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Ni52Mn26Ga22薄膜的马氏体相变和磁电阻

丁娟 , 赵韦人 , 符史流 , 於元炯

金属功能材料 doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2006.03.001

用电子束蒸发方法制备了多晶NiMnGa薄膜.用Ni52Mn26Ga22合金作靶材,衬底为<111>取向的单晶硅抛光面.沉积时衬底温度为773K.电子束蒸发在本底真空3×10-3Pa中进行.X射线衍射图谱表明薄膜在室温下为奥氏体相.电阻随温度的变化关系表明薄膜的马氏体相变开始温度约在256K,且相变滞后较小.在室温下的奥氏体具有正的磁电阻效应,在1T磁场下磁电阻为0.06%.马氏体的磁电阻很小,这种差异来源于电子结构的不同.

关键词: 马氏体相变 , 薄膜 , 磁电阻

熔盐中的镁热还原法合成制备SiC粉体的研究

丁娟 , 王周福

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.036

在氩气中,以纳米SiO2、炭黑为原料,金属镁粉为还原剂,在NaCl,KCl等熔盐中发生还原反应及硅碳反应制备出SiC粉体.研究了温度、熔盐的种类等条件对合成SiC粉体的影响.通过X衍射分析仪、场发射扫描电镜、激光粒度仪、比表面积分析仪等对合成的SiC粉体进行了表征.结聚表明,800℃时已有SiC粉体生成;选用KCl为熔盐在1000℃时合成了D50为1.057 μm,比表面积54.88m2/g的高纯SiC粉体.

关键词: SiC , 镁热还原 , 熔盐 , 粉体

YbyCo4Sb12/Yb2O3热电复合材料的高温稳定性研究

丁娟 , 刘睿恒 , 顾辉 , 陈立东

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2014.13261

采用高温熔融/热处理并结合SPS烧结工艺制备了Yb名义组分为0.6的YbyCo4Sb12/Yb2O3填充方钴矿复合材料,纳米或亚微米Yb2O3颗粒主要分散在方钴矿晶界上.研究了873 K下低氧分压高温处理对样品的热电性能与微结构的影响.热处理后样品的电导率、赛贝克系数、热导率基本保持不变,块体材料内部纳米与亚微米尺度微观结构未发生明显变化,未发现填充方钴矿结构中的Yb元素的“大量逸出”与氧化,材料的高温ZT值保持在1.2左右.TEM观察发现YbyCo4Sb12填充方钴矿晶粒内存在大量的位错,由位错产生的内应力有可能对Yb离子从晶格孔洞的逸出以及Yb离子和O离子的扩散产生阻碍作用,从而抑制了在高温低氧分压下YbyCo4Sb12的内氧化,使得高Yb含量的YbyCo4Sb12/Yb2O3复合材料的高温稳定性比低Yb含量填充方钴矿材料更佳.

关键词: 热电转换 , 方钴矿 , 纳米复合 , 结构演化

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