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沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响

刘保亭 , 武德起 , 闫正 , 乔晓东 , 赵庆勋 , 王英龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.016

采用磁控溅射法在(001)SrTiO3 基片上制备了LaNiO3氧化物薄膜,应用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等技术系统研究了沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响.结果表明在较低的生长温度和较宽的温度范围内(250～400℃)都能得到外延LaNiO3薄膜.输运性质的测量结果表明在其它条件不变的情况下,250℃温度下生长的LaNiO3薄膜具有最高的电导率.

关键词: LaNiO3 , 外延薄膜 , 磁控溅射