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退火对大剂量Al离子注入GaN发光特性的影响

许小亮 , 施朝淑 , 陈永虎 , Luo E Z , Sundaravel B , Wilson I H

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.02.002

首次报道了用不同浓度的Al离子注入于蓝宝石衬底上的GaN薄膜(注入能量为500keV、注入浓度为1014～1015 cm-2), 在做了不同温度和不同时间的快速热退火处理以及常规热退火处理后,在12K下用He-Cd 激光(325nm)激发得到其发射谱.结果显示, 经大剂量Al注入后的样品,其光致发光谱中3.45eV的带边激子发光以及2.9 ～ 3.3eV的4个声子伴随峰消失.此表明大剂量Al注入对GaN的晶体结构造成严重的损伤,以致本征发光消失.经1014cm-2剂量Al注入后的样品,在N2气氛中退火处理后,2.2eV缺陷发光峰得到了一定程度的恢复.而且,经常规退火处理后,此发射峰比快速退火处理的样品发射峰恢复得更好(其积分光强高3倍).相似的结果亦显示于1015 cm-2 浓度的Al 注入的样品.2.2eV 黄色荧光源于GaN的缺陷(如Ga空位(VGa), 或VGa-H2,或VGa-ON 复合体),其能级位于价带顶以上约1.1eV处.荧光发射可以来自"导带-缺陷能级"的跃迁,也可能来自浅施主(如N位O,能级位于导带下～10 meV)至上述缺陷能级之间的跃迁.I-V 测量显示,Al的注入区成为～ 1012 Ω*cm-1高阻膜,这表明Al的注入可能产生了某种深的电子陷阱,由于电子陷阱可俘获导带电子,导致发光猝灭.而退火可使与黄色荧光相关的缺陷得到部分恢复,因而2.2eV发射峰有所恢复.

关键词: GaN , 发光特性 , 退火 , Al 离子注入

退火对离子注入GaN产生的深能级的影响

许小亮 , 何海燕 , 刘洪图 , 施朝淑 , 葛惟昆 , Luo E Z , Sundaravel B , Wilson I H

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.04.002

我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响.表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱,由于电子陷阱俘获导带电子,导致发光猝灭.而经一定条件的退火处理,可使深的电子陷阱发生变化,因而与缺陷间的跃迁相关的黄色荧光可得到一定程度的恢复.由于注入样品的电阻率高达1012 Ωcm, 因此不能用已有的常规方法测量.我们为此发展了一种称为"光增强电流谱"(PSCS)新方法,用于测量高阻样品中的深能级.研究发现,在经过快速退火处理的样品中,不能消除由于注入产生的准连续深能级带;而在某种常规条件退火的样品中,发现了5个位于导带下1.77eV, 1.24eV, 1.16eV, 0.90eV和0.86eV的深电子陷阱,它们都是Al+ 注入经退火后形成的稳定结构.实验发现退火使注入产生的准连续深能级带转变为独立的深能级结构,虽不能使GaN的本征发光得到恢复,但对黄色荧光的恢复是有利的.此研究有助于了解退火处理对离子注入的GaN的电学结构与发光产生的影响.PSCS的意义在于它适用于测量一切高阻半导体样品中与非辐射跃迁相联系的深陷阱能级,而不仅仅适用于测量Al+注入GaN产生的深陷阱能级.

关键词: 退火 , 离子注入 , GaN , 深能级

PREDICTION ON THERMODYNAMIC PROPERTIES OF TERNARY LIQUID ALLOYS FROM WILSON EQUATION

TAO Dongping Kunming Institute of Technology , Kunming , China Lecturer , Department of Metallurgy , Kunming Institute of Technology , Kunming 65041 , China

金属学报(英文版)

An attempt was made on applying the Wilson equation to predict the thermodynamic proper- ties of ternary liquid alloys.The activity of each component in ternary liquid alloys was found to be conveniently calculated from the equation with the related binary bimolecular interaction parameters.The calculated values are in fair agreement with experimental data,and are veri- fied to be reliable by the criterion of classical thermodynamics.

关键词: thermodynamic property , null , null

4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压特性研究

蔡加法 , 陈厦平 , 吴少雄 , 吴正云

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2016.06.018

分析并比较了4H-SiC p-i-n紫外光电探测器的电容-电压(C-V)特性随温度和偏置电压的变化情况,观测到4H-SiC p-i-n结构中的深能级缺陷.结果表明:由于近零偏压时探测器i型层已处于耗尽状态,其高频(1 MHz) C-V特性几乎不随反向偏压变化.随着温度升高,被热离化的自由载流子数量增多导致高频结电容随之增大;探测器的低频(100 kHz)结电容比高频结电容具有更强的电压和温度依赖性,原因在于被深能级缺陷俘获的载流子随反向偏压增大或随温度升高而被离化,从而对结电容产生影响.

