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Ba_0.9Sr_0.1TiO₃薄膜的椭偏光谱研究

阳生红 , 李辉遒 , 张曰理 , 莫党 , 田虎永 , 罗维根 , 蒲兴华 , 丁爱丽

用椭偏光谱仪首次在光子能量为２．１～５．２ｅＶ的范围内，测量了不同热处理温度下Ｂａ_０．９Ｓｒ_０．１ＴｉＯ_３（ＢＳＴ）薄膜的椭偏光谱，建立适当的拟合模型，并用Ｃａｕｃｈｙ色散模型描述ＢＳＴ薄膜的光学性质，用最优化法获得了所有样品的光学常数（折射率η和消光系数κ）谱及禁带能Ｅ_ｇ．比较这些结果，初步得到了ＢＳＴ薄膜的折射率η、消光系数κ和禁带能Ｅ_ｇ随退火温度变化的变化规律．

关键词: 椭偏光谱 , optical constant spectra , BST films

Ba0.9Sr0.1TiO3薄膜的椭偏光谱研究

阳生红 , 李辉遒 , 张曰理 , 莫党 , 田虎永 , 罗维根 , 蒲兴华 , 丁爱丽

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.02.018

用椭偏光谱仪首次在光子能量为2.15.2eV的范围内，测量了不同热处理温度下Ba0.9Sr0.1TiO3(BST)薄膜的椭偏光谱.建立适当的拟合模型，并用Cauchy色散模型描述BST薄膜的光学性质，用最优化法获得了所有样品的光学常数(折射率n和消光系数k)谱及禁带能Eg.比较这些结果，初步得到了BST薄膜的折射率n、消光系数k和禁带能Eg随退火温度变化的变化规律.

关键词: 椭偏光谱 , 光学常数谱 , BST薄膜

直流磁控反应溅射制备IrO₂薄膜

王世军 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 何夕云 , 罗维根

无机材料学报

为研究氧化依（ＩｒＯ_２）对ＰＺＴ铁电薄膜疲劳性能的影响，利用直流（ＤＣ）磁控反应溅射（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工艺成功地在ＳｉＯ_２／Ｓｉ（１００）衬底上制得了高度取向的ＩｒＯ_２薄膜．并在其上制成ＰＺＴ铁电薄膜．讨论了溅射参数（溅射功率、Ａｒ／Ｏ_２比、衬底温度）以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响．

关键词: 氧化铱薄膜 , DC magnetron reactive sputtering , thermal annealing

PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷的制备及性能研究

仇萍荪 , 郑鑫森 , 程文秀 , 何夕云 , 丁爱丽

功能材料

采用热压通氧烧结工艺制备PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷材料,系统地研究了不同的La含量(x=0.08～0.10)对PLZT陶瓷透过率的影响,当x=10时,材料的透过率达到68%.测试了不同的La含量下的PLZT透明陶瓷材料的电滞回线.用法拉第磁光调制法测量了不同的La含量的PLZT(x/65/35)透明铁电材料在电场下的双折射△n,△n随La含量的增加而下降.

关键词: PLZT透明陶瓷 , 铁电性 , 透过率 , 电光系数

水基溶胶-凝胶法制备Ba_0.5Sr_0.5TiO₃薄膜及其介电性能研究

齐兵 , 何夕云 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 陈先同 , 罗维根

无机材料学报

本文研究了一种以水为溶剂的Ba_0．5Sr_0.5TiO₃（BST）液体源溶液，并用Sol－Gel技术制备出BST薄膜，实验中，对水基BST液体源浓缩凝胶进行了DTA／TGA分析，XRD谱分析显示，BST膜呈现纯钙钛矿相结构．从SEM电镜照片可以看到，BST薄膜厚度均匀一致，650℃热处理20min后，晶粒大小为200nm左右．性能测试结果表明，介电性能与膜厚有关，厚度为1250A的BST薄膜具有较优良的介电性能，当测试频率为1kHz时，介电常数为330，介电损耗为0.043左右．

关键词: 钙钛矿 , null , null , null

Mn掺杂(K _0.5 Na _0.5 ) _0.96 Sr_0.02 NbO₃无铅压电陶瓷的研究

刘涛 , 丁爱丽 , 何夕云 , 郑鑫森 , 仇萍荪 , 程文秀

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00469

采用常压烧结方法制备了Mn掺杂的(K _0.5 Na_0.5) _0.96 Sr _0.02 Nb _1-x Mn _x O ₃无铅压电陶瓷. 研究了Mn含量对该体系材料的相组成、微观结构、介电、压电和热稳定性能的影响. XRD表明随着Mn含量的增加, 体系由正交相过渡到赝四方相; 而且, 富Na的第二相消失, 得到纯净的钙钛矿相结构. 在Mn含量为x=0.03和0.04时, 观察到了两个温度(200和390℃)处的介电反常, 这和晶格畸变引起的复晶胞结构有关. Mn含量为x=0.02时, 得到综合性能优良的压电超声换能器用材料: 介电常数ε^T₃₃/ε₀=479, 压电常数d₃₃=121pC/N, 机电耦合系数 K_p=41%, 机械品质因子Q_m=298, 介电损耗tanδ=1.6%, 居里温度T_c=391℃, 谐振频率f_r和机电耦合系数K_p随温度的变化率α_fr(80℃)和α_Kp (80℃)分别为-1.85%和1.19%.

