严辉
,
谭利文
,
宋雪梅
,
王波
,
陈光华
,
姚振宇
,
刘立明
,
程业浩
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.019
采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,随着衬底偏压的增大,吸收峰位于800cm-1附近Si-C键的数量增大.表明高能氩离子的轰击有利于立方相SiC(β-SiC)的形成.从傅立叶红外光谱SiC特征吸收峰的FWHM表明,采用分步偏压法制备的SiC薄膜,比采用一步偏压法制备的薄膜的质量好.从SEM测试结果表明,SiC薄膜均匀致密,表面比较光滑.同时,在不锈钢衬底上沉积了SiC薄膜,对其防氚性能的测试结果表明氚的渗透率显著下降.
关键词:
分步偏压
,
SiC
,
溅射氚渗透率
王必本
,
张兵
,
郑坤
,
郝伟
,
王国菊
,
王波
,
朱满康
,
严辉
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.022
利用等离子体增强化学气相沉积系统,用CH4、NH3和H2为反应气体,在沉积有100nm厚Ta过渡层和60nm厚NiFe催化剂层的Si衬底上制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构.结果表明当氨气浓度为20%、40%和60%时,碳纳米管的平均长度分别为3.88μm、4.52μm和6.79μm,而其平均直径变化不大,均在240nm左右.最后,分析讨论了氨气浓度对碳纳米管生长和结构的影响.
关键词:
碳纳米管
,
氨气浓度
,
生长速率
董国波
,
张铭
,
王玫
,
李英姿
,
李朝荣
,
李华
,
黄安平
,
严辉
人工晶体学报
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了Cu2O薄膜.系统研究了衬底温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响.XRD的结果显示,在所有衬底温度条件下均可得到单相的Cu2O结构,而且随着衬底温度由500 K升至800 K,薄膜表现出(111)择优取向的生长特点.电学和光学测试结果表明,室温电导率和光学带隙随着衬底温度的升高而增加,800 K制备的薄膜的带隙值最高约为2.58 eV.
关键词:
Cu2O薄膜
,
电导率
,
光学带隙
,
衬底温度
蔡志海
,
杜玉萍
,
谭俊
,
张平
,
赵军军
,
黄安平
,
许仕龙
,
严辉
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2005.01.003
运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼(c-BN)含量的影响进行了研究.采用傅立叶红外光谱(FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对c-BN薄膜进行了表征和分析.结果表明:300 W的射频功率是制备c-BN薄膜的最佳条件;当气体分压比Ar/N2=5:1时,制备的薄膜中c-BN含量相对最高;立方氮化硼的形成存在偏压阈值(约80 V),低于此偏压c-BN很难形成.拉曼光谱分析进一步确认了BN薄膜的晶相结构.AFM和XPS分析结果表明c-BN薄膜结晶良好,晶粒尺寸细小,具有很好的化学配比,B原子与N原子的含量比为1:l.
关键词:
立方氮化硼薄膜
,
射频磁控溅射
,
拉曼光谱分析
钟涛
,
侯育冬
,
朱满康
,
许宝春
,
唐剑兰
,
刘晶冰
,
汪浩
,
严辉
功能材料
以五氧化二铌(Nb2O5)为原材料通过络合反应合成了铌的前驱体溶液,并与醋酸铅(Pb(Ac)2),醋酸镍(Ni(Ac)2)混合,于200℃水热条件下进行预反应.水热预产物经进一步煅烧,成功获得了纯钙钛矿相PNN粉体.采用XRD和Raman分析,研究了水热时间,溶液pH值,煅烧温度等条件对PNN粉体相结构的影响,分析了粉体的相结构变化规律.结果表明,经过水热处理的粉体,在900℃煅烧后,形成具有钙钛矿结构PNN,特别是通过调整制备工艺,得到纯相的PNN粉体.
关键词:
钙钛矿相
,
PNN
,
Nb2O5
,
低温合成
邓金祥
,
陈浩
,
陈光华
,
刘钧锴
,
宋雪梅
,
朱秀红
,
王波
,
严辉
功能材料
研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立方氮化硼薄膜的成核机理和应用,具有重要的价值.本文用XPS对立方氮化硼薄膜表面进行研究,并对有关问题进行了讨论.XPS分析表明,立方氮化硼薄膜表面除了B、N外,还含有C和O.从XPS谱图计算得到含有立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.90,较接近于氮化硼的理想化学配比1:1;不含立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.86,离氮化硼的理想化学配比1:1较远.计算表明立方氮化硼薄膜的顶层六角相的厚度约为0.8nm.
关键词:
立方氮化硼薄膜
,
表面
,
X射线光电子能谱
李彤
,
刘盾
,
裴志军
,
王雅欣
,
孙守梅
,
马兴兵
,
冯立营
,
张铭
,
严辉
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.04.012
本文利用磁控溅射法通过改变衬底温度成功制备出La0.8Sr0.2 MnO3/TiO2异质P-N结.当衬底温度升高时,LSMO/TiO2异质PN结表现出相对较好的整流特性.这可能是由于衬底温度的升高导致氧气吸收的增加,进而导致载流子浓度增大,串联电阻降低.电流电压的变温特性曲线显示随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于能带结构模型与热激活模型共同决定.值得提出的,异质P-N结结电阻随温度变化曲线呈现出单层LSMO表现的金属绝缘相变特性,并且在低测量温度时表现出随着测量温度的降低结电阻增大,这可能是由于宽带隙的TiO2的引入导致.
关键词:
异质结
,
整流特性
,
庞磁阻
王波
,
王玫
,
张德学
,
黄安平
,
宋雪梅
,
邹云娟
,
严辉
功能材料
采用磁控反应溅射方法,在Si(100)衬底上沉积c-BN薄膜.研究了溅射气压和沉积时间对薄膜结构的影响.结果表明.随溅射气压的升高或沉积时间的增加,都是削弱荷能粒子对衬底表面的轰击效果,并导致薄膜中c-BN相含量的减小.
关键词:
立方氮化硼
,
薄膜
,
红外光谱
杜永胜
,
王波
,
许仕龙
,
于敦波
,
李彤
,
严辉
,
张深根
功能材料
利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结构.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响;利用Rutherford背散射(RBS)分析了LSMO/SMO间的界面情况.结果表明:以SMO作为单一缓冲层时,不仅可以实现LSMO薄膜在Si(100)衬底上的(110)面的择优生长,而且LSMO/SMO的界面扩散现象也不明显.
关键词:
LSMO薄膜
,
SMO缓冲层
,
择优取向生长
,
界面扩散
杜永胜
,
王波
,
许仕龙
,
于敦波
,
李彤
,
严辉
,
张深根
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.06.001
利用磁控溅射方法在(100)Si衬底上首先生长SrMnO3(SMO)作为缓冲层,再沉积得到了(110)择优取向生长的La0.8Sr0.2MnO3(LSMO)薄膜.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响.结果表明:当沉积温度为600℃时,增加缓冲层SMO的厚度,LSMO薄膜的取向性变好;当缓冲层SMO厚度为45 nm时,LSMO薄膜基本具有(110)取向生长的特征.进一步的工作证实:提高沉积温度,能够显著增加SMO缓冲层的晶粒大小,并减少LSMO薄膜择优取向生长所需的缓冲层厚度;当沉积温度为800℃时,由于类退火作用的存在,厚度为10 nm的SMO缓冲层就可以实现LSMO薄膜择优取向的生长.
关键词:
LSMO薄膜
,
SMO缓冲层
,
择优取向生长