关键词: 光电子学 , 4H-SiC , p-i-n紫外光电探测器 , 电容-电压 , 深能级缺陷

P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响

雷青松 , 徐火希 , 王晓晶 , 季峰 , 徐静平

人工晶体学报

采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理.在此基础上,制备P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜与柔性太阳能电池.对P型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究.结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的P型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性.其中的成核层,不仅促进微晶相P层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用.

关键词: p型微晶硅 , 界面处理 , 柔性太阳能电池

PREDICTION OF THERMODYNAMIC PROPERTIES OF THE FeO-CaO-SiO_2 MELTS FROM WILSON EQUATION

D.P.Tao and X.W. Yang(Department of Metallurgy , Kunming University of Science and Technology , Kunming 650093 , China)

金属学报(英文版)

An attempt was made to use the Wilson equation to predict the thermodynamic properties of the FeO-CaO-SiO2 melts at 1673 and 1873K. The activities of component FeO in the ternary melts at a given temperature were found to be conveniently calculated from the equation only with related binary parameters at different temperatures.The predicted values are in agreement with the ternary experimental data.

关键词: thermodynamic property , null , null

Er3+掺杂的 MFT玻璃材料2H11/2、4S3/2→4I15/2荧光性质

陈宝玖 , 吕少哲 , 黄世华

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.02.006

计算了Er3+掺杂的氟氧化物玻璃材料MFT的J-O参数，进而获得了一些能级间跃迁的跃迁几率、分支比、及寿命等数据.测量了室温下Er3+的较强的两个绿色发射2H11/2、4S3/2→4I15/2及红色发射4F9/2→4I15/2的激发光谱，观测了2H11/2、4S_3/2→4I15/2跃迁荧光强度随着温度的变化，测量了室温下这两个跃迁衰减曲线，计算了这两个能级的无辐射跃迁几率及量子效率.

关键词: MFT玻璃 , J-O理论 , 量子效率 , 无辐射跃迁

用Wilson方程估算多元液态合金在给定温度下的组元活度

陶东平 , 杨显万

金属学报

根据Wilson参数与温度的关系，可将Wilson方程扩展到只利用不同温度下测定的二元液态合金各组元的活度，估算出给定温度下二元和多元液态合金各组元的活度.研究结果表明，多元液态合金的活度估算值与其实验数据符合良好.

关键词: 活度估算 , multicomponent liquid alloys , Wilson equation

Er³⁺掺杂的MFT玻璃材料²H_11/2、⁴S_3/2→⁴I_15/2荧光性质

陈宝玖 , 吕少哲 , 黄世华

无机材料学报

计算了Ｅｒ^３＋掺杂的氟氧化物玻璃材料ＭＦＴ的Ｊ－Ｏ参数，进而获得了一些能级间跃迁的跃迁几率、分支比、及寿命等数据．测量了室温下Ｅｒ^３＋的较强的两个绿色发射²H_11/2、⁴S_3/2→⁴I_15/2及红色发射^４Ｆ_９／２→^４Ｉ_１５／２的激发光谱，观测²H_11/2、⁴S_3/2→⁴I_15/2跃迁荧光强度随着温度的变化，测量了室温下这两个跃迁衰减曲线，计算了这两个能级的无辐射跃迁几率及量子效率．

关键词: MFT玻璃 , J-O theory , quantum efficiency , non-radiative transition

稀土区奇奇核πh11/2(×)νi13/2带B(M1)/B(E2)比值增强特性

陆景彬 , 刘运祚 , 孙亮 , 杨东 , 梁国栋 , 王守宇 , 马英君 , 赵广义 , 李险峰 , 崔兴柱 , 李明非 , 霍俊德 , 曾国模 , 竺礼华 , 吴晓光

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.02.003

在稀土区奇奇核πh11/2(×)νi13/2转动带中, 系统地观测到随转动频率或角动量增加, B(M1)/B(E2)曲线表现出所谓parabola-like形状, 即在增加到某一转动频率或自旋后, B(M1)/B(E2)比值快速增强. 基于推转模型和粒子转子模型关于奇奇核二准粒子转动带磁偶极约化跃迁几率的描述, 对稀土区双奇核的这一行为进行了讨论. 指出该现象的发生与νi13/2准中子转动顺排特性密切相关. B(M1)/B(E2)比值在接近第二带交叉(即BC准中子对顺排)的较高频率处的增强效果, 可以理解为主要来源于带交叉引起的波函数中混合四准粒子成分的结果. 通过对B(M1)/B(E2)比值的增强效果发生在较低频率处的分析, 对稀土区奇奇核πh11/2(×)νi13/2带角动量耦合图像有了进一步认识.

关键词: 高自旋态 , 奇奇核 , 电磁跃迁特性 , 顺排

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