赵作明
,
江若琏
,
陈鹏
,
席冬娟
,
沈波
,
郑有炓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.032
研究了Si基GaN上的欧姆接触.对在不同的合金化条件下铝(Al)和钛铝铂金(Ti/Al/Pt/Au)接触在不同的合金化条件下的性质作了详尽的分析.Al/GaN在450℃氮气气氛退火3min取得最好的欧姆接触率7.5×10-3Ω.cm2,而Ti/Al/Pt/Au/GaN接触在650℃氮气气氛退火20s取得最好的欧姆接触8.4×10-5Ω.cm2,而且Ti/Al/Pt/Au/GaN接触有较好的热稳定性.
关键词:
Si基GaN
,
欧姆接触
,
Al
,
Ti/Al/Pt/Au
马洪磊
,
杨莺歌
,
薛成山
,
马瑾
,
肖洪地
,
刘建强
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.001
提出一种通过对溅射Ga2O3薄膜后氮化技术制备GaN纳米结构的方法,已成功地制备出 GaN 纳米线、纳米棒和纳米带.该方法既不需要催化剂,也不需要模板限制,不仅避免了杂质污染,而且简化了纳米结构的制造工艺,对于纳米结构的应用非常有利.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAD)研究了 GaN 纳米结构的形貌和晶格结构.结果表明 GaN 纳米结构是具有六角纤锌矿结构的 GaN 晶体,不存在 Ga2O3 或 Ga 的其他相.研究结果证明在高温氮化过程中由于晶格缺陷的降低和晶化的改进能够得到高质量的 GaN 晶体.简要地讨论了GaN 纳米结构的生长机制.
关键词:
GaN
,
纳米结构
,
制备
,
后氮化技术
Q.S. Liu1
,
2
,
3)
,
L.C. Zhao3)
,
G.X. Dong2) and N.J. Gu1) 1) Heibei University of Technology
,
Tianjin 300130
,
China 2) Tianjin Institute of Technology
,
Tianjin 300191
,
China 3) Harbin University of Technology
,
Harbin 150001
,
China
金属学报(英文版)
Theconstruction changinginthereversetransformation ofthestress induced εMin Fe 17 Mn 10 Cr 5 Si 4 Ni alloy is carefully inspected in transmission electron microscope, and then stress induced εM procedure of reverse transformation is analyzed. The behavior of reverse transformationisdissimilar when the organization of εMis different. The reversetransfor mation ofεM withtheshapeofsingle plateandstripisrelativelyeasy,anditsreversibilityincrystallographiciseasilytocarryout,fortheεM with multilayerstructure,thereversetrans formationtakes placein isolatedlayers, fortheεMthat grows well,thereversetransforma tion isrelatively difficult becauseofthe ductile harmonization between itsinternalorganiza tion structures.
关键词:
stress induced εM
,
null
,
null
邵庆辉
,
叶志镇
,
黄靖云
材料导报
GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料.欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一.着重论述了在n-GaN和p-GaN上制备欧姆接触的研究现状.
关键词:
氮化镓
,
欧姆接触
,
接触电阻率
彭丹
,
郑学军
,
谢澍梵
,
罗晓菊
,
王丁
无机材料学报
doi:10.15541/jim20130617
首先用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂，硝酸镓[Ga(NO3)3]作为镓源，采用溶胶-凝胶法制备了 GaN 粉末。然后通过固相法将GaN粉末和ZnO粉末按不同配比机械混合，制备成GaN/ZnO复合体。采用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和发致光谱(PL)表征GaN/ZnO复合体的微结构、形貌、成分和发光特性，并将其作为催化剂进行降解亚甲基蓝水溶液的光催化性能测试。结果表明： GaN/ZnO复合体对比未经复合的GaN和ZnO粉末，光催化性能有明显的增强。基于一级动力学方程分析，当GaN/ZnO复合体中GaN粉末和ZnO粉末含量配比为1：2时，光催化性能达到最佳，其速率常数k值为0.11 min-1。
关键词:
GaN/ZnO复合体
,
光催化
,
亚甲基蓝
,
反应动力学
刘金龙
,
田寒梅
,
陈良贤
,
魏俊俊
,
黑立富
,
李成明
新型炭材料
doi:10.1016/S1872-5805(16)60029-X
本文研发了一种简便有效的在GaN半导体衬底上直接生长纳米金刚石膜的方法。研究发现,直接将GaN衬底暴露于氢等离子体中5 min即发生分解,且随着温度从560℃升高至680℃,这种分解反应愈加剧烈,很难在GaN衬底上直接形成结合力良好的纳米金刚石膜。通过在GaN衬底上镀制几纳米厚的硅过渡层,在富氢金刚石生长环境下,抑制了GaN衬底的分解,同时在GaN衬底上沉积了约2μm厚的纳米金刚石膜。硅过渡层厚度是决定纳米金刚石与GaN衬底结合力的主要因素。当硅过渡层厚度为10 nm时,纳米金刚石膜与GaN衬底呈现出大于10 N的结合力,可能与硅过渡层在金刚石生长过程中向SiC过渡层转变有关。
关键词:
氮化镓
,
硅过渡层
,
纳米金刚石膜
,
直接生长
,
分解
