ZHANG Lei WANG Peixuan TAO Rong MA Ruzhang ZHANG Guoguang University of Science and Technology Beijing
,
Beijing
,
China professor
,
Department of Materials Physics.University of Science and Technology Beijing.Beijing 100083
,
China
金属学报(英文版)
Nucleation and growth of He bubbles at different annealing temperatures T≤1023 K in stain- less steels HR-2 and SS321,implanted with He~+(40-70 keV.1×10~(16)-6× 10~(17) He~+/cm~2),were ohserved under TEM.T=0.45T_m seems to be a transition temperature.The He bubbles continue mainly their nucleation at 0.3T_m< T<0.45T_m,and grow predominantly at T≥0.45T_m,due probably to migration and coalescence by surface diffusion of metal atoms around the bubbles.The apparent activation energies for the growth are found to he 0.41 and 0.31 eV for HR-2 and SS321 respectively.The bubble density in HR-2 is greater than that in SS321 within whole measuring temperature range,and the onset temperature of rapid swelling is also higher.It is believed that the resistance of HR-2 to He is superior to that fo SS321.
关键词:
stainless steel
,
null
,
null
,
null
,
null
李悦
,
邓爱红
,
刘莉
,
王康
,
谢莎
材料研究学报
利用x射线衍射(xRD)和慢正电子束分析(SPBA)技术研究高温退火后含He钛膜的微观结构和钛膜内He相关缺陷的演化.XRD分析表明,高温退火后Ti和Si在高温下发生反应形成稳定的多晶TiSi2化合物,He原子的掺入会影响TiSi2晶体的择优取向,而对TiSi2晶粒尺寸的影响较小.SPBA结果表明,室温下,钛膜内的缺陷浓度或尺寸会随着掺He浓度的增加而增大;高温退火后,当He浓度小于5％(原子分数,下同)时(除2％外),钛膜内的He相关缺陷浓度随着He浓度增加相应地增加.当He浓度增加到14％时,高温会使较高浓度的He原子、He-空位复合体以及小He泡迁移聚集形成一些尺寸较大He泡,而较大He泡周围与He相关的小尺寸缺陷的浓度则会发生相应地减少.
关键词:
金属材料
,
含He钛膜
,
直流磁控溅射
,
He相关缺陷
,
XRD
,
SPBA
施立群
,
金钦华
,
刘超卓
,
徐世林
,
周筑颖
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.01.045
研究了用He/Ar混合溅射气体的直流磁控溅射制备钛膜中He的掺入现象.分析结果表明,大量的He原子(He/Ti原子比高达56%) 被均匀地引入到Ti膜中,He含量可由混合溅射气体的He分量精确控制.通过调节溅射参数,可实现样品中He的低损伤引入.研究还发现,溅射沉积的含氦Ti膜具有较高的He成泡剂量和高的固He能力,这可能是溅射沉积形成了纳米晶Ti膜所致.纳米晶Ti膜较粗晶材料具有很高浓度的He捕陷中心,使He泡密度增大而泡尺寸减小.随He引入量的增加,Ti膜的晶粒尺寸减小,He引起的晶体点阵参数和X射线衍射峰宽度增大,晶体的无序程度增加.
关键词:
氦
,
损伤
,
泡
,
钛膜
,
溅射沉积
常永勤
,
介万奇
,
郭喜平
,
陈福义
,
安卫军
功能材料
研究了ACRT-B法生长的Mn0.1Cd0.9In2Te4晶体中界面的形状和各组元沿轴向的分布规律及其分凝因数.发现结晶界面为椭球形;采用理想配比生长MnxCd1-xIn2Te4晶体,其4种组元并不按(Mn,Cd):In:Te=1:2:4比例结晶,而是要重新分布;通过数学方法处理实验数据得到Mn,Cd和In的分凝因数在α相区分别为1.286、1.9257和0.7294,在β相区则分别为1.12、1.055和0.985.
关键词:
ACRT-B法
,
MnxCd1-x In2Te4
,
界面
,
分凝因数
冯文天
,
马新文
,
朱小龙
,
张少峰
,
刘惠萍
,
李斌
,
闫顺成
原子核物理评论
利用反应显微成像谱仪对70和100 keV He2+与He原子碰撞转移电离(TI)过程中不同出射角度的电子能谱进行了测量,观测到出射电子能谱具有如下分布特征:出射电子速度分布介于0和入射离子速度νp之间;在不同出射角度电子能谱分布均有一极大值存在,随着出射角度的增大,能谱分布极大值逐渐减小; 当电子出射角度等于45°时,多数电子集中在0 eV附近.上述特征可由低能离子-原子碰撞"准分子"模型进行定性解释.在100 keV He2+-He转移电离出射电子能谱中有靶电子被俘获至散射离子连续态(electron capture to continuum,简称ECC)电子的贡献,这可看做是动力学两步过程的作用.
关键词:
反应显微谱仪
,
转移电离
,
ECC电子
,
"准分子"模型
常永勤
,
安卫军
,
郭喜平
,
介万奇
无机材料学报
采用Bridgman法生长了x为0.1,0.22和0.4的四元稀磁半导体化合物MnxCd1-xIn2Te4晶体.研究了三根晶体中相的形貌、结构、成分和Mn0.1Cd0.9In2Te4晶体中各组元沿轴向和径向的成分分布.晶体生长初始端的组织为α+β+β1,随着生长的进行,形成β相的单相区.在晶锭末端,形成In2Te3类面心立方结构化合物.组分x增大后,MnxCd1-xIn2Te4晶体的吸收边向短波方向移动,禁带宽度则线性增大.磁化率测量结果表明:晶体在高温区的x-1-T曲线服从居里-外斯定律,在低温区(<50K)则表现出顺磁增强现象.
关键词:
MnxCd1-xIn2Te4
,
compositional distribution
,
infrared transmission spectra
,
mag- netic susceptibility
常永勤
,
安卫军
,
郭喜平
,
介万奇
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.02.004
采用Bridgman法生长了x为0.1,0.22和0.4的四元稀磁半导体化合物MnxCd1-xIn2Te4晶体.研究了三根晶体中相的形貌、结构、成分和Mno.1Cd0.9In2Te4晶体中各组元沿轴向和径向的成分分布.晶体生长初始端的组织为α+β+β1,随着生长的进行,形成β相的单相区.在晶锭末端,形成In2Te3类面心立方结构化合物.组分x增大后,MnxCd1-xIn2Te4晶体的吸收边向短波方向移动,禁带宽度则线性增大.磁化率测量结果表明:晶体在高温区的x-1-T曲线服从居里一外斯定律,在低温区(＜50K)则表现出顺磁增强现象.
关键词:
MnxCd1-xIn2Te4
,
成分偏析
,
红外透射光谱
,
磁化率
