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低位错ZnSe单晶的生长

张旭 , 李卫 , 张力强 , 丁进 , 王坤

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.041

采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2.对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过率超过70%,在10.6μm处的吸收系数为7.72×10-4/cm.

关键词: ZnSe单晶 , 化学气相输运 , 位错密度

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