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CSD-La3TaO7薄膜外延生长行为

王耀 , 李成山 , 于泽铭 , 冯建情 , 金利华 , 王辉 , 张平祥

稀有金属

研究CSD技术制备La3TaO7 (LTO)缓冲层过程中前驱液的热分解行为以及热处理工艺对薄膜取向生长的影响,通过选取恰当的LTO前驱液以及快速升温热处理的方法最终获得了良好c轴织构的LTO薄膜.

关键词: 涂层导体 , 缓冲层 , 化学溶液沉积

集装箱用SM490YA钢的试验研究

宋育来 , 陈吉清 , 陈邦文 , 刘静 , 刘志勇 , 胡敏

钢铁研究

研究了集装箱用SM490YA钢板的力学性能、工艺性能、微观组织结构等.采用气体保护焊对钢板进行焊接性能试验评价,并对钢的强韧化机理进行初步探讨.结果表明,SM490YA钢板不仅性能稳定,不存在明显的各向异性,易于成型,而且钢板焊接性能优良,是制造集装箱的理想钢板.

关键词: 集装箱钢 , 力学性能 , 工艺性能 , 焊接性能 , 微观组织

Two-step magnetization in a spin-chain system on the triangular lattice: Wang-Landau simulation

Physical Review B

The Wang-Landau algorithm is used to study the thermodynamic and magnetic properties of triangular spin-chain system based on two-dimensional Ising model in order to understand the magnetic-order dynamics in Ca(3)Co(2)O(6) compound. The calculated results demonstrate that the equilibrium state of the rigid spins produces the two-step magnetization curve at low temperature even when the random-exchange term is considered. This work indicates that the four-step magnetization behavior observed experimentally must be due to the nonequilibrium magnetization.

关键词: calcium compounds;exchange interactions (electron);Ising model;magnetisation;thermodynamics;one-dimensional ca3co2o6;density-of-states;compound ca3co2o6;phase-diagram;proteins;crystal

Bi3+,Eu3+,Tb3+掺杂Lu3TaO7的发光性能研究

刘文鹏 , 张庆礼 , 杨华军 , 周鹏宇 , 孙敦陆 , 高进云 , 谷长江 , 罗建乔 , 王迪 , 殷绍唐

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.02.018

采用固相反应法制备了Bi3+、Eu3+、Tb3+掺杂的Lu3TaO7.测量了样品的X射线衍射谱、激发和发射光谱及荧光衰减曲线.三种离子掺杂的Lu3TaO7均呈现出强的荧光发射,其中Bi3+具有峰位在431 nm处的一强发射宽带,衰减寿命为16.8μs,Eu3+、Tb3+则表现出稀土离子的特征锐发射峰,衰减寿命分别为1.26 ms和1.20 ms.因此,它们均是具有潜在应用前景的重闪烁体材料.

关键词: 材料 , 闪烁体 , Lu3TaO7 , 发光

掺杂稀土的xSrO.yA12O3系长余辉发光材料的制备及其光学性能

林元华 , 张中太 , 张枫 , 唐子龙 , 吕霄 , 郑子山

功能材料

利用SrCO3-A12O3-RE(NO3)3(RE:Eu,Dy)粉体为原料,加入少量酒精,进行预混合、球磨、干燥.将此混合粉体在还原气氛下高温烧成,最终制得不同发光性能的xSrO.yAl2O3:RE(RE:Eu,Dy)光致发光材料,并对其性能进行了研究.发光粉体的发射光谱表明,随着A12O3/SrO(摩尔比x)的增加,其相应粉体发射光谱的主峰位置(λE)逐渐向短波方向移动,符合λE=531.018-23.028X关系式.余辉衰减曲线表明,这些发光材料均具有一定的长余辉特性.从而说明只要控制一定的Al2O3/SrO比例,即可获得发光颜色为紫色到绿色的多种发光材料.对于其长余辉机制,认为是加入的Dy3+起到了陷阱能级的作用,它将部分空穴俘获,并在热扰动下,慢慢将空穴释放出来,并再次与介稳态Eu1+复合发光,从而达到延长余辉的作用.

关键词: 长余辉 , 发光材料 , 发射光谱 , 空穴

Interfacial diffusion in Cu with a gradient nanostructured surface layer

Acta Materialia

A graded microstructure was produced in the surface layer of a pure Cu sample by means of surface mechanical attrition treatment (SMAT) [Wang K, Tao NR, Liu G, Lu J, Lu K. Acta Mater 2006;54:5281.]. The diffusion behavior of (63)Ni in such a surface layer was investigated by the radiotracer technique at temperatures <438 K. It is shown that the effective diffusivity in the top 10 mu m surface layer is more than 2 orders of magnitude higher than that along conventional high-angle grain boundaries (HAGB) in Cu of similar purity. The diffusion rate increases gradually with increasing depth up to 30-50 mu m, and then decreases with further increasing depth. The enhanced diffusivities reveal higher-energy states of various interfaces in the SMAT surface layer. The excess free energy of HAGB in this layer is estimated to be similar to 30% higher than that of conventional grain boundaries. An apparent retardation of the effective diffusion rate in the top 25 mu m surface layer is induced by tracer leakage into numerous twin-boundary-like interfaces, while the gradual decrease in interface excess free energy correlates with the observed decrease in diffusivity in the subsurface layer at depths exceeding 50 mu m. (C) 2009 Acta Materialia Inc. Published by Elsevier Ltd. All rights reserved.

关键词: Nanostructured material;Surface mechanical attrition treatment;Diffusion;Grain boundaries;Twin boundaries;grain-boundary diffusion;mechanical attrition treatment;severe;plastic-deformation;nanocrystalline copper;self-diffusion;nickel;alloys;bulk;temperatures;segregation

一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性

季振国 , 周荣福 , 毛启楠 , 霍丽娟 , 曹虹

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(~3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.

关键词: 透明半导体薄膜 , antimony-tin oxide , PN junction

一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性

季振国 , 周荣福 , 毛启楠 , 霍丽娟 , 曹虹

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(~3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.

关键词: 透明半导体薄膜 , 锡锑氧化物 , PN结

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