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卤代烃的Peng-Robinson状态方程的密度修正

林鸿 , 段远源

工程热物理学报

利用密度平移的方法对Peng-Robinson状态方程计算的液相密度进行了修正,给出了其描述平移量的关联式.对22种卤代烃纯物质的计算结果表明,修正后的PR方程能够很好地计算液相密度,并且能很好地再现纯物质的临界压缩因子,计算精度可以满足工程应用的需要.

关键词: PR状态方程 , 密度漂移 , 卤代烃 , 临界压缩因子

纳米复合薄膜特异电容机制探讨

程开甲 , 程漱玉 , 林东升 , 肖刚

稀有金属材料与工程

TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)electron theory用于分析讨论了纳米复合薄膜二极层中电子的特性.根据TFDC电子理论研究和实验测试提出了纳米复合薄膜二极层特异电容产生的机制.

关键词: TFDC电子理论 , 二极层 , 大电容 , 薄膜

论位错的稳定存在

程开甲 , 程漱玉

稀有金属材料与工程

阐述了Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论的位错形成机制. 通过对系统总能量的分析提出了位错能够存在的判据, 计算给出多种单质材料位错存在的极限尺寸值.

关键词: 位错 , Thomas-Fermi-Dirac-Cheng , 极限尺寸

论薄膜的超导电性

程开甲 , 程漱玉

稀有金属材料与工程

应用Cheng-Born能带对称破缺理论和TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论研究了薄膜层内电子的特性.对金属铂上的TiO2膜层来说,TFDC理论指出电子(或空穴)将由金属与膜的间界面一侧迁移到另一侧.根据Cheng-Born对称破缺理论,当能带中只有很少的电子时,则只有极少的角区中存在电子,动量空间即产生对称破缺,从而导致超导电性,并由热力学估算出薄膜超导体的转变温度.结果显示薄膜超导体的转变温度至少比块材超导体的转变温度高一个量级.作者还设计了一个研究薄膜超导电性的实验.

关键词: 超导电性 , 薄膜 , 对称破缺 , TFDC

论共晶结构的机理

程开甲 , 程漱玉

稀有金属材料与工程

本文是Thomas-Fermi-Dirac-Cheng电子理论对共晶机理的阐述.提出了薄膜两组元之间的化学势差和电子密度差导致系统总能量改变的新思想,给出了研究稳定共晶态的最佳尺寸和能量的方法.

关键词: Thomas-Fermi-Dirac , 共晶 , 内应力 , 化学势 , 电子密度

泡沫混凝土导热系数模型及参数修正

李翔宇 , 赵霄龙 , 郭向勇 , 曹力强

材料导报

Cheng-Vachon模型的基础上提出了一种针对由连续相和分散相组成的两相复合材料的新导热系数模型.通过引入一个新的参数,即分散相的修正体积含量来改进Cheng-Vachon模型不适用于分散相体积含量较大的缺点.使用新的导热系数模型预测泡沫混凝土的导热系数,与实验结果的对比表明,新的模型可以准确预测泡沫混凝土的导热系数.

关键词: 泡沫混凝土 , 复合材料 , 导热系数 , 无机材料

简单流体和烷烃表面张力的梯度理论模型

林鸿 , 段远源

工程热物理学报

利用比容平移修正后的Peng-Robinson状态方程和密度梯度理论建立了简单流体和烷烃的表面张力的理论模型,并提出了适合于这一类纯物质的作用因子通用关联式.对3种简单流体和21种烷烃的表面张力的计算结果表明,利用新的作用因子关联式结合梯度理论模型能在广泛温度范围内高精度地再现纯物质的表面张力,总的平均绝对偏差为0.19 mN·m-1,计算精度可以满足工程应用的需要.

关键词: 表面张力 , 梯度理论 , PR状态方程 , 简单流体 , 烷烃

HFC混合物二元交互作用系数研究

段远源 , 林鸿 , 张庆麟 , 张秋芳

工程热物理学报

目前国际上已商业化使用或提出的潜在的环保工质,大多数为氢氟烃(HFC)混合物,利用状态方程描述混合工质热力性质时,交互作用系数是重要参数之一.本文应用Peng-Robinson状态方程对多种HFC二元混合物的气液相平衡(vapor-liquid equilibrium,VLE)实验数据进行了回归,得到了相应混合物的交互作用系数.提出了交互作用系数新关联式,结果表明所得到的交互作用系数能很好的应用于描述HFC混合物气液相平衡性质,计算精度可以满足工程应用的需要.

关键词: 氢氟烃(HFC) , 混合物 , 气液相平衡(VLE) , 二元交互作用系数 , PR状态方程

Fe基体上Ni膜和Cu基体上Ag膜的膜内应力

王姗姗 , 祝要民 , 任凤章 , 赵士阳 , 田保红

材料科学与工程学报

直流电沉积法在Fe基体上制备Ni膜和在Cu基体上制备Ag膜,利用悬臂梁法在线测量了膜中的平均应力,并计算了膜内分布应力,且对膜内平均应力的实验结果与Thomas-Feimi-Dirac-Cheng(TFDC)电子模型理论估算结果进行了对比.结果表明,Fe基体上Ni膜的平均应力和分布应力均为拉应力,而Cu基体上Ag膜的平均应力和分布应力均为压应力.两种膜的内应力均由界面应力引起.对于相同的基体和镀膜,膜内平均内应力的理论估算值与实验值较接近.

关键词: 薄膜 , 内应力 , 悬臂梁法 , 电子理论

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