关键词: 无铅 , piezoelectric ceramics , dielectric , transducer

SrTiO3衬底上溅射法外延生长PLZT薄膜

仇萍荪 , 程文秀 , 何夕云 , 郑鑫森 , 丁爱丽

功能材料

用射频磁控溅射法在SrTiO3衬底上外延生长PLZT薄膜,研究了不同的溅射工艺对薄膜生长速率的影响,探讨了不同的后期热处理条件与薄膜取向度的关系.在SrTiO3衬底上成功制备出外延生长的、厚度达1.5μm的PLZT薄膜.

关键词: SrTiO3衬底 , PLZT膜 , 溅射条件 , 外延生长

溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响

曾晟 , 丁爱丽 , 仇萍荪 , 何夕云 , 罗维根

无机材料学报

采用射频磁控溅射工艺，在（111）Pt／Ti／SiO₂／Si衬底上用PZT（53／47）陶瓷靶制备铁电薄膜．用快速光热退火炉对原位沉积的薄膜进行RTA处理．薄膜的相结构由XRD确定．通过改变氩气和氧气的比例以及衬底温度，研究了溅射气氛和衬底温度对PZT铁电薄膜结构的影响．实验表明，在不同的溅射气氛和衬底温度条件下，薄膜会经历不同的相变过程．用RT66A标准铁电测试设备测量了薄膜的铁电性能，在外加电压为5V时，P_r=14.6μC／cm²，E_c＝82．gkV／cm．

关键词: 射频磁控溅射 , null , null , null

锰对改善 CaBi₄Ti₄O₁₅高温压电陶瓷性能的研究

顾大国 , 李国荣 , 郑嘹赢 , 曾江涛 , 丁爱丽 , 殷庆瑞

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00626

采用固相法制备了Mn改性的CaBi₄Ti₄O₁₅(CBT+x mol% MnCO₃)层状压电陶瓷. 介电温谱显示所有样品居里点在780℃附近, 并且发现该材料在110K处有一介电弛豫峰. Mn的加入显著降低了高温下的介电损耗, 剩余极化轻微降低, 室温介电常数从173减小到162, 同时机械品质因子由2700增加到4400, 显示了硬性掺杂的效果. 在100~600℃范围内, x=1.0的样品比纯组分的电阻率提高了一个数量级以上, 500℃的电阻率提高了约2个数量级(10⁸Ω·cm), 电阻率对温度的Arrhenius拟合由两段过渡到三段, 压电系数d₃₃由7提高到14.5. 实验结果表明, Mn改性的CBT在高温传感器等领域具有应用前景.

关键词: 压电陶瓷 , Mn-modified , resistivity , CaBi₄Ti₄O₁₅

铌锰锆钛酸铅压电陶瓷烧结行为的研究

李宝山 , 朱志刚 , 李国荣 , 殷庆瑞 , 丁爱丽

无机材料学报

运用XRD、SEM、TEM、XPS等实验手段,研究了烧结温度对0.05PMnN-0.95PZT (PMnN—PZT)压电陶瓷微观结构、压电性能及锰元素价态的影响.实验结果显示:随烧结温度的降低平均晶粒尺寸减小,四方度也随之减小;机电耦合系数(k_p)随烧结温度的升高而提高, 而机械品质因子(Q_m)却呈波浪状变化. XPS及TEM实验分析证明:PMnN—PZT陶瓷在烧结过程中出现明显的液相烧结和成分偏离,低温烧结诱导了Mn²⁺的出现,产生更多的氧空位,从而使低温烧结下的样品Q_m值不致降低.

关键词: 铌锰锆钛酸铅 , sintering temperature , valency of Mn , oxygen vacancies

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Ba_0.9Sr_0.1TiO₃薄膜的椭偏光谱研究

Ba0.9Sr0.1TiO3薄膜的椭偏光谱研究

直流磁控反应溅射制备IrO₂薄膜

PLZT(x/65/35)透明铁电陶瓷的制备及性能研究

水基溶胶-凝胶法制备Ba_0.5Sr_0.5TiO₃薄膜及其介电性能研究

Mn掺杂(K _0.5 Na _0.5 ) _0.96 Sr_0.02 NbO₃无铅压电陶瓷的研究

SrTiO3衬底上溅射法外延生长PLZT薄膜

溅射工艺参数对PZT铁电薄膜相变过程的影响

锰对改善 CaBi₄Ti₄O₁₅高温压电陶瓷性能的研究

铌锰锆钛酸铅压电陶瓷烧结行为的研究

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