Applied Physics a-Materials Science & Processing
Amorphous aluminate YAlO3 (YAO) thin films on n-type silicon wafers as gate dielectric layers of metal - oxide semiconductor devices are prepared by pulsed laser deposition. As a comparison, amorphous aluminate LaAlO3 (LAO) thin films are also prepared. The structural and electrical characterization shows that the as-prepared YAO films remain amorphous until 900 degrees C and the dielectric constant is similar to 14. The measured leakage current of less than 10(-3) A/cm(2) at a bias of V-G = 1.0 V for similar to 40-nm-thick YAO and LAO films obeys the Fowler Nordheim tunneling mechanism. It is revealed that the electrical property can be significantly affected by the oxygen pressure during deposition and post rapid thermal annealing, which may change the fixed negative charge density at the gate interface.
关键词:
hafnium oxide;si;stability;silicon;transition;dioxide;devices;hfo2
中国腐蚀与防护学报
N。1Atmospheric Corrosivlty for Steels………………………………………………… .LIANG Caideng HO[I i。-tat（6）Caustic Stress Corrosion Cr。king of Alloy 800 Part 2.The Effect of Thiosul执e……………………………………… KONG De-sheng YANG Wu ZHAO Guo-zheng HUANG De.ltL。ZHANG Yu。。he CHEN She。g-bac（13）SERS slid E16CttOCh6iniC81 Stlldy Of Illhibit1Oli M6ch＆tllsth Of ThlollY68 Oil ITOll ID H....
关键词:
程开甲
,
程漱玉
稀有金属材料与工程
应用Cheng-Born能带对称破缺理论和TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论研究了薄膜层内电子的特性.对金属铂上的TiO2膜层来说,TFDC理论指出电子(或空穴)将由金属与膜的间界面一侧迁移到另一侧.根据Cheng-Born对称破缺理论,当能带中只有很少的电子时,则只有极少的角区中存在电子,动量空间即产生对称破缺,从而导致超导电性,并由热力学估算出薄膜超导体的转变温度.结果显示薄膜超导体的转变温度至少比块材超导体的转变温度高一个量级.作者还设计了一个研究薄膜超导电性的实验.
关键词:
超导电性
,
薄膜
,
对称破缺
,
TFDC
李翔宇
,
赵霄龙
,
郭向勇
,
曹力强
材料导报
在Cheng-Vachon模型的基础上提出了一种针对由连续相和分散相组成的两相复合材料的新导热系数模型.通过引入一个新的参数,即分散相的修正体积含量来改进Cheng-Vachon模型不适用于分散相体积含量较大的缺点.使用新的导热系数模型预测泡沫混凝土的导热系数,与实验结果的对比表明,新的模型可以准确预测泡沫混凝土的导热系数.
关键词:
泡沫混凝土
,
复合材料
,
导热系数
,
无机材料
王姗姗
,
祝要民
,
任凤章
,
赵士阳
,
田保红
材料科学与工程学报
直流电沉积法在Fe基体上制备Ni膜和在Cu基体上制备Ag膜,利用悬臂梁法在线测量了膜中的平均应力,并计算了膜内分布应力,且对膜内平均应力的实验结果与Thomas-Feimi-Dirac-Cheng(TFDC)电子模型理论估算结果进行了对比.结果表明,Fe基体上Ni膜的平均应力和分布应力均为拉应力,而Cu基体上Ag膜的平均应力和分布应力均为压应力.两种膜的内应力均由界面应力引起.对于相同的基体和镀膜,膜内平均内应力的理论估算值与实验值较接近.
关键词:
薄膜
,
内应力
,
悬臂梁法
,
电子理论
任凤章
,
曹轲
,
郑茂盛
,
马战红
,
苏娟华
,
田保红
稀有金属材料与工程
采用电沉积法在Ni基体上制备Cu膜.悬臂梁法在线测量沉积Cu膜后的Ni基片挠度,由测得的挠度值计算出Cu膜内的平均内应力和分布内应力.结果表明,Cu膜内的平均内应力和分布内应力均随膜厚的增加而急剧减小.膜内的界面应力很大,而生长应力很小.基于改进的Thomas-Feimi-Dirac-Cheng(TFDC)电子理论,对由于界面电子密度调整而引起的Cu膜内平均内应力作出了初步估算.结果表明,理论估算结果与实验结果较接近.这说明理论计算模型具有较高的准确性.
关键词:
薄膜
,
内应力
,
悬臂梁法
,
电子密度
,
TFDC电子理论
