H.C.Lin1)
,
J.Y.Wang1)
,
Q.Z.Yang1)
,
L.J.Guo2) and D.X.Lan2) 1)Departmentof Mechanical Engineering
,
QingDao Institute of Architecture and Engineering
,
Qingdao 266033
,
China 2)Institute of Machinery
,
Qingdao266000
,
China
金属学报(英文版)
Thermalfatiguebehaviorsof Nibased alloychromium carbidecompositecoating madeby a vacu um fusionsintering method are discussed. Resultsshowedthatthermalfatiguebehaviorisassoci ated with cyclic uppertemperature and coating thickness. Asthe thickness of coating decreases,thethermalfatigueresistanceincreases. Thethermalfatigueresistancecuts down with thether malcyclic uppertemperature rising. Thecrack growth rate decreases with theincreasein cyclicnumber untilcrackarrests. Thetractofthermalfatiguecrackcracksalongtheinterfacesof phas es. Thecompositecoating possesseshigheroxidation resistance.
关键词:
compositecoating
,
null
,
null
乔瑜
,
姚洪
,
王臣
,
徐明厚
工程热物理学报
计算包含详细反应机理的复杂反应流问题仍然是十分费时的,已有的反应流计算方法通常采用简化的化学反应机理.传统的机理简化方法大多基于反应条件的稳态假设,如主量组分分析法等.近年来,一种基于自适应化学理论的机理简化的新方法被提出.该方法根据设定的化学精度要求,可实现详细反应机理的最优简化.对Sn/O/H/N/C/Cl详细反应机理的简化结果表明Sn+CO2=SnO+CO和Sn+O2=SnO+O为机理中影响Sn氧化最重要的两个基元反应.
关键词:
反应流
,
反应机理
,
机理简化
,
Sn
彭启才
,
周心明
,
蔡伯埙
材料研究学报
采用等离子体辉光放电单室系统制备的a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 多层膜结构具有低的暗电导和高的光电导特性,且不同于单层膜,有明显的S-W 效应。随着子层厚度L 减小,多层膜曝光态(B)的暗电导率σdB 较退火态(A)的σdA 减小快,即光诱导衰退程度增大,而光电导无明显变化。本文还测定了此多层膜结构的光能隙E_g,得到随子层厚度减小“蓝移”的结果。用一维单量子阱模型作了讨论,实验值与理论计算符合较好。
关键词:
a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H
,
superlattice
,
amorphous semiconductors electrical properties
,
optical properties
,
null
齐民华
,
沈琪
,
陈小平
,
翁林红
应用化学
doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2003.07.004
无水YCl3与1-环戊烷基茚基锂以1/2的摩尔比在THF中反应合成了二(1-环戊烷基茚基)氯化钇(C5H9C9H6)2Y(μ-Cl)2Li(THF)2,产物用元素分析、红外光谱及XRD进行表征. 结果表明,其晶体属于正交晶系,Pna2(1)空间群,a =1.648 2(7) nm,b =1.877 2(8) nm,c =1.131 7(5) nm,V =3.501(3) nm3,Z=4,Dc=1.285 Mg/m3,最终的偏离因子R=0.068 3,Rw=0.114 3.
关键词:
环戊烷基茚基
,
稀土配合物
,
合成
,
晶体结构
欧阳艳
,
张睿
,
何晓燕
,
黄杰
,
张月梅
,
董德文
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2012.20146
用N,N-二甲基丙烯酰基二硫缩烯酮类化合物2与各种脂肪胺类化合物3在N,N-二甲基甲酰胺溶剂中60℃条件下,氮乙烯基发生分子内的亲核取代反应,通过[5C+ 1N]成环反应,合成了系列吡啶-4(1H)酮类化合物4,产率在75％ ～ 95％之间.
关键词:
含氮杂环化合物
,
N,N-二甲基丙烯酰基二硫缩烯酮
,
[5C+1N]成环反应
,
吡啶-4(1H)酮
杨微微
,
高翔
应用化学
doi:10.3724/SP.J.1095.2011.00625
为了考察取代基团对C60衍生物性质的影响,分别进行了一系列1,2-H(XPhCH2) C60(X=H,o-CH3,m-CH3,p-CH3,o-Br,m-Br,p-Br)的1H NMR、13C NMR和电化学循环伏安测试.结果表明,邻位取代基团对苄基中亚甲基氢原子和碳原子的核磁响应具有较大的影响,而取代基团位置对C60-H和C30sp3碳原子核磁响应影响较小；在循环伏安中,苄基上的-CH3和-Br基团位置对C60衍生物的氧化还原电势并未表现出显著影响,但与1,2-H(PhCH2) C60相比,所有具有CH3PhCH2一基团的化合物氧化还原电势均表现出负移,而具有BrPhCH2-基团的化合物氧化还原电势均表现出正移,表明诱导效应是影响C60衍生物性质的主要因素,因此,可通过调控衍生物的电子结构来探究其性质.
