于乃森
,
郭丽伟
,
彭铭征
,
朱学亮
,
王晶
,
贾海强
,
陈弘
,
周均铭
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.01.004
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上GaN材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力.采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征,侧向外延区域显示了低的位错密度,具有较高的晶体质量.另外通过对不同生长区域的拉曼纵光学声子与等离子体激元形成的耦合模高频支进行拟合,结果显示侧向外延区域具有较低的背底载流子浓度.研究认为,由于采用图形衬底,侧向外延区域悬空生长降低了位错密度,同时侧向外延区域不与蓝宝石接触,因此采用该方法生长的GaN材料具有较低的压应力和较低的背底载流子浓度.
关键词:
氮化镓
,
金属有机化学气相沉积
,
微区拉曼光谱
刘振刚
,
于美燕
,
白玉俊
,
郝霄鹏
,
王琪珑
,
于乃森
,
崔得良
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.009
本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同.制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征.发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85%)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控.
关键词:
磷化镓
,
纳米晶
,
纳米棒
,
X射线衍射
,
关键因素
于乃森
,
苗雨
,
王勇
,
邓冬梅
,
刘东平
材料导报
采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层.高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si3N4.研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si3N4层也将促使AlN层呈岛状生长.
关键词:
金属有机化学气相沉积
,
氮化铝
,
非晶层
李玲
,
郝霄鹏
,
于乃森
,
徐现刚
,
崔德良
,
蒋民华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.004
低温(280℃)条件下,通过二甲苯中AlCl3和NaN3的反应制备出了AlN纳米微粒.700℃退火48h后,得到了纯的立方相AlN纳米晶.通过XRD、FTIR和定域电子衍射分析,验证了立方相AlN纳米晶的生成.经XRD和TEM分析,纳米晶的平均粒度约为3nm.色质联(GC-MS)检测结果显示,由于AlN纳米颗粒对二甲苯的催化作用,使二甲苯发生聚合和杂化环反应,得到了二联苯、萘、蒽、三甲基咔唑及咔唑胺等多环芳烃.作为对比实验,分别研究了NaN3和AlCl3对二甲苯的催化性能,发现没有多环芳烃的生成.
关键词:
AlN纳米晶
,
溶剂热合成
,
二甲苯
,
催化
李夏南
,
于乃森
,
曹保胜
,
丛妍
,
周均铭
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.06.002
研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响.通过微区拉曼光谱对应力进行了表征,结果显示,随着SiNx掩模淀积时间的增加,其上生长的GaN应力会相应地,释放.相应地,低温光致发光测试显示,施主束缚激子发光峰峰位出现明显的红移.我们认为,随着SiNx掩模淀积时间的增加,掩模覆盖度的增大,促进了侧向外延的生长,释放了压应力,进而影响了材料的光学性质.
关键词:
氮化镓
,
金属有机化学气相沉积
,
应力
,
原位氮化硅掩膜
