王尧
,
董威
,
马文
物理测试
doi:10.3969/j.issn.1001-0777.2006.02.011
依据磁性测量冲击法基本原理,提出了一种将多元回归分析法用于磁性测量的新方法.本文着重讲述了如何使用MATLAB语言实现基于多元回归分析法下的磁性测量GUI界面.实践证明,该程序充分利用了MATLAB函数库,所编辑的GUI界面形象直观,操作方便,可快速精确地处理磁测数据,保存并显示计算结果,同时还可实现多个用户界面间的嵌套调用.大大缩短了计算时间,效果很好.
关键词:
冲击法
,
磁性测量
,
多元回归分析
,
MATLAB
,
GUI界面
吴燕燕
,
贺锋涛
,
孙林军
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20122703.0338
μC/GUI在具有图形界面的嵌入式产品中得到了广泛应用,文章以LPC214X为嵌入式硬件开发平台,介绍了用于嵌入式应用的图形支持软件——μC/GUI,概括了它的功能及特色,对其移植进行了重点研究,实现了μC/GUI接口函数及配置文件的移植,并给出了具体的实现步骤和需要修改的源代码.
关键词:
嵌入式系统
,
μC/GUI
,
液晶显示
,
LPC214X
ZHANG Lei WANG Peixuan TAO Rong MA Ruzhang ZHANG Guoguang University of Science and Technology Beijing
,
Beijing
,
China professor
,
Department of Materials Physics.University of Science and Technology Beijing.Beijing 100083
,
China
金属学报(英文版)
Nucleation and growth of He bubbles at different annealing temperatures T≤1023 K in stain- less steels HR-2 and SS321,implanted with He~+(40-70 keV.1×10~(16)-6× 10~(17) He~+/cm~2),were ohserved under TEM.T=0.45T_m seems to be a transition temperature.The He bubbles continue mainly their nucleation at 0.3T_m< T<0.45T_m,and grow predominantly at T≥0.45T_m,due probably to migration and coalescence by surface diffusion of metal atoms around the bubbles.The apparent activation energies for the growth are found to he 0.41 and 0.31 eV for HR-2 and SS321 respectively.The bubble density in HR-2 is greater than that in SS321 within whole measuring temperature range,and the onset temperature of rapid swelling is also higher.It is believed that the resistance of HR-2 to He is superior to that fo SS321.
关键词:
stainless steel
,
null
,
null
,
null
,
null
杨立身
,
张安伟
,
王磊
,
魏兰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153002.0290
为了解决μC/GUI 中文字库占用空间大与 MCU 内部存储空间有限的矛盾，实现μC/GUI 对中文更全面完整的支持，对μC/GUI 外置汉字字库的实现方法进行研究，提出了将汉字字库存储于外置 spi flash 芯片的解决方案。首先对汉字存储相关的数据结构进行研究，编写 spi flash 芯片驱动程序，之后利用 PC 串口编写软件和串口中断处理函数将字库文件写入到外置 flash 芯片中。然后在中文字库成功写入 flash 芯片内部的基础上，对μC/GUI 中与字符显示相关的内核函数进行修改，完成对所有显示字符属性的判断，从而实现μC/GUI 对外部中文字库的支持。试验结果表明，外置字库中的汉字成功地在液晶屏上显示出来。存储于外置 spi flash 芯片中的字库能被μC/GUI 正常的调用和显示。外置spi flash 字库节省了 MCU 内部有限的存储空间，具有较好的通用性和灵活性。
关键词:
μC/GUI
,
图形界面
,
spi flash
,
外置字库
杨立身
,
张安伟
,
王磊
,
刘康
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142906.0950
为了创建一个高效、直观、支持多任务的嵌入式图像开发平台，建立了基于μC/OS_II、μC/GUI、STM32、ILI9320液晶屏的嵌入式实验环境，对μC/OS_II 和μC/GUI 的整合移植方法进行研究，并针对μC/GUI 的中文支持欠缺和屏幕刷新率低等不足进行优化.研究了μC/OS_II、μC/GUI 的组织架构，针对μC/OS_II 与 CPU 任务切换密切相关的文件进行改写，同时在μC/OS_II 成功移植的基础上对μC/GUI 进行进一步的移植操作，包括修改与μC/OS_II 相关的文件，改写μC/GUI 底层与 LCD 驱动密切联系的函数.在μC/GUI 成功移植的基础上对其字库文件进行改写，加入中文字库；对μC/GUI 的画点、画线、矩形填充函数进行修改，提高液晶屏的屏幕刷新效率.实验结果表明，所创建的4个任务切换正常，中文正常显示，同时像素填充率由之前的996080/s 上升到优化后的1629060/s.μC/OS_II 与μC/GUI 能正常地协同工作，优化带来了μC/GUI 性能的提升.
关键词:
μC/OS_II
,
μC/GUI
,
整合
,
优化
张传胜
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132802.0250
针对目前人机交互界面越来越复杂的应用需求,利用FPGA器件,设计了一种基于SOPC技术的触控显示GUI系统.系统使用FPGA器件驱动液晶屏和触控板,并内建SOPC软核处理器运行GUI图像接口软件模块,在使用时只需将显示的界面图像放到FLASH存储器中,利用一个串口与上位MCU相连接即可.相对于传统方法设计时间长,通用性差的缺点,本设计具有开发简单,界面美观的特点和极好的适用性.
关键词:
FPGA
,
GUI
,
触摸屏
李悦
,
邓爱红
,
刘莉
,
王康
,
谢莎
材料研究学报
利用x射线衍射(xRD)和慢正电子束分析(SPBA)技术研究高温退火后含He钛膜的微观结构和钛膜内He相关缺陷的演化.XRD分析表明,高温退火后Ti和Si在高温下发生反应形成稳定的多晶TiSi2化合物,He原子的掺入会影响TiSi2晶体的择优取向,而对TiSi2晶粒尺寸的影响较小.SPBA结果表明,室温下,钛膜内的缺陷浓度或尺寸会随着掺He浓度的增加而增大;高温退火后,当He浓度小于5％(原子分数,下同)时(除2％外),钛膜内的He相关缺陷浓度随着He浓度增加相应地增加.当He浓度增加到14％时,高温会使较高浓度的He原子、He-空位复合体以及小He泡迁移聚集形成一些尺寸较大He泡,而较大He泡周围与He相关的小尺寸缺陷的浓度则会发生相应地减少.
关键词:
金属材料
,
含He钛膜
,
直流磁控溅射
,
He相关缺陷
,
XRD
,
SPBA
施立群
,
金钦华
,
刘超卓
,
徐世林
,
周筑颖
原子核物理评论
doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.01.045
研究了用He/Ar混合溅射气体的直流磁控溅射制备钛膜中He的掺入现象.分析结果表明,大量的He原子(He/Ti原子比高达56%) 被均匀地引入到Ti膜中,He含量可由混合溅射气体的He分量精确控制.通过调节溅射参数,可实现样品中He的低损伤引入.研究还发现,溅射沉积的含氦Ti膜具有较高的He成泡剂量和高的固He能力,这可能是溅射沉积形成了纳米晶Ti膜所致.纳米晶Ti膜较粗晶材料具有很高浓度的He捕陷中心,使He泡密度增大而泡尺寸减小.随He引入量的增加,Ti膜的晶粒尺寸减小,He引起的晶体点阵参数和X射线衍射峰宽度增大,晶体的无序程度增加.
关键词:
氦
,
损伤
,
泡
,
钛膜
,
溅射沉积
