赵国栋
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朱世富
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赵北君
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万书权
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陈宝军
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何知宇
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王莹
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龙勇
人工晶体学报
采用DTA对不同铟含量(x)的AgGa1-xInxSe2多晶熔化和结晶温度进行了测试.结果表明:随着x值的增加其过冷度增大.采用改进的垂直布里奇曼法和实时补温技术,对AgGa1-xInxSe2晶体生长过程中的结晶特性和生长温度场关系进行了研究,并对其结晶形态进行了观测.发现:随着晶体生长过程的进行,熔体结晶温度呈下降趋势,固-液界面发生移动;生长晶体表面存在外形规则、形状相同的半球状小孔,有取向一致的台阶反光面,小孔底部为{112}面.研究结果为大尺寸、高质量的AgGa1-xInxSe2单晶体生长奠定了基础,生长出了尺寸达20 mm×60 mm的完整AgGa1-xInxSe2单晶体.
关键词:
AgGa1-xInxSe2
,
晶体生长
,
布里奇曼法
,
生长习性
,
实时补温技术
范文娟
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邹敏
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常会
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霍红英
,
万书权
材料热处理学报
利用磁控溅射法在FTO玻璃上制备了SnS薄膜.采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和紫外可见分光光度计对不同溅射参数下制备的SnS薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性能进行研究,确定出制备SnS薄膜的最优溅射参数.结果表明:溅射功率为28 W,沉积气压在2.5 Pa时,制备出的SnS薄膜在(111)晶面具有最好的择优取向,薄膜微观形貌呈单片树叶状,晶粒粒径约370 nm,晶粒分布均匀,薄膜表面光滑致密;最优溅射参数下制备的SnS薄膜的吸收系数可达到105 cm-1,比其他方法制备的SnS薄膜的吸收系数值高,禁带宽度为1.48 eV,与半导体太阳能电池所要求的最佳禁带宽度(1.5 eV)十分接近.
关键词:
磁控溅射
,
SnS薄膜
,
溅射参数
,
禁带宽度
许建华
,
赵北君
,
朱世富
,
陈宝军
,
何知宇
,
万书权
人工晶体学报
结合差示扫描量热曲线(DSC)和相图确定出热处理的温度范围.分别在真空和AgGa1-xInxSe2(x=0.2,0.6,0.8)多晶粉末包埋下,对ASGa0.4In0.6Se2晶体进行了热处理实验,分析了热处理对晶体性能的影响.结果表明:用x=0.6和0.8的多晶粉末包埋,在680℃下保温120 h后再淬火处理的晶片,其红外透过率在550～5500 cm-1波数范围内整体提高到65%以上,光学质量显著提高;EDX和XRD分析表明,采用AgGa0.2In0.8Se2多晶粉末包埋,能够补充晶片中的In缺失,成分更接近AgGa0.4In0.6Se2化学计量比,同时晶片结晶质量也得到明显改善.
关键词:
AgGa1-xInxSe2
,
热处理
,
红外透过率
,
热分析
,
光学质量
,
结晶质量