关键词:
富勒烯衍生物
,
取代基效应
,
核磁共振
,
循环伏安
程英
,
余忠卫
,
魏晓旭
,
杨华峰
,
郭丹
,
王军转
,
余林蔚
,
施毅
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.04.002
氢化碳化硅薄膜作为一种宽带隙的半导体材料，具有优越的物理特性，其在光电子器件上的潜在应用引起了人们的兴趣。利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统制备了一系列氢化碳化硅薄膜，通过改变反应前驱物及流量比调节薄膜的室温光致发光性质。实验发现在一定范围内随着流量比 R (CH4/SiH4)的提高，氢化碳化硅薄膜的光致发光峰位蓝移且发光强度增强；同时反应前驱物中的氢会极大影响氢化碳化硅薄膜的发光强度。通过椭偏仪(Ellipsometer)测量了薄膜的光学常数，发现薄膜沉积速率随着流量比 R 的增加而降低；傅里叶红外光谱仪(FTIR)测试表明 Si-C 有序度随着流量比的增加而增大。同时研究了三维纳米线结构对多态碳化硅薄膜发光性质的影响。光致发光测试结果表明三维纳米线结构可以有效提高薄膜的光致发光强度。
关键词:
氢化碳化硅薄膜
,
光致发光
,
纳米线
刘彩文
,
刘向东
功能材料
在含Na2SiO38g/L、NaOH 2g/L、Na2WO42g/L、Na2EDTA 2g/L的电解液和正/负向电压取480/130V的条件下,通过改变C3H8O3的含量,对ZAlSi12Cu2Mg1进行微弧氧化处理。研究结果发现,添加C3H8O3可明显地细化电解液中的胶粒,改善微弧氧化膜的致密性和平整性,增加膜层厚度,提高膜层硬度。当C3H8O3的含量由0mL/L增加到10mL/L时,胶粒的平均粒径从10530.6nm几乎线性减小到2615.8nm,膜层氧化物颗粒尺寸变小,致密层所占比例增加,膜层厚度从63μm增加到156μm,膜层硬度提高到894HV;而含量超过10mL/L时,临界起弧正向电压升高至408V。电解液中加入C3H8O3,膜层中除了莫来石相,还出现了α-Al2O3、γ-Al2O3、WO3和SiO2相。
关键词:
C3H8O3
,
ZAlSi12Cu2Mg1
,
微弧氧化
,
作用机理
高帆
,
左萌萌
,
李彩霞
,
黄亮亮
人工晶体学报
为了丰富亚磷酸盐结构,为多孔材料的定向合成提供一定的实验数据,在溶剂热的条件下,以咪唑为结构导向剂合成了一个具有三维开放骨架结构的新型亚磷酸镓化合物Ga8(H2O)6(HPO3)14·(C3N2H6)3·H3O(化合物1),并通过粉末X-射线衍射、红外光谱、热重、ICP和CHN元素分析对化合物进行了表征.单晶X-射线衍射分析结果表明,化合物1属于三斜晶系,P-3c1空间群,晶胞参数为a=b=1.33388 (8) nm,c =1.7886(2) nm,γ=120 (4)°,Z=2.其结构是由GaO6八面体和[HPO32-]假四面体单元相互连接构成.该结构沿着[100]和[010]方向具有12元环孔道.值得注意的是,在化合物1的结构中存在两种不同的次级结构单元(SBU):经典的6*1单元Ga3P4和齿轮状的GaP6单元.
关键词:
开放骨架
,
溶剂热
,
亚磷酸镓
肖剑荣
,
徐慧
,
李幼真
,
刘雄飞
,
马松山
,
简献忠
中国有色金属学报
使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了a-C:F:H薄膜样品.采用拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了测试和分析.研究发现:该膜呈空间网状结构,膜内碳与氟、氢的结合主要以sp3形式存在,而sp2形式的含量相对较少;在薄膜内主要含有C-Fx(x=1,2,3)、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键;同时,薄膜中C-C-F键的含量比C-C-F2键的含量要高.在不同功率下沉积的薄膜,其化学键结构明显不同.
关键词:
a-C:F:H薄膜
,
等离子体增强化学气相沉积
,
低介电常数
,
化学键
