张文龙
,
史培建
,
马振清
,
梁月
,
戴亚杰
高分子材料科学与工程
doi:10.16865/j.cnki.1000-7555.2017.05.016
为了研究聚乙烯材料的空间电荷特性及力学性能,采用熔融法制备乙烯咔唑(VK)接枝聚乙烯(VK-g-LDPE),并通过电声脉冲法、差热扫描量热法和拉伸试验对VK-g-LDPE的空间电荷分布、结晶度和拉伸性能进行了测试.结果表明,随着接枝率的增加,对VK-g-LDPE内部空间电荷的抑制效果呈现先增强后减弱的趋势;当接枝率为12.45％时,对MK-g-LDPE材料空间电荷的抑制作用最好,试样的电荷密度最大值仅为0.31 C/m3,比聚乙烯降低了95.87％;随着接枝率的增加,VK-g-LDPE的结晶度呈下降趋势;随着接枝率的增加,VK-g-LDPE的拉伸强度呈现先增大后降低的趋势,且当接枝率为13.02％时达到最大值14.2 N/mm2;随着接枝率的增加,VK-g-LDPE的断裂伸长率和弹性模量呈现下降的趋势.
关键词:
聚乙烯
,
乙烯咔唑
,
接枝
,
空间电荷
,
力学性能
李柏松
,
陈超
,
王丽七
,
张楠
,
孟庆森
金属功能材料
用Mg粉和Si粉通过电场激活加压辅助法(Field-activated and Pressure-assisted Synthesis,FAPAS),在1073 K、50 MPa条件下快速实现了Mg2Si块体热电材料的一步法合成与致密化;合成过程反应物反应完全,产物的XRD曲线的Mg2Si峰型尖锐,占产物含量的99.5%.合成样品的Seebeck系数、电导率、功率因子分别在562K、773 K、600 K时达到最大值.分别为445μVK-1、54.4 Scm-1、4.35 W/craK2.通过对比多种方法合成的Mg2Si热电材料的热电性能发现,FAPASA样品的功率因子比其它方法具有明显的优势.
关键词:
热电材料
,
Mg2Si
,
电场激活压力辅助合成
,
热电效应
施朝淑
,
戚泽明
无机材料学报
综述了近几年来长余辉发光材料研究的最新进展,包括三方面:新材料研制,新应用领域的开拓和发光机理研究的模型.材料方面,主要介绍了红光、蓝光研究的进展与获得长余辉发光的关键因素-结构缺陷形成的陷阱态,以及稀土掺杂的作用.为促进新材料的研究着重概述了对长余辉发光机理研究的新进展,除了载流子传输与隧穿效应外,还介绍了两种最新观点;双光子吸收与VK中心模型,并对其存在的问题作了评述.应用方面,除了已有的弱光照明与显示领域外,还在向光电信息功能,特别是二维图像存储,高能粒子射线探测方面发展.
关键词:
长余辉（寿命）
,
defect
,
luminescence
孙正亮
,
陈立东
材料科学与工程学报
近年来,低维热电材料以其优越的性能而受到研究人员的关注,但合成方法多局限于成本较高的物理法.本文采用简便的化学浴沉积法成功地制备出硒化铋纳米结构薄膜.以硝酸铋、硒代硫酸钠分别作为铋源和硒源,以氨三乙酸作为配位剂,在硅片上沉积出由[001]取向的纳米片组成的硒化铋纳米结构薄膜.薄片厚度在50～100nm.性能表征显示合成出的薄膜室温下电导和赛贝克系数分别为9.2×10~3Sm~(-1)和-98μVK~(-1).该法具有低成本、易操作、易于大规模生长等优点,为薄膜的器件化打下基础.
