/2)和较低的磨损率(9.2×10-6mm3/(m·N)).

关键词: Y-TZP , Al2O3 , Al2O3/Y-TZP , 力学性能 , 耐磨性

无铅BaTiO3基PTC陶瓷提高TC的研究

霍伟荣 , 曲远方 , 于天来

稀有金属材料与工程

研究了NBT的加入对BaTiO3基PTC陶瓷居里温度的影响.对试样进行了阻温特性测试,结果表明加入NBT能大幅度提高PTC陶瓷的居里温度,与原配方相比,加入0.1%NBT(摩尔分数,下同),居里温度就能提高10℃,加入1%的NBT,居里温度提高了近30℃.通过XRD衍射得到的晶格参数也证实了加入NBT能提高晶体的轴率c/a值,即试样的四方性提高,且c/a值随着NBT加入量的增加而增加.同时材料的PTC效应得到了改善,这是高温下挥发出来的Bi2O3和二次料中加入的MnO共同作用形成大量电子捕获中心的结果.

关键词: BaTiO3基PTC , NBT , 居里点温度Tc

无铅BaTiO3基PTC陶瓷提高TC的研究

霍伟荣 , 曲远方 , 于天来

稀有金属材料与工程

研究了NBT的加入对BaTiO3基PTC陶瓷居里温度的影响.对试样进行了阻温特性测试,结果表明加入NBT能大幅度提高PTC陶瓷的居里温度,与原配方相比,加入0.1%NBT(摩尔分数,下同),居里温度就能提高10℃,加入1%的NBT,居里温度提高了近30℃.通过XRD衍射得到的晶格参数也证实了加入NBT能提高晶体的轴率c/a值,即试样的四方性提高,且c/a值随着NBT加入量的增加而增加.同时材料的PTC效应得到了改善,这是高温下挥发出来的Bi2O3和二次料中加入的MnO共同作用形成大量电子捕获中心的结果.

关键词: BaTiO3基PTC , NBT , 居里点温度Tc

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