雷奕
,
黑祖昆
,
Mohique
,
Calvo-Dahlborg
,
Jean-Marie
,
Dubois
,
DONG
,
Chuang
金属学报
分析了块状非晶与稳定准晶结构上的异同点, 选择两种稳定准晶(二十面体准晶和十次准晶)相互混乱合, 在保持准晶二十面体基本结构单元的基础上, 增加元素组成的混乱度, 再添加有利于形成高配位多面体的元素Zr, 用急冷方法制备出非晶合金. 对此非晶合金的热力学测试表明, 该非晶形成能力和稳定性与Inoue的Zr65Al7.5Cu17.5Ni10非晶相近.
关键词:
锆基非晶合金
,
null
,
null
盖红星
,
李建军
,
韩军
,
邢艳辉
,
邓军
,
俞波
,
沈光地
,
陈建新
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.01.016
采用Shu Lien Chuang方法计算了AlInGaAs/AlGaAs应变引起价带中重、轻空穴能量变化曲线,在Harrison模型的基础上详细地计算了AlInGaAs/AlGaAs和GaAs/AlGaAs量子阱电子、空穴子能级分布并且进一步研究了这两种材料在不同注入条件下的线性光增益.进一步计算比较可以得出AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱光增益特性要优于GaAs/AlGaAs非应变量子阱增益特性,因此AlInGaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料应用于半导体激光器比传统GaAs/AlGaAs材料更具优势.
关键词:
光电子学
,
应变量子阱
,
光增益
,
AlInGaAs
,
半导体激光器