关键词:
Bi_2Se_3薄膜
,
化学浴沉积
施朝淑
,
戚泽明
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.001
综述了近几年来长余辉发光材料研究的最新进展, 包括三方面: 新材料研制, 新应用领域的开拓和发光机理研究的模型.材料方面, 主要介绍了红光、蓝光研究的进展与获得长余辉发光的关键因素-结构缺陷形成的陷阱态, 以及稀土掺杂的作用.为促进新材料的研究着重概述了对长余辉发光机理研究的新进展, 除了载流子传输与隧穿效应外, 还介绍了两种最新观点; 双光子吸收与VK中心模型, 并对其存在的问题作了评述.应用方面, 除了已有的弱光照明与显示领域外, 还在向光电信息功能, 特别是二维图像存储, 高能粒子射线探测方面发展.
关键词:
长余辉(寿命)
,
缺陷
,
发光
吴正龙
,
杨百瑞
人工晶体学报
在室温(290 K)和低温(25 K)下,测量了从11～40 kV的一系列管电压下X射线激发纯CsI和CsI (Tl)晶体的辐照致发光(RL)谱.结果表明:在固定温度下,管电压变化后, 305 nm和340 nm的本征发光带和580 nm的非本征发光带的形状结构均不发生变化,只是其强度发生变化.对所测得的各发光带强度随管电压的变化关系用抛物线模型进行了拟合分析,得到了较好的结果.同时还发现纯CsI和CsI (Tl)晶体中所有本征RL发光带强度与X射线强度基本上成正比关系,而当管电压增加时,CsI (Tl)晶体中非本征发光带强度的增加速度慢于本征发光带.分析认为,290 K时这可能与样品中另一个位于400 nm左右的发光带有关;而在25 K时则可能和H心与VK心的竞争有关.
关键词:
辐照致发光
,
CsI
,
CsI (Tl)
,
曲线拟合
王新华
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2004.03.010
探索了 SiC-B4C复合膜的热等离子体 PVD(TPPVD)法快速制备,研究了 SiC-B4C复合膜的力学性能和热电性能.实验结果表明:以 SiC和 B4C超细粉为原料的热等离子体PVD(TPPVD)法是快速制备 SiC-B4C复合膜的有效方法.通过控制 SiC和 B4C粉末的供给,可以获得具有层状结构的 SiC-B4C致密优质复合膜,最大沉积速度达356 nm/s,高于常规 PVD和 CVD法两个数量级.膜的硬度随 B4C含量增加而增大,最大显微维氏硬度达到 35 GPa.SiC-B4C复合膜的电阻率和 Seebeck系数随 B4C含量增加而减小.最大 Seebeck系数为 550 μVK-1,在 973 K时最大功率因子达到640 μWm-1K-2,是SiC烧结体的21倍.
关键词:
碳化硅
,
碳化硼
,
显微硬度
,
热电性能
彭东剑
,
林鑫
,
张云鹏
,
郭雄
,
王猛
,
黄卫东
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2012.00556
运用基于界面追踪法的数值自洽模型研究了界面能各向异性对定向凝固枝晶生长的影响.模拟结果表明,对于给定的凝固条件,对应不同的一次间距Péclect数范围,存在2个不同的界面形态解区间,其中较小的间距Péclect数解区间对应的界面形态类似胞状晶,较大的间距Péclect数解区间对应的界面形态类似枝状晶,界面能各向异性的增大有利于枝晶解区间的扩大.同时,枝晶生长的尖端临界稳定性参数σ*与界面能各向异性参数E4存在幂指数关系,并基于Fisher枝晶扩散解,得到包含界面能各向异性参数的枝晶尖端半径表达式:RIMs=2.5646[ΓD/Vk0△T0]0.5 E4-0.1905,△T0=mC0(k0-1)/k0;界面能各向异性增大,枝晶生长界面前沿过冷度减小.枝晶生长稳态一次间距的选择主要取决于枝晶间溶质扩散场的相互作用,而由于界面能各向异性在枝晶尖端作用的局域化,使得界面能各向异性对定向凝固稳态一次枝晶间距影响较小.
关键词:
界面能各向异性
,
定向凝固
,
枝晶尖端半径
,
一次间距
