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Silicon Pickup of InterstitialFree Steel From MgOSiC Refractories

WEI Yaowu , LI Nan , CHEN Xiaoxia , HU Tieshan , RAO Jiangping , TAO Xiaolin

钢铁研究学报(英文版)

The silicon pickup of interstitialfree steel (IF steel) from resin bonded MgOSiC refractories is studied via a medium frequency induction furnace. Samples of IF steel were heated in MgOSiC crucibles with mould flux cover at 1 600 ℃ for 180 min. The silicon contents of IF steel samples taken from the molten steel in every 30 min were examined and the refractories after heating were investigated by electron probe microanalysis (EPMA) with energy dispersive spectrometer (EDS). The silicon content of steel rapidly increased in the first 90 min of heating, and then decreased because of the formation of liquid layer on the refractory. Liquid layer separated the liquid steel from the bulk refractory and stopped the pickup of silicon. At the same time, desilication via oxygen through the liquid layer and flux started to reduce the silicon content of the liquid steel.

关键词: MgOSiC refractory;silicon carbide;silicon content;steel

CSD-La3TaO7薄膜外延生长行为

王耀 , 李成山 , 于泽铭 , 冯建情 , 金利华 , 王辉 , 张平祥

稀有金属

研究CSD技术制备La3TaO7 (LTO)缓冲层过程中前驱液的热分解行为以及热处理工艺对薄膜取向生长的影响,通过选取恰当的LTO前驱液以及快速升温热处理的方法最终获得了良好c轴织构的LTO薄膜.

关键词: 涂层导体 , 缓冲层 , 化学溶液沉积

Bi3+,Eu3+,Tb3+掺杂Lu3TaO7的发光性能研究

刘文鹏 , 张庆礼 , 杨华军 , 周鹏宇 , 孙敦陆 , 高进云 , 谷长江 , 罗建乔 , 王迪 , 殷绍唐

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2011.02.018

采用固相反应法制备了Bi3+、Eu3+、Tb3+掺杂的Lu3TaO7.测量了样品的X射线衍射谱、激发和发射光谱及荧光衰减曲线.三种离子掺杂的Lu3TaO7均呈现出强的荧光发射,其中Bi3+具有峰位在431 nm处的一强发射宽带,衰减寿命为16.8μs,Eu3+、Tb3+则表现出稀土离子的特征锐发射峰,衰减寿命分别为1.26 ms和1.20 ms.因此,它们均是具有潜在应用前景的重闪烁体材料.

关键词: 材料 , 闪烁体 , Lu3TaO7 , 发光

表面包覆法合成的LiN0.8Co0.2O2材料的结构表征

刘欣艳 , 赵煜娟 , 夏定国

功能材料

LiNi0.8Co0.2O2是锂离子电池界公认的最有希望取代商业化正极材料LiCoO2的新型正极材料之一.本文所研究的复合正极材料LiNi0.8Co0.2O2是由细小的晶粒构成的球形颗粒,单一相,属于R3m空间群.对复合材料LiNi0.8Co0.2O2的Co-K和Ni-K的XANES分析可知,在600～850℃范围温度对于钴元素的影响不明显,而对于镍元素的影响比较显著,随着Ni-K边位置向高能量移动LiNi0.8Co0.2O2正极材料的放电容量升高.复合材料LiNi0.8Co0.2O2和LiNiO2的Ni-K边XANES相似,表明少量钴的引入对晶体结构的改变不是太多,但是峰的强度较高和峰的位置向高能量移动,表明钴Co对Ni的局域结构进行了调制.

关键词: LiNi0.8Co0.2O2 , XANES , 正极材料 , 局域结构

THERMODYNAMIC PROPERTIES OF ALPHA-HELIX PROTEIN - A SOLITON APPROACH - COMMENT

Physical Review E

We disagree with the deduction of the equations of motion for the Davydov soliton and of the results in the paper by Jia-Xin Xiao et al. [Phys. Rev. A 44, 8375 (1991)]. The weakness and faults of the Davydov theory are also indicated.

关键词: davydov solitons;vibron solitons;molecules;excitation;system

一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性

季振国 , 周荣福 , 毛启楠 , 霍丽娟 , 曹虹

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果，当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时，TAO薄膜是p型导电的，在此范围之外，TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(~3.9eV).构造了一个全透明的PN结，其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜， p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物（ITO），p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明，由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度，上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.

关键词: 透明半导体薄膜 , antimony-tin oxide , PN junction

一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性

季振国 , 周荣福 , 毛启楠 , 霍丽娟 , 曹虹

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.09217

利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.

关键词: 透明半导体薄膜 , 锡锑氧化物 , PN结

Correctness and completeness of the theory of bio-energy transport Reply to the comments on "The theory of bio-energy transport in the protein molecules and its properties"

Physics of Life Reviews

Commentaries by Philip W.T. Pong, Nongyue He, S.D. Liang, Tao Song, Yuri Gaididei and Sergey Volkov and Alexander Y. Grosberg on my review article (Pang, 2011 [1]) are answered. The validity of Davydov's mechanism of bio-energy transport, the completeness of theory, outstanding problems, the normalization and validity of wave function of the system in Pang' model as well as other related problems are elucidated in detail. (C) 2011 Elsevier B.V. All rights reserved.

关键词: biological temperature;3 channels;soliton;model

镀钽TiNi形状记忆合金表面的XPS分析

成艳 , 蔡伟 , 李洪涛 , 郑玉峰 , 赵连城

功能材料

采用多弧离子镀的方法在Ti-50.6%(原子分数)Ni形状记忆合金表面沉积了钽镀层.通过X射线光电子能谱(XPS)剖面分析发现TiNi合金表面钽镀层厚度均匀,并且在镀层与基体之间形成一薄层过渡层.将镀钽TiNi合金曝露于空气中后,通过XPS的全谱和高分辨谱图对其表面的成分和价态分析发现,镀钽层表面由于钽在空气中自然氧化形成了一层很薄的钽的氧化膜,最表面为高价钽的氧化物(Ta2O5),次表面为低价钽氧化物的混合物TaO2、TaO和TaOx(x＜1).

关键词: TiNi形状记忆合金 , 多弧离子镀 , 钽 , 镀层

C/C复合材料表面TaC涂层的制备和生成机制

李江鸿 , 张红波 , 熊翔 , 肖鹏 , 黄伯云

稀有金属材料与工程

报道了一种在C/C复合材料基体上制各抗烧蚀TaC涂层的新方法.采用红外光谱、XRD及SEM表征了生成TaC涂层的Ta源:TaO2F·rH2O·TaF5.采用SEM观察了不同温度下转变生成的TaC涂层的形貌.在1200℃高温热处理,TaC涂层形貌为细颗粒状,在1800℃高温热处理后,TaC涂层为柱状晶.TaC的生成机制为:TaO2F·rH2O·TaF5高温分解凝聚生成的Ta2O5沉积在C/C复合材料基体表面,碳原子在Ta2O5中扩散反应生成TaC,TaC涂层形貌可由生成Ta2O5的凝聚成核理论解释.

关键词: TaC涂层 , 制备 , 生成机制