黄桂文
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曾晓荣
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梁兵
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万群
稀土
doi:10.3969/j.issn.1004-0277.2001.02.007
本文研究了La、Ce、Pr、Nd四组份串级萃取Ce/Pr分离时有效分离系数在槽体中的变化规律，推导了该类体系有效分离系数的函数表达式，提出了四组份两出口工艺设计的有效分离系数模型。该模型简化并优化了多组份稀土萃取的理论设计，克服了多组份体系各参量变化时进行工艺设计的盲目性，从本质上符合了串级分馏萃取体系的实际。生产实践表明，该模型设计的工艺参数可靠、优化，指导工艺参数调整，同样的萃取设备，处理能力提高了57.82%，酸、氨耗分别下降了47.44%和38.79%，结果令人满意。
关键词:
稀土
,
串级萃取分离
,
分离系数
,
工艺设计
董国全
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万群
,
陈坚邦
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.018
本文以卢瑟福离子背散射技术 (RBS) 检测了半绝缘GaAs (100) 化学机械抛光表面的微损伤状况,并以α台阶仪测量了抛光表面的粗糙度.研究了以胶体SiO2和NaOCl溶液的混合液对GaAs进行化学机械抛光方法中主要工艺条件对表面质量的影响.把RBS法同X射线双晶衍射法对表面损伤的测量结果进行了比较,二者对应得很好.通过逐层腐蚀与RBS相结合测定了抛光过程造成的损伤层的厚度,发现如果抛光条件不适宜,获得的晶片表面尽管目视光洁度很好,也还有一定厚度的损伤层. RBS法测得好的非掺半绝缘GaAs (100) (由LEC法生长) 抛光表面散射粒子最低产额低达3.1%,这样的晶片用腐蚀法未发现有损伤层.
关键词:
抛光
,
砷化镓晶片表面
,
表面损伤
,
卢瑟福背散射
