张有为
,
万里
,
程新红
,
王中健
,
夏超
,
曹铎
,
贾婷婷
,
俞跃辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11663
采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜, 研究了Al2O3成核机理. 原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明, 沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况, 物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键, 物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性. 在适当的温度窗口(100~130℃), Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上, AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm, X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明, 120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5. 拉曼光谱分析表明, 采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.
关键词:
石墨烯; 原子层沉积; Al2O3薄膜
张有为
,
万里
,
程新红
,
王中健
,
夏超
,
曹铎
,
贾婷婷
,
俞跃辉
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.11663
采用水基原子层沉积(H2O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al2O3介质薄膜,研究了Al2O3成核机理.原子力显微镜(AFM)对Al2O3薄膜微观形态分析表明,沉积温度决定着Al2O3在石墨烯表面的成核生长情况,物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al2O3成核的关键,物理吸附水分子的均匀性直接影响Al2O3薄膜的均匀性.在适当的温度窗口(100～130℃),Al2O3可以均匀沉积在石墨烯上,AFM测得Al2O3薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm,X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明,120℃下在石墨烯表面沉积的Al2O3薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5.拉曼光谱分析表明,采用H2O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量.
关键词:
石墨烯
,
原子层沉积
,
Al2O3薄膜
徐大朋
,
万里
,
程新红
,
何大伟
,
宋朝瑞
,
俞跃辉
,
沈达身
稀有金属材料与工程
研究了阻挡层Al2O3对应变SiGe上HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响.高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在700℃温度下退火后仍然是非晶的.散能X射线谱(EDS)分析表明,阻挡层抑制了Si原子在HfO2薄膜中的扩散.X射线光电子谱(XPS)测试表明,阻挡层抑制了界面处HfSiO和GeO的x生长.电学测试分析说明,带有阻挡层的MIS电容的电学性能得到提高,包括60Coγ射线辐射后较高的电容密度、较低的缺陷密度、以及较小的平带电压漂移.
关键词:
HfO2
,
Al2O3
,
60Coγ射线辐射
胡祖麒
,
万里
,
吴树森
,
朱鹏
中国有色金属学报
研究压铸AlMg5Si2Mn合金的电化学腐蚀、晶间腐蚀和腐蚀疲劳机理.结果表明:合金的自腐蚀电位和点蚀电位分别为-1220和-690mV,钝化区间约为530mV,说明合金的耐腐蚀性能良好.合金的晶间腐蚀倾向明显,这主要是由于Mg2Si相自腐蚀电位较低,且(Al+Mg2Si)共晶区的体积分数较大(29.6％).电化学腐蚀反应和Mg2Si自身溶解产生的氢元素导致疲劳试样表面发生阳极溶解,加速了疲劳裂纹的萌生,从而显著降低了合金的疲劳寿命.腐蚀疲劳试样的裂纹主要是沿晶界扩展.氢元素也导致合金塑性下降,造成应力腐蚀开裂.
关键词:
铝合金
,
压力铸造
,
腐蚀疲劳
,
极化
,
断口形貌
李美春
,
邓运来
,
唐建国
,
万里
,
张新明
机械工程材料
采用拉伸试验、硬度和残余应力测试等方法研究了固溶保温时间对6061铝合金中厚板力学性能和表面残余应力的影响;采用光学显微镜、透射电镜、X射线衍射仪对其组织和织构进行观察分析;在单滑移晶体塑性模型基础上,以Schmidt因子为桥梁计算分析了板材织构组态对力学性能和残余应力的影响规律.结果表明:固溶时间从2h延长到4h,该中厚板在厚度方向的组织更加均匀,表层和心部各织构的取向密度差异更小,厚度方向的力学性能更均匀,表面残余应力更小;固溶保温时间导致淬火残余应力变化原因是固溶保温会影响织构变化,从而引起Schmidt因子加权平均值的变化.
