张麦仓
,
董建新
,
曾燕屏
,
谢锡善
,
罗子健
金属学报
利用热力耦合有限元程序FORMT,对PM René 95合金中等尺寸(外径尺寸约为630 mm)涡轮盘的等温锻造工艺进行了模拟式设计.结果表明,采用TZM钼基合金模具,在1050℃以接近10-3s.的应变速率进行闭式模锻和开式模锻,模具材料均能满足使用要求,且开式模锻设备最大载荷不超过31×103kN;采用K21合金模具,在1000℃以相同条件等温成形,模具材料因变形热效应及边界摩擦引起温升而失效且所需设备吨位相对较大.
关键词:
PM
,
null
,
null
,
null
张麦仓
,
董建新
,
曾燕屏
,
谢锡善
,
罗子健
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2002.10.022
利用热力耦合有限元程序FORMT,对PM René 95合金中等尺寸(外径尺寸约为630 mm)涡轮盘的等温锻造工艺进行了模拟式设计.结果表明,采用TZM钼基合金模具,在1050℃以接近10-3s.的应变速率进行闭式模锻和开式模锻,模具材料均能满足使用要求,且开式模锻设备最大载荷不超过31×103kN;采用K21合金模具,在1000℃以相同条件等温成形,模具材料因变形热效应及边界摩擦引起温升而失效且所需设备吨位相对较大.
关键词:
PM René 95合金,等温锻造,热力耦合有限元,模拟式工艺设计
付锐
,
陈希春
,
任昊
,
冯涤
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2011.3.002
自行设计开发了适合工业化生产高纯净,低偏析,无宏观缺陷铸锭的电渣重熔连续定向凝固技术(ESR-CDS)的设备和工艺,利用该技术成功制备了直径为φ150mm的René88DT合金定向凝周铸锭.采用XRD测试了定向凝固柱状晶的生长取向,结果表明,ESR-CDS René88DT铸锭柱状晶择优生长方向为<100>系晶向;ERS-CDS铸锭与传统ESR铸锭相比,枝晶组织生长方向保持一致,二次枝晶臂均匀细小,元素偏析程度低,且晶间一次析出相呈颗粒状,尺寸细小;等温热压缩实验结果表明,ESR-CDS René88DT合金热压缩试样在1100℃,0.0-50.1s-1应变速率下可达到70%以上压缩变形量并获得均匀细小的动态再结晶组织;ESR-CDS René88DT合金铸锭经等温锻造制备出了φ170mm×73mm的饼坯件,锻压变形量超过70%,饼坯件除上下两端的变形死区外均发生了动态再结晶,晶粒尺寸约50μm.
关键词:
电渣重熔连续定向凝固
,
热变形
,
动态再结晶
李晓
,
董建新
,
张丽娜
,
张麦仓
,
胡尧和
,
谢锡善
,
国为民
金属学报
经不同固溶时效处理的PM René 95合金于650℃分别在蠕变、保载5和90 s疲劳载荷条件下进行了裂纹扩展速率实验.结果表明,相同热处理制度下,疲劳保载时间越长,裂纹扩展速率越高;相同载荷条件下,增加一次高温固溶并缓冷,有利于降低合金的裂纹扩展速率,且固溶温度越高裂纹扩展速率越低;1200℃一次固溶缓冷并于1160℃二次固溶热处理比1140℃一次固溶的裂纹扩展速率约降低一个数量级;基体晶粒尺寸适当加大,强化相粒子γ′c数量增加、形状趋于田字形,有利于降低裂纹扩展速率.
关键词:
René
,
null
,
null
李晓
,
董建新
,
张丽娜
,
张麦仓
,
胡尧和
,
谢锡善
,
国为民
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.10.012
经不同固溶时效处理的PM René 95合金于650℃分别在蠕变、保载5和90 s疲劳载荷条件下进行了裂纹扩展速率实验.结果表明,相同热处理制度下,疲劳保载时间越长,裂纹扩展速率越高;相同载荷条件下,增加一次高温固溶并缓冷,有利于降低合金的裂纹扩展速率,且固溶温度越高裂纹扩展速率越低;1200℃一次固溶缓冷并于1160℃二次固溶热处理比1140℃一次固溶的裂纹扩展速率约降低一个数量级;基体晶粒尺寸适当加大,强化相粒子γ′c数量增加、形状趋于田字形,有利于降低裂纹扩展速率.
关键词:
René 95粉末高温合金,裂纹扩展速率,热处理
马洪磊
,
杨莺歌
,
薛成山
,
马瑾
,
肖洪地
,
刘建强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.001
提出一种通过对溅射Ga2O3薄膜后氮化技术制备GaN纳米结构的方法,已成功地制备出 GaN 纳米线、纳米棒和纳米带.该方法既不需要催化剂,也不需要模板限制,不仅避免了杂质污染,而且简化了纳米结构的制造工艺,对于纳米结构的应用非常有利.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAD)研究了 GaN 纳米结构的形貌和晶格结构.结果表明 GaN 纳米结构是具有六角纤锌矿结构的 GaN 晶体,不存在 Ga2O3 或 Ga 的其他相.研究结果证明在高温氮化过程中由于晶格缺陷的降低和晶化的改进能够得到高质量的 GaN 晶体.简要地讨论了GaN 纳米结构的生长机制.
关键词:
GaN
,
纳米结构
,
制备
,
后氮化技术
邵庆辉
,
叶志镇
,
黄靖云
材料导报
GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料.欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一.着重论述了在n-GaN和p-GaN上制备欧姆接触的研究现状.
关键词:
氮化镓
,
欧姆接触
,
接触电阻率