钱家骏
,
叶小玲
,
徐波
,
韩勤
,
陈涌海
,
丁鼎
,
梁基本
,
刘峰奇
,
张金福
,
张秀兰
,
王占国
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.027
介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究.器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器.室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88%,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出.
关键词:
InAs/GaAs应变自组装量子点材料
,
量子点激光器
,
电致发光谱(EL)
,
MBE外延生长
吴益文
,
丁鼎
,
华沂
,
胥成民
,
夏雷
,
毛协民
上海金属
doi:10.3969/j.issn.1001-7208.2007.04.005
通过使用差热分析(DSC),X衍射仪(XRD),物性测量仪(PPMS)和透射电镜(SEM)等设备对进口商用Fe-Si-B非晶条带的结构及性能进行了详细检测和分析.条带晶化过程中没有明显的玻璃转变吸热过程,且会发生二次晶化.随着晶化程度的增加,晶化衍射斑会越来越明显,磁性能基本无变化,但是韧性降低,脆性增加.
关键词:
Fe-Si-B非晶条带
,
淬火
,
软磁性
,
晶化
