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中孔硫酸化氧化锆-氧化硅催化甘油转化制丙烯醛

Hirokazu Kobayashi , Shogo Ito , Kenji Hara , Atsushi Fukuoka

催化学报 doi:10.1016/S1872-2067(16)62564-0

一种中孔硫酸化的、只含Br?nsted酸位的氧化锆-氧化硅催化剂可将甘油转化为丙烯醛,其产率和选择性分别为81%和82%.即使在低温(523 K)下,产物时空收率可高达9.0 mmol h–1 gcat–1.本催化剂的活性和选择性高于典型的硫酸化的ZrO2催化剂.氧化硅稀释了锆物种而使得催化剂酸性更温和,较大的孔径使得传质更快,因此催化剂性能提高.

关键词: 丙烯醛 , 甘油 , 中孔 , 硫酸化二氧化锆

退火处理对ITOITO:Zr薄膜性能的影响

张波 , 董显平 , 徐晓峰 , 赵培 , 吴建生

中国有色金属学报

利用磁控溅射在室温条件下沉积ITO薄膜和ITO-Zr薄膜,对比研究在空气中退火处理对ITOITO-Zr薄膜性能的影响.结果表明,Zr的掺杂促进了(400)晶面的取向,随着退火温度的升高,薄膜表面颗粒增大,表面粗糙度有所降低.室温下Zr的掺杂显著改善了薄膜的光电性能,随着退火温度的升高,ITOITO:Zr薄膜的方阻都表现为先降后升的趋势,ITO-Zr薄膜在较低的退火温度下可见光透过率就可达到80%以上,直接跃迁模型确定的光学禁带宽度Eg呈现了先升后降的变化.ITO:Zr薄膜比ITO薄膜显示了更高的效益指数,揭示了ITO-Zr薄膜具有更好的光电性能.

关键词: ITO薄膜 , 磁控溅射 , 退火处理 , 光电性能

ITO纳米棒的制备及其表征

朱协彬 , 姜涛 , 邱冠周 , 黄伯云

功能材料

利用化学共沉淀法,在InCl3和SnCl4混和溶液中添加PEG-1000,并滴加浓度为25%氨水,制备了ITO前驱体,在温度700℃煅烧3h后得到ITO纳米棒.利用SEM、XRD、TEM-EDS和傅立叶-红外光谱仪分别对ITO纳米棒的形貌和尺寸、结构和物相、EDS能谱和FT-IR光谱分析,并对ITO纳米棒形貌形成机理进行了探讨分析.研究结果表明,ITO纳米棒具有立方铁锰矿结构,且具有纯度高和分散性好等特点,平均直径约为φ300nm,长度可迭3000nm,长径比约达10.随着煅烧时间的延长,ITO纳米棒形貌不变,对尺寸影响不大.

关键词: ITO纳米棒 , 聚乙二醇-1000 , 共沉淀法 , 制备

ITO废靶回收金属铟

陈坚 , 姚吉升 , 周友元 , 陈志飞 , 王玺 , 黄军武

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.01.024

磁控溅射镀膜后的ITO废靶, 以及ITO靶材生产中产生的边角料、切屑、废品等是再生铟的主要原料. 对废靶的还原-二次电解工艺进行了研究, 并获得了工艺参数良好、回收率高、纯度为99.993%的金属铟产品.

关键词: , 回收 , ITO废靶

纳米ITO粉末及高密度ITO靶制备工艺的研究现状

张维佳 , 王天民 , 糜碧 , 洪轲

稀有金属材料与工程

对铟锡氧化物ITO(Indium Tin Oxide)纳米粉末的制备方法如均相共沉淀法,水溶液共沉淀法,电解法,溶胶-凝胶法,喷雾燃烧法,喷雾热分解法等以及ITO磁控溅射靶的现有几种制备工艺进行了综合评述.阐述了各种制备工艺过程和工作原理,比较和分析了各工艺方法的优缺点,并提出了制备高品质ITO粉末及ITO靶的努力方向.

关键词: 纳米粉末 , ITO , 溅射靶

ITO粉及ITO靶材中铟的测定-EDTA容量法

张红梅 , 陈锐

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2003.01.049

采用EDTA容量法测定ITO粉及ITO靶材中的铟含量, 方法变异系数0.43%, 回收率在97%~101%之间, 符合分析要求. 精度符合分析要求, 结果令人满意.

关键词: EDTA容量法 , , ITO粉及ITO靶材

纳米ITO粉末制备工艺优化设计

张维佳 , 王天民 , 吴小文 , 钟立志 , 崔敏

稀有金属材料与工程

研究采用均相共沉淀法制备纳米ITO(Indium Tin Oxide)粉末的制备工艺参数,从碱式溶度积平衡和酸式溶度积平衡,根据热力学平衡理论并引入化学反应热容参数分别计算了ITO前驱物In(OH)3和Sn(OH)4开始沉淀和沉淀完全的pH值以及其开始溶解和溶解完全的pH值,给出了这些pH值随沉淀温度的变化规律,由此对工艺参数进行了优化设计并提供了一种有效的材料掺杂新工艺.采用高分辨率透射电镜,扫描电镜,X射线衍射对ITO纳米粉末进行了测量.结果表明,ITO粉末的平均晶粒大小为28 nm,而且沿(400)面生长.

关键词: 纳米粉末 , ITO , 优化工艺参数设计

射频磁控溅射低温制备ITO薄膜

王秀娟 , 司嘉乐 , 杨德林 , 谷锦华 , 卢景霄

人工晶体学报

利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响.在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25、溅射功率210W、溅射压强0.2 Pa、靶基距2.0 cm和衬底为100℃的低温下制备的ITO薄膜电阻率为7.3×10-4Ω·cm、可见光范围内平均透光率为89.4%.在氩气气氛中200℃低温退火60 min后,ITO薄膜的电阻率降为3.8 ×10-4Ω·cm,透光率不变.

关键词: ITO薄膜 , 射频磁控溅射 , 电阻率

ITO阻值的精确计算及影响因素

陆晓莉 , 杨玉兰 , 薛长利 , 李燕

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.03.010

论述了ITO、方块电阻的定义及ITO阻值的精确计算,并结合实际应用讨论了影响ITO阻值的因素,对版图设计和LCD生产的过程控制有一定的借鉴意义.

关键词: ITO , 方块电阻 , 精确计算

ITO靶材的研究现状与发展趋势

李音波 , 李卫华 , 闫琳 , 余前春 , 韩志伟

功能材料

概述了ITO靶材的应用范围和日益增大的市场需求;对ITO靶材的加工技术和工艺进行了探讨,对ITO薄膜的特性进行了描述;并讨论了ITO靶材所面临的技术问题及发展趋势

关键词: ITO靶材 , 透明导电膜 , 烧结工艺

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