关键词:
铝合金中厚板
,
固溶时间
,
残余应力
,
织构
熊创贤
,
邓运来
,
万里
,
张新明
中国有色金属学报
采用光学金相(OM)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)和织构材料(ODF)分析等研究7050铝合金热轧板在逐级升温固溶过程中微结构与织构的演变.结果表明:在固溶温度不超过490 ℃的条件下,板材中长条形再结晶晶粒平行于轧向分布,固溶板材与热轧板材的织构组态相似,均含有少量{001}<100>织构,晶粒取向主要聚集在β-取向线和α-取向线上;具有{124}<211>和{112}<111>取向的形变长条形组织由于回复和连续再结晶使其取向逐渐趋同,取向密度增强;最后经(475 ℃, 12 h)处理的样品中残留有Al2CuMg和Al7Cu2Fe相;而经(490 ℃, 4 h)处理的样品中,Al2CuMg相全部溶入基体,Al7Cu2Fe相仍然存在.
关键词:
7050铝合金
,
固溶
,
微结构
,
织构
,
再结晶
晋坤
,
邓运来
,
周亮
,
万里
,
张新明
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2011.5.004
采用光学显微及透射电子显微、维氏硬度、拉伸力学性能、电导率测试等技术,研究了试验6156铝合金的人工时效与蠕变时效强化规律与微观组织特征.结果表明,在本文试验的温度(155～175℃)-应力(0～200MPa) -时间(8～14h)范围内,采用不同制度的人工时效和蠕变时效样品的力学性能相差不大,但蠕变时效的析出相数量增多、尺寸变小,力学性能与电导率指标均呈升高趋势.蠕变时效过程中,蠕变第一阶段变形量占总变量的85％以上,增加蠕变应力对蠕变第一阶段变形量的影响十分明显.该合金蠕变时效温度与应力对强度峰值影响不明显,但显著影响蠕变变形量,适合于构件蠕变时效成形.
关键词:
人工时效
,
蠕变时效
,
微观组织
,
力学性能
王立东
,
王中健
,
程新红
,
万里
功能材料与器件学报
本文对具有不同的栅源双场板结构的p-GaN栅HEMT器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了分析.仿真结果显示:栅源复合场板结构能改善栅场板边缘的电场峰值,在源极场板边缘产生一个新的峰值,可使器件的击穿电压提高到1365V;间断栅场板与源场板复合结构,能在场板间隙位置产生新的电场峰值,更充分的利用漂移区耐压,使其击穿电压值达到1478V;栅源复合间断场板结构能缓解源场板对栅间断处电场峰值的抑制作用,器件击穿电压提高到最大值1546V.
关键词:
AlGaN/GaN异质结
,
高迁移率晶体管(HEMT)
,
复合场板
,
电场峰值
,
击穿电压
龚海亮
,
刘伟庆
,
万里
,
余轶
材料科学与工程学报
纤维增强复合材料泡桐木夹层梁在使用过程中不可避免地会遭受各种各样的低速冲击作用而发生损伤,直接影响其剩余承载性能,本文假定泡桐木芯材在低速冲击作用下,会发生分层连续屈曲破坏,同时结合理想弹塑性地基理论,建立了泡桐木夹层梁相应的界面分层损伤数值模型.基于该模型,以塑性变形为参数计算了低速冲击时最大接触力的大小,并与试验结果相对比,误差在合理范围之内.
关键词:
低速冲击
,
泡桐木夹层梁
,
分层损伤
,
最大冲击接触力
陈愿情
,
邓运来
,
万里
,
晋坤
,
肖政兵
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2012.01.015
通过金相显微、透射电子显微、电子拉伸和剥落腐蚀实验研究了7050铝合金板材蠕变时效与人工时效的微结构及性能.结果表明:蠕变时效过程中施加的应力使板材不断产生变形,为η ′析出相提供了大量形核点,析出相尺寸更加细小,特别是晶界无沉淀带较人工时效明显变窄,晶界析出相不连续.与人工时效相比,蠕变时效试样的抗拉强度和抗剥落腐蚀性能略有提高.
关键词:
7050铝合金
,
蠕变时效
,
微结构
,
力学性能
,
剥落腐蚀
