X. He
材料科学技术（英文）
Composited nanoparticles, consisting of Mn3O4, S-doped Mn3O4 and S, were synthesized by co-precipitation reaction and Mn3O4 nanoparticles were then obtained after removing the pure S from the composited nanoparticles. The Mn3O4-type phase with larger lattice constant a was formed by doping sulfur. At fixed temperatures below Curie temperature (TC), the magnetization of the S-doped Mn3O4/S composited nanoparticles was smaller than that of the Mn3O4 nanoparticles. The blocking temperature was 36.3 and 34.8 K for S-doped Mn3O4/S composite and Mn3O4 nanoparticles, respectively. The anisotropy field of S-doped Mn3O4/S composite was determined to be about 55.3 kOe.
关键词:
Nanostructured materials
李悦
,
邓爱红
,
刘莉
,
王康
,
谢莎
材料研究学报
利用x射线衍射(xRD)和慢正电子束分析(SPBA)技术研究高温退火后含He钛膜的微观结构和钛膜内He相关缺陷的演化.XRD分析表明,高温退火后Ti和Si在高温下发生反应形成稳定的多晶TiSi2化合物,He原子的掺入会影响TiSi2晶体的择优取向,而对TiSi2晶粒尺寸的影响较小.SPBA结果表明,室温下,钛膜内的缺陷浓度或尺寸会随着掺He浓度的增加而增大;高温退火后,当He浓度小于5％(原子分数,下同)时(除2％外),钛膜内的He相关缺陷浓度随着He浓度增加相应地增加.当He浓度增加到14％时,高温会使较高浓度的He原子、He-空位复合体以及小He泡迁移聚集形成一些尺寸较大He泡,而较大He泡周围与He相关的小尺寸缺陷的浓度则会发生相应地减少.
关键词:
金属材料
,
含He钛膜
,
直流磁控溅射
,
He相关缺陷
,
XRD
,
SPBA
施立群
,
金钦华
,
刘超卓
,
徐世林
,
周筑颖
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.01.045
研究了用He/Ar混合溅射气体的直流磁控溅射制备钛膜中He的掺入现象.分析结果表明,大量的He原子(He/Ti原子比高达56%) 被均匀地引入到Ti膜中,He含量可由混合溅射气体的He分量精确控制.通过调节溅射参数,可实现样品中He的低损伤引入.研究还发现,溅射沉积的含氦Ti膜具有较高的He成泡剂量和高的固He能力,这可能是溅射沉积形成了纳米晶Ti膜所致.纳米晶Ti膜较粗晶材料具有很高浓度的He捕陷中心,使He泡密度增大而泡尺寸减小.随He引入量的增加,Ti膜的晶粒尺寸减小,He引起的晶体点阵参数和X射线衍射峰宽度增大,晶体的无序程度增加.
关键词:
氦
,
损伤
,
泡
,
钛膜
,
溅射沉积
ZHANG Lei WANG Peixuan TAO Rong MA Ruzhang ZHANG Guoguang University of Science and Technology Beijing
,
Beijing
,
China professor
,
Department of Materials Physics.University of Science and Technology Beijing.Beijing 100083
,
China
金属学报(英文版)
Nucleation and growth of He bubbles at different annealing temperatures T≤1023 K in stain- less steels HR-2 and SS321,implanted with He~+(40-70 keV.1×10~(16)-6× 10~(17) He~+/cm~2),were ohserved under TEM.T=0.45T_m seems to be a transition temperature.The He bubbles continue mainly their nucleation at 0.3T_m< T<0.45T_m,and grow predominantly at T≥0.45T_m,due probably to migration and coalescence by surface diffusion of metal atoms around the bubbles.The apparent activation energies for the growth are found to he 0.41 and 0.31 eV for HR-2 and SS321 respectively.The bubble density in HR-2 is greater than that in SS321 within whole measuring temperature range,and the onset temperature of rapid swelling is also higher.It is believed that the resistance of HR-2 to He is superior to that fo SS321.
关键词:
stainless steel
,
null
,
null
,
null
,
null
谢莎
,
邓爱红
,
王康
,
王玲
,
李悦
,
王勇
,
汪渊
材料研究学报
用磁控溅射方法制备纳米多晶钨膜,采用x射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),弹性反冲探测(ERD)和慢正电子束分析(SPBA)等手段研究了在高能He+和H+依次对其辐照后He相关缺陷对H滞留的影响.结果表明,注He+钨膜在退火后从β型钨向α型钨转变；钨膜中的He含量随着退火温度的提高而减少,在873 K退火加剧钨膜中He原子的释放,且造成钨膜空位型缺陷的增加和结构无序度的提高；钨膜中的H滞留总量随着He滞留总量的减少略有下降.
关键词:
金属材料
,
磁控溅射钨膜
,
慢正电子束分析
,
H
,
He
冯文天
,
马新文
,
朱小龙
,
张少峰
,
刘惠萍
,
李斌
,
闫顺成
原子核物理评论
利用反应显微成像谱仪对70和100 keV He2+与He原子碰撞转移电离(TI)过程中不同出射角度的电子能谱进行了测量,观测到出射电子能谱具有如下分布特征:出射电子速度分布介于0和入射离子速度νp之间;在不同出射角度电子能谱分布均有一极大值存在,随着出射角度的增大,能谱分布极大值逐渐减小; 当电子出射角度等于45°时,多数电子集中在0 eV附近.上述特征可由低能离子-原子碰撞"准分子"模型进行定性解释.在100 keV He2+-He转移电离出射电子能谱中有靶电子被俘获至散射离子连续态(electron capture to continuum,简称ECC)电子的贡献,这可看做是动力学两步过程的作用.
关键词:
反应显微谱仪
,
转移电离
,
ECC电子
,
"准分子"模型
庞立龙
,
王志光
,
姚存峰
,
崔明焕
,
孙建荣
,
申铁龙
,
魏孔芳
,
朱亚滨
,
盛彦斌
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.30.01.067
室温下,将能量为250 keV He+离子注入z切钽酸锂单晶,注量范围为5.0×1014～5.0×1016He+/cm2,应用三维轮廓仪、X射线衍射(XRD)、紫外可见(UV-Vis)光学吸收谱对未注入和注入样品进行了表征和分析.分析结果表明,在注量达到5.0×1016 He+/cm2时,样品表面出现大量凸起条纹,同时晶格沿着[001]方向出现明显肿胀,吸收边则表现出明显的注量相关性.注入样品在空气中放置60 d后,最高注量的样品表面原来凸起的条纹变为细长的裂纹,晶格应变及光学吸收边均出现较大的恢复.讨论了样品表面形貌、晶格应变和光学吸收边与He行为的关系.
关键词:
钽酸锂
,
He+注入
,
表面形貌
,
X射线衍射
,
光学吸收边
李炳生
,
张崇宏
,
杨义涛
,
周丽宏
原子核物理评论
沿Si的(100)面注入He离子, 能量为30 keV、剂量为5×1016 ions/cm2. 注入后样品切成几块, 在真空炉中分别做退火处理, 退火温度从600 ℃到1 000 ℃, 退火时间均为30 min. 利用原子力显微镜研究了各个样品表面形貌的演化. 发现样品表面形貌与退火温度相关联. 假设在气泡中He原子与空位的比值很高, 导致样品内部存在高压的He泡, 从而使样品表面形貌发生变化. 探讨了在Si中He泡随退火温度的演化和He原子在材料中的释放机制及其对表面的影响.
关键词:
单晶Si
,
离子注入
,
He泡
,
原子力显微镜
,
表面形貌
