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Effect of Microstructures on Corrosion Behavior of Nickel Coatings: (Ⅰ) Abnormal Grain Size Effect on Corrosion Behavior

Guozhe Meng , Yang Li , Yawei Shao , Tao Zhang , Yanqiu Wang , Fuhui Wang , Xuequn Cheng

材料科学技术（英）

关键词:

Quantitative Modeling for Corrosion Behavior in Complex Coupled Environment by Response Surface Methodology

Jing Liu , Tao Zhang , Wei Zhang , Yan-Ge Yang , Ya-Wei Shao , Guo-Zhe Meng , Fu-Hui Wang

金属学报(英文版) doi:10.1007/s40195-015-0286-9

关键词:

Large-sized CuZr-based Bulk Metallic Glass Composite with Enhanced Mechanical Properties

Junfeng Ding , Zengqian Liu , Hui Wang , Tao Zhang

材料科学技术（英）

关键词:

Effects of Metalloid B Addition on the Glass Formation, Magnetic and Mechanical Properties of FePCB Bulk Metallic Glasses

Minjie Shi , Zengqian Liu , Tao Zhang

材料科学技术（英）

关键词:

CSD-La3TaO7薄膜外延生长行为

王耀 , 李成山 , 于泽铭 , 冯建情 , 金利华 , 王辉 , 张平祥

稀有金属

研究CSD技术制备La3TaO7 (LTO)缓冲层过程中前驱液的热分解行为以及热处理工艺对薄膜取向生长的影响,通过选取恰当的LTO前驱液以及快速升温热处理的方法最终获得了良好c轴织构的LTO薄膜.

关键词: 涂层导体 , 缓冲层 , 化学溶液沉积

Bi3+,Eu3+,Tb3+掺杂Lu3TaO7的发光性能研究

刘文鹏 , 张庆礼 , 杨华军 , 周鹏宇 , 孙敦陆 , 高进云 , 谷长江 , 罗建乔 , 王迪 , 殷绍唐

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.02.018

采用固相反应法制备了Bi3+、Eu3+、Tb3+掺杂的Lu3TaO7.测量了样品的X射线衍射谱、激发和发射光谱及荧光衰减曲线.三种离子掺杂的Lu3TaO7均呈现出强的荧光发射,其中Bi3+具有峰位在431 nm处的一强发射宽带,衰减寿命为16.8μs,Eu3+、Tb3+则表现出稀土离子的特征锐发射峰,衰减寿命分别为1.26 ms和1.20 ms.因此,它们均是具有潜在应用前景的重闪烁体材料.

关键词: 材料 , 闪烁体 , Lu3TaO7 , 发光

Jian ZHANG/Langhong Lou

材料科学技术（英）

关键词:

一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性

季振国 , 周荣福 , 毛启楠 , 霍丽娟 , 曹虹

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果，当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时，TAO薄膜是p型导电的，在此范围之外，TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(~3.9eV).构造了一个全透明的PN结，其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜， p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物（ITO），p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明，由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度，上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.

关键词: 透明半导体薄膜 , antimony-tin oxide , PN junction

一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性

季振国 , 周荣福 , 毛启楠 , 霍丽娟 , 曹虹

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.

关键词: 透明半导体薄膜 , 锡锑氧化物 , PN结

Ion sputter erosion in metallic glass-A response to "Comment on: Homogeneity of Zr(64.13)Cu(15.75)Ni(10.12)Al(10) bulk metallic glass" by L-Y. Chen, Y-W. Zeng, Q-P. Cao, B-J. Park, Y-M. Chen, K. Hono, U. Vainio, Z-L. Zhang, U. Kaiser, X-D. Wang, and J-Z Jiang J. Mater. Res. 24, 3116 (2009)

Journal of Materials Research

The morphology of the dark and bright regions observed by transmission electron microscopy for the Zr(64.13)Cu(15.75)Ni(10.12)Al(10) bulk metallic glass strongly depends on the ion beam parameters used for ion milling. This indicates that the ion beam could introduce surface fluctuation to metallic glasses during ion milling.

关键词: room-temperature