Y.H. He
,
B. Y. Huang
,
Y. Liu and Y.X. Liu (Powder Metallurgy Research Institute
,
Central South University of Technology
,
Changsha 410083
,
China)
金属学报(英文版)
The effects of a new technology, multi-step thermo-mechanical treatment, on the microstructure, deformation substructure and mechanical properties at ambient and elevated tempemture of can-forged Ti-33 Al-3 Cr-0.5Mo (wt%) Alloy were investigated.The results show that, after multi-step thermo-mechanical treatment of can-forged specimens, homogeneous, fine microstructures can be obtained in the whole TiAl-based alloy specimens. Furthermore, the specimen with homogeneous and fine full lamellae microstructure demonstrutes excellent comprehensive mechanical properties at ambient and elevated temperature.
关键词:
TiAl-based alloy
,
null
,
null
谢莎
,
邓爱红
,
王康
,
王玲
,
李悦
,
王勇
,
汪渊
材料研究学报
用磁控溅射方法制备纳米多晶钨膜,采用x射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),弹性反冲探测(ERD)和慢正电子束分析(SPBA)等手段研究了在高能He+和H+依次对其辐照后He相关缺陷对H滞留的影响.结果表明,注He+钨膜在退火后从β型钨向α型钨转变；钨膜中的He含量随着退火温度的提高而减少,在873 K退火加剧钨膜中He原子的释放,且造成钨膜空位型缺陷的增加和结构无序度的提高；钨膜中的H滞留总量随着He滞留总量的减少略有下降.
关键词:
金属材料
,
磁控溅射钨膜
,
慢正电子束分析
,
H
,
He
王卓
,
刘昌龙
硅酸盐通报
H和He离子联合注入单晶Si可以促使其表面产生发泡、剥落和层离等表面损伤,由此引发了一种有效地制备SOI材料的新方法,即智能剥离技术.文章简述了H和He离子注入单晶Si在随后的热处理过程中引起表面损伤的机理,探讨了注入条件变化对表面损伤的影响,提出了该领域存在的关键问题并介绍了智能剥离技术在现代半导体技术中潜在的应用前景.
关键词:
H和He离子联合注入
,
表面损伤
,
智能剥离
,
单晶Si
丁兆勇
,
孙保民
,
刘远超
,
许秉浩
人工晶体学报
在用热解火焰法合成碳纳米管(carbon nanotubes, CNTs)过程中,CO、H2和He流量对产物种类以及CNTs的产量、结构、管径、管长等有显著影响.为了确定CO、H2和He流量的具体影响,通过固定其他实验条件,仅改变CO、H2和He流量,用扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率透射电子显微镜(HR-TEM)对合成的产物进行表征,分析得到合成CNTs较好的CO、H2和He流量分别为0.4 L/min,0.3 L/min和0.2 L/min.
关键词:
碳纳米管
,
流量
,
热解火焰
,
SEM
,
TEM
何鸿
,
韦龙明
,
张寿庭
,
高阳
,
徐毅
黄金
doi:10.3969/j.issn.1001-1277.2009.08.003
八卦庙金矿床石英流体包裹体中3He/4He 值为0.026～0.736 Ra,其中一组为0.026～0.028 Ra,另一组为0.221～0.736 Ra;40Ar/36Ar值为296～1 102;石英包裹体水的H、O同位素组成δD为 - 117.9 ‰～ - 53.38 ‰,δ18OH2O为 - 3.07 ‰～13.30 ‰.He、Ar、H、O同位素比值显示,成矿流体第一阶段印支期为地壳来源,第二阶段燕山期为壳幔混合来源,但地壳来源仍占主要部分.
关键词:
八卦庙金矿床
,
成矿流体
,
He、Ar、H、O同位素
谢波
,
翁葵平
,
侯建平
,
夏修龙
,
李毅
,
古梅
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.20.030
氢同位素在分子筛上的吸附分离行为是一重要的科学及工程基础问题.针对He/H2/HD与5A分子筛这一体系,综合应用Langmuir-Freundlich吸附等温线方程、空隙填充吸附模型和理想吸附溶液理论,初步描述了He/H2/HD体系在5A分子筛上的吸附分离行为.结果表明:在忽略He吸附的情况下,采用不同方式获得H2/HD体系的吸附等温线虽有差异,但趋势一致;在相同温度下,5A分子筛中每种组分的饱和吸附量是相同的,与组分种类无关;分离因子的计算结果显示,低温循环色谱法分离浓缩H2/D2体系、HD/D2体系和HT/H2体系是完全可行的.
关键词:
吸附
,
分离
,
分子筛
,
氢同位素
佟振峰
,
戴勇
,
杨文
,
杨启法
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2011.00208
利用散裂中子源模拟聚变环境辐照F82H铁索铁/马氏体钢,辐照温度为150-450℃,辐照剂量为6.1-20.2 dpa.对不同温度和剂量辐照后样品的微观结构进行了TEM观察,结果表明,当辐照温度高于208℃,辐照剂量高于9.5 dpa,He浓度高达680×10-6时的样品中存在尺寸约为1.6 nm的高密度He泡.分析了辐照剂量、温度以及嬗变He浓度对F82H钢微观结构的影响.
关键词:
低活度铁索体/马氏体钢
,
辐照
,
离位损伤
,
He泡
胡义华
,
刘美希
,
陈丽
,
王小涓
,
储焰南
,
曹德兆
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.04.008
本文在流动余辉装置上,研究了亚稳态He(23S)原子与N2H4分子碰撞传能,观察到了激发态产物NH(A3II→X3∑+)、NH(c1II→a1△)、NH2(A2A1→X2B1)的发射光谱,由相对光谱强度求得了形成各产物的通道比;分析NH(A3II,v＇=0)的转动分辨谱的结果表明,v＇=0能级上的转动布居是"双模”分布,激发态产物NH(A)、NH2(A)的形成机理可能是: He(23S)+N2H4→N2H4*→NH(A)+NH2(A)+H.
关键词:
碰撞传能
,
化学发光
,
NH(A3Ⅱ)的发射光谱
ZHANG Lei WANG Peixuan TAO Rong MA Ruzhang ZHANG Guoguang University of Science and Technology Beijing
,
Beijing
,
China professor
,
Department of Materials Physics.University of Science and Technology Beijing.Beijing 100083
,
China
金属学报(英文版)
Nucleation and growth of He bubbles at different annealing temperatures T≤1023 K in stain- less steels HR-2 and SS321,implanted with He~+(40-70 keV.1×10~(16)-6× 10~(17) He~+/cm~2),were ohserved under TEM.T=0.45T_m seems to be a transition temperature.The He bubbles continue mainly their nucleation at 0.3T_m< T<0.45T_m,and grow predominantly at T≥0.45T_m,due probably to migration and coalescence by surface diffusion of metal atoms around the bubbles.The apparent activation energies for the growth are found to he 0.41 and 0.31 eV for HR-2 and SS321 respectively.The bubble density in HR-2 is greater than that in SS321 within whole measuring temperature range,and the onset temperature of rapid swelling is also higher.It is believed that the resistance of HR-2 to He is superior to that fo SS321.
关键词:
stainless steel
,
null
,
null
,
null
,
null
