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三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究

周勇 , 丁文 , 曹莹 , 商干兵 , 周志敏 , 高孝裕 , 余先育

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.03.004

采用MEMS技术在玻璃基片上制备了三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,在1~40 MHz范围内研究了FeNi/Cu/FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性.当磁场Ha施加在薄膜的长方向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应.在频率为5MHz时,巨磁阻抗效应在磁场Ha=800 A/m时达到最大值26.6%.巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关.另外,当磁场施加在薄膜的短方向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应,在频率5 MHz、磁场Ha=9600 A/m时,巨磁阻抗效应可达-15.6%.

关键词: 巨磁阻抗效应 , 三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜 , MEMS技术

弯曲型三明治结构FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜巨磁阻抗效应研究

张亚民 , 陈吉安 , 丁文 , 周勇 , 王明军 , 高孝裕 , 周志敏

功能材料

利用磁控溅射方法及微细加工技术制备了弯曲型三明治结构的FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1~40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明弯曲型三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应高于它的传统的多层膜.在频率10MHz、磁场11.94kA/m下巨磁阻抗效应达-50%.

关键词: 巨磁阻抗 , FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB , 三明治薄膜 , 弯曲型结构 , 微细加工

薄膜厚度对多层膜巨磁阻抗效应的影响研究

周勇 , 丁文 , 陈吉安 , 高孝裕 , 王明军 , 张亚民

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.006

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在100kHz~40MHz范围内研究了FeSiB薄膜厚度对FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应的影响.当磁场施加在薄膜的纵向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应.当FeSiB薄膜的厚度为1.8μm时,在频率3.2MHz、磁场2.4kA/m时,多层膜巨磁阻抗效应达最大值13.5%;在磁场为9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-9.2%.然而,当FeSiB薄膜的厚度为1μm时,多层膜的巨磁阻抗效应在频率40MHz、磁场1.6kA/m时达最大值5.8%.另外,当磁场施加在薄膜的横向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应.对于膜厚为1.8μm的FeSiB薄膜,在频率5.2MHz、磁场9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-12%.可见巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及FeSiB薄膜的厚度有关.

关键词: 巨磁阻抗效应 , 非晶FeSiB薄膜 , FeSiB/Cu/FeSiB多层膜 , 薄膜厚度

夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究

商干兵 , 周勇 , 余先育 , 丁文 , 周志敏 , 曹莹

功能材料

采用MEMS技术在玻璃基片上制备了夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,并在1~40MHz范围内研究了它的巨磁阻抗效应.纵向巨磁阻抗效应先随着外加磁场的增大而迅速增加,在某一磁场下达到最大值后随磁场的增加而逐渐减小.在频率为5MHz时,Hext为0.8kA/m时巨磁阻抗效应最大值达到32.06%.另外,夹心结构多层膜表现出较大的负巨磁阻抗效应,在频率5MHz,Hext=9.6kA/m时,负最大巨磁阻抗效应可达-24.50%.

关键词: 巨磁阻抗效应 , 夹心结构FeNi/Cu/FeNi多层膜 , MEMS技术

微桥试验法评价薄膜力学性能的研究

周志敏 , 周勇 , 丁文 , 曹莹 , 陈吉安 , 杨春生

功能材料

提出了弹性极限和小挠度极限的概念,对微桥在不同长度、厚度以及可能的弹性模量和残余应力范围内的变形行为进行了表征,提出基于弹性、小挠度极限来选择微桥尺度,并确定实验载荷及小挠度范围的方法,解决了微桥样品尺度以及载荷、挠度范围选择的问题.对两组挠度-载荷实验曲线的分析表明了该方法的可行性.

关键词: 微桥试验 , 力学性能 , 固态薄膜

曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构应力阻抗效应研究

陈吉安 , 茅昕辉 , 赵晓昱 , 丁文 , 曹莹 , 周勇

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.04.005

采用磁控溅射法在玻璃基底上制备了曲折状FeSiB/Cu/FeSiB三层膜结构,在1~40MHz范围内研究了FeSiB膜和Cu膜厚度对三层膜结构应力阻抗效应的影响.结果表明:高频下三层膜的应力阻抗效应随着其形变的增加近似线性增加,在自由端弯曲变形1mm、外加电场频率为25MHz时,应力阻抗效应达到-18.3%,在力敏传感器方面具有广阔的应用前景.

关键词: 应力阻抗 , FeSiB/Cu/FeSiB三层膜 , 磁控溅射 , 曲折状

三层微桥法测量金属薄膜力学性能的研究

周志敏 , 周勇 , 曹莹 , 丁文

功能材料

提出了单层微桥法厚度极限的估算方法,并提出在单层NiFe薄膜微桥法测试基础上,对厚度不适于单层微桥法的Cu薄膜,采用Cu/NiFe/Cu 3层微桥法来测量其力学性能.采用MEMS技术加工了NiFe和Cu/NiFe/Cu微桥,采用纳米压痕仪测量了其载荷-挠度关系,实现了对Cu薄膜力学性能的测量.

关键词: 微桥实验 , 微机电系统 , 金属薄膜 , 力学性能

Sol-Gel制备Ba1-x Srx TiO3系铁电薄膜的介电、调谐性能*

丁文 , 丁永平 , 孟中岩

功能材料

用sol-gel工艺制备Ba1-x Srx TiO3系铁电薄膜(1-x=0.3,0.5~0.9).实验证实,在制备溶胶过程中,提高加热温度能有效增加BST薄膜的介电调谐百分率.室温下,100kHz,各组分薄膜的介电常数(ε)和介电调谐百分率(Tunability%)均呈现较高的值.其中,Ba0.8 Sr0.2 TiO3的介电常数和调谐百分率达到最大分别为:678和39%,比国际上同类文献报道的数据高.BST的ε-E曲线呈良好的单值函数关系.介电温谱出现明显宽化,调谐曲线峰值点对应的温度较居里温度低20~30℃,本文并对上述现象作出解释.

关键词: BST薄膜 , sol-gel , 调谐特性

镁基材料摩擦磨损的研究进展

张莉 , 王渠东 , 丁文

材料导报

主要综述了近年来镁基材料(包括镁合金和镁基复合材料)摩擦磨损的研究状况,总结了合金元素对摩擦磨损的影响,对比分析了触变成形、压铸和金属型铸造镁合金的摩擦磨损,研究了各种镁基复合材料的摩擦磨损,同时总结了表面改性对镁基材料摩擦磨损的影响.

关键词: 摩擦磨损 , 镁合金 , 成形方式 , 镁基复合材料 , 表面改性

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