刘耀
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陈曦
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张小祥
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刘晓伟
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李梁梁
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丁向前
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郭总杰
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袁剑峰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153005.0784
最终关键尺寸是评价薄膜晶体管液晶显示器产品性能的一项重要参数。本文研究了在光源照度变化的条件下得到准确的最终关键尺寸的方法。通过大量的实验测试、数据分析，并配合扫描电子显微镜(SEM)图片，确定最终关键尺寸合适的测试条件和方法。基于上述分析，选取测量值稳定的光照强度区间中心点的光照强度作为标准样品参照值，选取此时样品测试图片作为标准图片。测试结果与 SEM 结果进行对比，得到不同膜层测量值和真实值之间的补偿值。并通过不同尺寸产品的数据收集和分析来验证补偿值的可靠性。通过上述方法，可以极大地缩短最终关键尺寸测量的校正周期，并为今后新产品开发提供可靠的测试标准。
关键词:
最终关键尺寸
,
测试方法
,
扫描电子显微镜
,
补偿值
白金超
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王玉堂
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郭总杰
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丁向前
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袁剑峰
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邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153003.0432
研究了过孔接触电阻变化规律，并进行机理分析，为优化薄膜晶体管的过孔设计提供依据。首先，运用开尔文四线检测法对不同大小、形状、数量的钼/铝/钼结构的栅极和源/漏层金属与氧化铟锡连接过孔的接触电阻进行测试。然后，通过扫描电子显徽镜、能量色散 X射线光谱仪和聚焦离子束显徽镜对过孔内部形貌进行表征。最后，对过孔接触电阻变化规律进行机理分析。实验结果表明：过孔面积越大，接触电阻越小；过孔面积相同时，长方形过孔的接触电阻小于正方形过孔的接触电阻，多小孔的接触电阻小于单大孔的接触电阻，栅极金属与氧化铟锡的过孔接触电阻小于源/漏层金属与氧化铟锡的过孔接触电阻。为了降低钼/铝/钼与氧化铟锡连接过孔的接触电阻，过孔面积尽可能最大化，采用长方形过孔优于正方形过孔，多小过孔优于单大孔设计，同时优化过孔刻蚀工艺，减少过孔内顶层钼的损失。
关键词:
薄膜晶体管阵列工艺
,
接触电阻
,
过孔设计优化
