万小涵
,
张广清
,
John Sharp
,
Oleg Ostrovski
,
俞乐
有色金属工程
doi:10.3969/j.issn.2095-1744.2015.04.003
碳热还原/氮化合成氮化硅在1 450～1 650℃、氮气分压700～1 100 kPa下进行.非晶二氧化硅与石墨粉末以n(C)/n(SiO2)=4.5比率混合、压片.样品中的氧、氮、碳含量通过LECO元素分析仪测得.反应物和生成物中各物质组成通过XRD定性分析.结果表明,通过增加氮气分压,氮化硅的稳定温度升高,二氧化硅的还原速率随着温度升高而变大.碳化硅的生成仍无法避免.与常压下的碳热还原/氮化反应一致,高压下的碳化硅和氮化硅的生成亦为连续反应.
关键词:
高压
,
Si3N4稳定性
,
连续反应
